“破釜沉舟，背水一戰”這句話來形容英特爾近期的動作，或許再合適不過。

3月13日，英特爾宣布，董事會已任命陳立武(Lip-Bu Tan)為公司新任首席執行官，該任命自3月18日起生效。他將接替臨時聯合首席執行官大衛?辛斯納（David Zinsner）和米歇爾?約翰斯頓?霍爾索斯（Michelle Johnston Holthaus）的工作。

2022年，英特爾聘請陳立武加入董事會，當時英特爾IDM2.0戰略如火如荼，陳立武的加入，助力英特爾重振。隨后在2023年，他還被董事會擴大職責，被授權監督制造營運。

2024年8月，陳立武曾辭去董事會職務，而隨著此次任命生效，他將重新回歸并接任CEO一職。該舉動，可謂是“老將出馬”。

圖源：Google

然而，陳立武回歸，無疑是英特爾（Intel）在關鍵時刻打出的一張“王牌”；同時，這也是Intel成立57年來，史上第一位華人CEO。

英特爾官網顯示，陳立武擁有超過20年的半導體和軟件經驗。他曾于2009年至2021年擔任Cadence Design Systems的首席執行官。目前擔任Credo Technology Group和施耐德電氣的董事會成員。

其中，陳立武以投資人身份進入半導體行業，隨后成為Cadence的董事會成員，并最終升任首席執行官。2017年，他被評為科技業人脈最廣的高管，2022年獲得了半導體界的最高榮譽——羅伯特·N·諾伊斯獎。

其次，陳立武主張將英特爾打造成“世界一流代工廠”，這與英特爾當前加強芯片制造業務的戰略一致。他在半導體供應鏈及代工生態中的廣泛人脈，有助于英特爾拓展客戶和合作伙伴關系，如與臺積電、NVIDIA等公司合作的談判等。

不難發現，盡管陳立武執掌英特爾面臨諸多挑戰，但英特爾能否借此破局重生，晶圓代工仍是未知之數。

眾所周知，英特爾于2021年宣布重返晶圓代工領域，計劃2030年超越三星，成為全球第二大晶圓代工廠商。

2024年 2 月，英特爾 CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在接受采訪時口出驚人地說到：我將整個公司都押注在 18A 上。

與此同時，作為英特爾原本“四年五個節點”計劃的最后一環，18A 節點自始至終都是英特爾 IDM 2.0 戰略轉型過程中核心關鍵。甚至，隨著 Intel 20A 從轉向內部代工到官宣取消，Intel 18A 節點的重要性還在進一步地提高。

今年2 月，英特爾在ISSCC 2025上，英特爾更新了其半導體 Foundry 相關頁面的介紹，并宣布其“四年五個節點”（現在是四個節點了）計劃中最后也是較為重要的 Intel 18A 工藝準備就緒，計劃于今年上半年開始流片。

另外，英特爾展示了此次成果，稱SRAM位單元尺寸將從Intel 3工藝的0.03μm2縮小到Intel 18A工藝的0.023μm2，HDC也顯示出類似的改進，縮小到0.021μm2，取得了不錯的進步。相比之下，臺積電N5、N3B和N2工藝的SRAM位單元大小分別為0.021μm2、0.0199μm2和0.0175μm2。

值得一提的是，英特爾在Intel 18A引入了PowerVia背部供電技術，是其解決處理器邏輯區域電壓下降和干擾的首選方法，相較于 Intel 3 工藝密度提升 30%、單位功耗性能提升 15%。該技術，采用了“環繞陣列”方案，戰略性地將PowerVias應用于 I/O、控制和解碼器元件，同時優化了位單元設計，而無需正面供電。

這也意味著，18A 制程的成熟標志英特爾 IDM 2.0 戰略的重大突破，或將被視為英特爾代工服務（IFS）重鑄往日榮光的關鍵信號，對于已經退休的英特爾前 CEO Pat Gelsinger 來說無疑是好消息。

因此，臺積電和三星在先進制程領先地位已十分穩固，英特爾18A工藝面臨臺積電和三星的競爭，特別是在4納米和5納米制程上，臺積電的占有率已超過60%。

簡而言之，陳立武的上任并非萬能解藥，英特爾面臨的挑戰不僅僅是技術問題，而是整個行業的格局變化。

由于篇幅受限，本次的英特爾18A工藝就先介紹這么多......

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最后的最后，借由溫斯頓·丘吉爾的一句名言：

堅持不是永不失敗，而是永不言棄。

愿每一位半導體從業者可以——

行百里者半九十！

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