英特爾瞄準未來開發?Z?角度存儲

英特爾宣布正與軟銀子公司 SAIMEMORY 合作，將 Z 角度存儲（ZAM：Z-Angle Memory ）商業化。ZAM 是一種先進的DRAM 類型，采用垂直堆疊內存模塊的方式。雖然 ZAM 芯片預計至少在三年內不會面世，但它們最終可能取代當前由于 AI 繁榮而需求旺盛的高帶寬存儲（HBM）。

內存帶寬目前是 AI 運轉的主要瓶頸，因為需要在內存和 GPU 之間傳輸越來越大的數據塊。像英偉達和 AMD 這樣的芯片制造商在他們的 GPU 芯片上放置數百 GB 的HBM，以幫助緩解這一瓶頸。然而，激增的 HBM 需求導致了全球 NAND 供應短缺，推高了 RAM 模塊和 NVMe 存儲的價格，并導致供應鏈短缺。

ZAM 是一種可能徹底改變 DRAM 規則的新型內存技術。與 HBM 類似，ZAM 存儲技術沿 Z 軸利用垂直堆疊（因此得名 Z 角度）。然而，它承諾以更低的能耗和成本實現 HBM 2-3 倍的容量和更高的帶寬。

英特爾與 SAIMEMORY 的協議要求兩家公司利用英特爾為下一代 DRAM 啟動的鍵合（NGDB）計劃中開發的基礎技術和專業知識。

NGDB 計劃是先進存儲技術（AMT）項目的一部分，該項目由美國能源部（DOE）和國家核安全管理局（NNSA）主導，匯集了英特爾、SK 海力士和軟銀等供應商與 DOE 政府實驗室，共同開發新的存儲技術，包括 ZAM、HBM、計算快速鏈路（CXL）和非易失性存儲（MRAM，如磁阻隨機存取存儲器）。

NGDB 計劃目前處于第三年，合作方包括英特爾和"三實驗室"——即美國桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利弗莫爾國家實驗室和洛斯阿拉莫斯國家實驗室。前兩年專注于研發，第三年將重點轉向產品化。

今年 1 月，桑迪亞實驗室分享了三實驗室在 NGBD 項目中采用"創新堆疊方法"取得的進展。具體而言，實驗室展示了如何使用替代的"通孔合一"構造將八個存儲晶圓垂直鍵合到基礎晶圓上。

"英特爾的下一代 DRAM 鍵合計劃展示了一種創新的存儲架構和革命性的組裝方法，顯著提高了 DRAM 性能，降低了功耗，并優化了存儲成本。"英特爾政府技術首席技術官 Joshua Fryman 在桑迪亞實驗室的進展更新中表示，"標準存儲架構無法滿足 AI 的需求，因此 NGDB 定義了一種全新的方法，加速我們跨越下一個十年。"

桑迪亞實驗室技術首席成員 Gwen Voskuilen 表示，英特爾的突破是"一項激動人心的技術，我們預計這將促進更高帶寬存儲器在當前由于容量和功耗限制而無法利用它的系統中的更廣泛采用。"

"這次演示證明，NGDB 技術可以結合產生高性能存儲器，并實現大規模制造。"他補充說。

據報道，軟銀正投資約 30 億日元（按當前匯率約 1900 萬美元）給 SAIMEMORY，用于與英特爾共同開發 ZAM。SAIMEMORY 據稱預計將在 2027 年創建 ZAM 原型，并在2029 年實現商業化。如果這一時間表順利推進，將對下一代 AI 系統產生巨大推動作用。然而，這還不夠及時，無法緩解當前因 HBM 需求激增而導致的存儲供應鏈緊張，這種緊張局面預計將持續數年。

與此同時，ZAM 計劃進一步強化了美國和日本之間的戰略技術伙伴關系。上周，DOE 副科學部長 Dario Gil 前往日本大阪參加 SCA/HPCAsia 2026 會議，鞏固了阿貢國家實驗室、英偉達、理研和富士通之間擴大的合作伙伴關系。Gil 負責美國創世紀計劃（Genesis Mission），這是通過 AI 加速科學發現和工程進步的項目。

開發像 ZAM 這樣的新型存儲技術以替代或增強現有的 HBM，與 Genesis Mission 的目標高度一致。