當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月7日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布最新報(bào)告稱，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額達(dá)到1351億美元，較2024年的1171億美元增長(zhǎng)15%，連續(xù)第三年創(chuàng)下歷史新高。這一數(shù)據(jù)較SEMI在2025年12月發(fā)布的1330億美元預(yù)測(cè)值上修了約1.6%，反映出AI需求在2025年四季度末仍保持超預(yù)期增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“2025年創(chuàng)紀(jì)錄的半導(dǎo)體設(shè)備賬單達(dá)到1350億美元，凸顯了隨著人工智能加速對(duì)前沿邏輯、先進(jìn)內(nèi)存和高帶寬架構(gòu)需求的推動(dòng)，行業(yè)建設(shè)的規(guī)模和緊迫性。從晶圓制造投資到先進(jìn)封裝和測(cè)試的快速發(fā)展，全球生態(tài)系統(tǒng)正在擴(kuò)展能力和能力，以支持下一波創(chuàng)新浪潮。”

前端設(shè)備穩(wěn)健增長(zhǎng)，邏輯與存儲(chǔ)雙輪驅(qū)動(dòng)

2025年，全球前端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)。晶圓加工設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)12%，其他前端細(xì)分市場(chǎng)增長(zhǎng)13%。此次擴(kuò)張主要得益于對(duì)前沿邏輯和內(nèi)存容量的持續(xù)投資，以及AI相關(guān)需求和持續(xù)的節(jié)點(diǎn)與技術(shù)遷移。

雖然，SEMI最新的報(bào)告并未公布前端設(shè)備具體構(gòu)成，但是SEMI在此前2025年12月的預(yù)測(cè)報(bào)告中預(yù)測(cè)：

2025年代工與邏輯芯片設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)9.8%至666億美元，芯片制造商持續(xù)為AI加速器、高性能計(jì)算及高端移動(dòng)處理器擴(kuò)產(chǎn)，行業(yè)正加速向2nm環(huán)繞柵極（GAA）節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)邁進(jìn)。DRAM設(shè)備銷售額受HBM需求拉動(dòng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%至225億美元；NAND設(shè)備銷售額則因3D堆疊技術(shù)進(jìn)步，預(yù)計(jì)大增45.4%至140億美元。

而2025年實(shí)際的整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額相比之前的預(yù)測(cè)是超出的，因此，前端設(shè)備部分的增長(zhǎng)可能也將超出之前的預(yù)期。而這其中的關(guān)鍵還是在于：AI需求爆發(fā)之下，對(duì)于先進(jìn)邏輯制程和HBM及DRAM需求的暴漲，推動(dòng)相關(guān)前端制造設(shè)備的投資增長(zhǎng)。

值得注意的是，SEMI在此前2025年12月的預(yù)測(cè)報(bào)告中已將2026年和2027年的設(shè)備銷售預(yù)期上調(diào)至1450億美元和1560億美元，意味著2025-2027年將實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年增長(zhǎng)，這一趨勢(shì)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)歷史上較為罕見(jiàn)。

后端設(shè)備爆發(fā)式增長(zhǎng)：測(cè)試設(shè)備激增55%

受益于人工智能（AI）熱潮，對(duì)于高端GPU、高性能計(jì)算（HPC）芯片及定制化AI ASIC芯片需求持續(xù)攀升，芯片封裝朝向更大面積、更高頻高速、更高功率與更多晶粒整合發(fā)展，也讓CoWoS、SoIC、WMCM等先進(jìn)封裝技術(shù)和測(cè)試需求持續(xù)擴(kuò)大，進(jìn)一步推升相關(guān)先進(jìn)封測(cè)設(shè)備的投資熱度。

以英偉達(dá)Rubin GPU為例，其采用CoWoS-L先進(jìn)封裝技術(shù)，將GPU芯片與8個(gè)HBM3E堆疊集成，對(duì)封裝精度和測(cè)試覆蓋率提出了前所未有的要求，直接拉動(dòng)了對(duì)高端封裝設(shè)備和存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備的需求。

SEMI最新的報(bào)告也顯示，后端設(shè)備板塊在2025年實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng)。隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的持續(xù)普及，組裝和封裝設(shè)備銷售額增長(zhǎng)了21%。隨著AI芯片和HBM的性能需求和測(cè)試強(qiáng)度的提升，測(cè)試設(shè)備銷售額同比激增55%。測(cè)試設(shè)備銷售額的增速遠(yuǎn)超SEMI在2025年中期的預(yù)測(cè)——當(dāng)時(shí)預(yù)計(jì)測(cè)試設(shè)備全年增長(zhǎng)48.1%。實(shí)際增速超出預(yù)期近7個(gè)百分點(diǎn)，表明AI芯片和HBM的測(cè)試復(fù)雜度提升速度比行業(yè)預(yù)判更為迅猛。

區(qū)域格局：亞洲主導(dǎo)地位進(jìn)一步強(qiáng)化

從全球各主要區(qū)域的表現(xiàn)來(lái)看，2025年半導(dǎo)體設(shè)備支出仍集中在亞洲，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)合計(jì)占全球市場(chǎng)的79%，而2024年這一比例為74%，集中度進(jìn)一步提升。

具體來(lái)說(shuō)，2025年，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體設(shè)備支出仍接近歷史高位，達(dá)到493億美元，較2024年僅下降0.5%，中國(guó)大陸芯片制造商繼續(xù)投資成熟節(jié)點(diǎn)并選擇性布局先進(jìn)產(chǎn)能。

中國(guó)臺(tái)灣的半導(dǎo)體設(shè)備支出同比大漲90%，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的315億美元，反映出AI和高性能計(jì)算驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)能擴(kuò)張。

韓國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備支出同比增長(zhǎng)26%，達(dá)到258億美元，這主要是因?yàn)轫n國(guó)芯片制造商對(duì)HBM和DRAM的投資依然強(qiáng)勁。

日本半導(dǎo)體設(shè)備支出實(shí)現(xiàn)22%的同比增長(zhǎng)，達(dá)到95億美元，這主要得益于日本先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造業(yè)的持續(xù)投資。

北美市場(chǎng)因早期產(chǎn)能擴(kuò)張后支出趨于放緩，半導(dǎo)體設(shè)備支出同比下降20%至109億美元。

歐洲半導(dǎo)體設(shè)備支出同比下跌41%至29億美元，這是連續(xù)第二年收縮，原因是汽車和工業(yè)需求持續(xù)疲軟。

從設(shè)備支出結(jié)構(gòu)看，北美和歐洲的下滑與兩地芯片制造產(chǎn)能擴(kuò)張放緩直接相關(guān)。比如，英特爾在2025年推遲了部分俄亥俄州晶圓廠的建設(shè)進(jìn)度，而歐洲受制于汽車芯片需求疲軟，意法半導(dǎo)體、恩智浦等IDM廠商普遍收緊了資本開支。

2026年展望：增長(zhǎng)勢(shì)頭有望延續(xù)

展望2026年，SEMI在2025年12月發(fā)布的預(yù)測(cè)報(bào)告中曾預(yù)計(jì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將繼續(xù)增長(zhǎng)至1450億美元，2027年進(jìn)一步攀升至1560億美元，連續(xù)三年刷新歷史紀(jì)錄。

增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力將來(lái)自三個(gè)方面：一是臺(tái)積電、三星、英特爾在2nm及以下節(jié)點(diǎn)的資本開支競(jìng)賽；二是HBM產(chǎn)能擴(kuò)張，三星、SK海力士、美光均計(jì)劃在2026年大幅擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)線；三是先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺持續(xù)，臺(tái)積電CoWoS、三星I-Cube等封裝技術(shù)的產(chǎn)能擴(kuò)張將帶動(dòng)相關(guān)設(shè)備需求。）

不過(guò)，行業(yè)也面臨潛在風(fēng)險(xiǎn)。美國(guó)擬推出的MATCH Act若通過(guò)，可能進(jìn)一步限制對(duì)華先進(jìn)設(shè)備出口，影響全球設(shè)備供應(yīng)鏈；此外，AI投資若出現(xiàn)階段性降溫，也可能導(dǎo)致設(shè)備訂單波動(dòng)。

編輯：芯智訊-浪客劍