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（來源：半導體芯情）

存儲芯片漲價可能還會持續很長時間，根據美國存儲芯片廠商美光CEO桑杰·馬羅特拉（Sanjay Mehrotra）的觀點，他最近發出預警，稱當前全球內存短缺可能延續至2026年之后，而行業真正意義上的大規模新產能釋放，至少要等到2028年。

在人工智能浪潮將內存芯片推至“新石油”地位的當下，存儲行業正經歷一場超級周期。美光已經在美國啟動一項橫跨三州的宏大投資計劃，整個投資規模達到2000億美元。

“廠房基礎建設是目前周期最長、挑戰最大的環節，土建完成后，設備入場、安裝調試同樣需要漫長周期?！瘪R羅特拉在弗吉尼亞州馬納薩斯工廠接受采訪時坦言。該工廠剛剛啟動了全美首個“1-alpha”工藝節點DRAM量產，這也是美光將先進內存制造回流本土的關鍵一步。

由于全球存儲芯片緊缺，美光正在進行大規模擴產。根據之前美光披露的計劃，美光將在愛達荷州博伊西建設兩座先進晶圓廠，首座預計明年年中產出首批晶圓，第二座則要到2028年底；在紐約州錫拉丘茲規劃多達四座晶圓廠的生產集群。整體而言，美光計劃在全美投資高達2000億美元，目標是將本土產量占全球總產量的比重從當前的約10%提升至40%。

由于產能擴充需要時間，當下美光的核心客戶都沒有辦法完全滿足需求。馬羅特拉透露，目前美光對核心客戶的供應滿足度僅能達到50%至三分之二，供需缺口巨大。

“我們預計行業內真正意義上的大體量新產能釋放，要到2028年前后才會開始顯現。”馬羅特拉強調，內存制造屬于建設周期極長的重資產，從廠房動工到設備調試完成，耗時遠超外界想象。

眾所周知，內存行業歷來是一個強周期性行業，繁榮與蕭條交替更迭。美光的大手筆投資也引發投資者的擔憂。

據悉，2026財年中期，美光實現營業收入375.03億美元，同比增長123.74%，是近年來增速最為強勁的時期。這一爆發式增長的根本驅動力在于人工智能（AI）對內存和存儲的旺盛需求，尤其是數據中心市場對高帶寬內存（HBM）、高容量DIMM及低功耗服務器DRAM的大量采購，疊加DRAM與NAND產品價格、銷量及利潤率的同步回升，以及公司成功向高價值細分市場完成產品結構轉型。

對此，馬羅特拉明確表示，美光會秉持“嚴謹、理性的紀律”，何時往新建廠房中填裝生產設備，完全取決于對市場最新需求走勢的精準評估，“核心在于要下好‘先手棋’，做好隨時響應市場需求的產能準備?！?/p>

目前，美光正積極與客戶簽訂長期供應協議，以鎖定供應鏈的確定性與可預測性。這既保障了客戶利益，也為美光自身的大規模長期投資注入了信心。

值得一提的是，作為美國唯一的內存制造商，美光在本土供應鏈安全議題上獲得了特朗普政府的高度支持。美國商務部長霍華德·盧特尼克等官員近期多次為美光站臺，政府甚至正推動更積極的“國家工業政策”以催化和激勵本土半導體制造。

IDC預計，存儲供應挑戰可能延續至2027年；Counterpoint也認為，存儲芯片短缺局面預計將持續至2027年下半年。在此背景下，手機價格持續上漲已不可避免。IDC預測，2026年中國手機市場旗艦機漲幅將突破30%；Counterpoint則預計，全球智能手機均價將同比上漲6.9%。

此次漲價潮與傳統存儲周期存在本質差異?！氨据啙q價本質是AI基礎設施需求爆發引發的供給側重構。”NAND閃存控制芯片企業慧榮科技總經理茍嘉章指出。HBM及高階DRAM需求快速增長，正促使存儲廠商將更多產能轉向高毛利產品，而低容量、低利潤的消費級顆粒供應則持續收縮。這表明，存儲價格上漲已從此前由智能手機、PC、傳統服務器等多類需求周期性共振驅動，切換為由AI服務器需求引起的集中爆發。

對于存儲的漲價預期，中信建投電子首席劉雙鋒等發布研報稱，英偉達Rubin進入量產，下一代Feynman進一步推升算力硬件需求，服務器架構從訓練主導轉向訓推兼顧，從GPU主導轉向GPU+LPU架構，并推出存儲機柜、CPU機柜、LPX機柜等，實現系統方案的進一步優化。谷歌/AWS/Meta等廠商的ASIC亦在加速迭代。算力芯片需求持續強勁增長，先進制程、先進存儲、先進封裝、PCB、光通信等仍是硬件需求增量、技術創新最顯著的環節，臺積電、三星、英特爾等開發并擴產2nm先進制程，HBM演進到HBM4并衍生出定制芯片，CoPoS、CoWoP等先進封裝形式涌現，CPU、傳統存儲的供需也逐步緊俏。我們預計2026-2027年HBM、DRAM、NAND甚至小容量存儲均會出現不同程度的供給緊缺，本輪存儲漲價周期將不同于以往，漲價時間和漲價幅度將遠超預期。供需缺口將催化價格大幅度上漲，根據Trendforce預測， DRAM 26Q2 的合約價在26Q1上漲93-96%的基礎上繼續上漲58-63%，NAND 26Q2的合約價在26Q1上漲85-90%的基礎上繼續上漲70-75%。

分析人士表示，全球存儲芯片市場正面臨15年來最嚴重供應短缺，2026年第二季度DRAM和NAND閃存價格預計分別上漲58%-63%、70%-75%，MLCNAND閃存價格同比暴漲300%。高盛研報顯示，AI算力爆發、數據中心擴建及消費電子回暖導致供需缺口持續擴大，2026年DRAM、NAND及HBM供需缺口分別達4.9%、4.2%和5.1%。

根據Trendforce的預測，2026年第二季度整體一般型DRAM合約價格仍將增長。NAND Flash市場持續由AI、數據中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，預計第二季度整體合約價格仍將增長。 本輪存儲漲價由AI算力需求爆發引起，據市場觀點，供需缺口在短期內難以緩解，存儲市場有望持續景氣。