新 聞1： 2026年全球筆電出貨量或進(jìn)一步下調(diào)：預(yù)計(jì)跌幅接近15%，蘋果逆勢年增7.7%

此前有報(bào)道稱，2026年第一季度存儲(chǔ)器價(jià)格急劇上漲，可能會(huì)迎來超過60%的漲幅，而且今年剩余季度仍將面臨價(jià)格繼續(xù)上漲的壓力，不過后續(xù)漲幅應(yīng)該會(huì)相對溫和。這對PC廠商造成了非常大的財(cái)務(wù)壓力，只能選擇減少促銷、提高產(chǎn)品售價(jià)、調(diào)整配置等方式應(yīng)對，預(yù)計(jì)今年筆記本出貨量可能下降12%。

TrendForce發(fā)布了最新研究報(bào)告，顯示近期全球筆記本電腦出貨量有進(jìn)一步轉(zhuǎn)弱的跡象，預(yù)期終端消費(fèi)動(dòng)能趨緩、供應(yīng)鏈成本持續(xù)墊高的雙重影響下，今年筆記本出貨量可能有更大降幅，達(dá)到14.8%，產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入更深層次的調(diào)整階段。

從需求面來看，消費(fèi)性市場復(fù)蘇動(dòng)能不如預(yù)期。需求疲弱除了受總體環(huán)境不佳，價(jià)格因素也削弱了購買意愿。未來幾個(gè)季度里，可能會(huì)出現(xiàn)第二次、甚至多次漲價(jià)，在售價(jià)上行趨勢延續(xù)下，消費(fèi)者購買決策轉(zhuǎn)趨保守，觀望情緒升溫，將進(jìn)一步壓抑實(shí)際出貨動(dòng)能。

2026年全球筆電市場面臨結(jié)構(gòu)性壓力，品牌間的分化將更加明顯。頭部前幾名廠商憑借規(guī)模優(yōu)勢與長期供應(yīng)鏈合作關(guān)系，仍可在資源取得與成本控管上維持相對穩(wěn)定。中小型品牌面臨的壓力顯著升高，不僅采購成本缺乏議價(jià)空間，更容易受到缺料與交期波動(dòng)影響，沖擊出貨表現(xiàn)。

最近蘋果推出了新款低價(jià)機(jī)型MacBook Neo，規(guī)格高度標(biāo)準(zhǔn)化、開案數(shù)量精簡、存儲(chǔ)器容量與模組配置集中，有利于放大采購量體與長約議價(jià)，加上主動(dòng)出擊的向下延伸定價(jià)策略及對供應(yīng)鏈的高度掌控，預(yù)計(jì)帶動(dòng)蘋果筆記本電腦逆勢增長，增幅達(dá)7.7%。

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2026 年筆電市場算是徹底拉胯了，出貨量直接快跌 15%，整個(gè)行業(yè)都在往下滑。主要就是存儲(chǔ)芯片瘋漲，還得接著漲，廠商扛不住成本就只能漲價(jià)減配，消費(fèi)者一看更不想買了，越觀望越?jīng)?。中小品牌最慘，沒議價(jià)權(quán)還總?cè)绷?，日子根本沒法過。也就蘋果靠著新款 MacBook Neo 往下打市場，而且因?yàn)槠渌P記本利潤夠高，也用不著漲價(jià)，銷量直接逆勢漲 7.7%。Win 本這邊一堆品牌跟著大盤一起跌，完全擋不住，整個(gè)市場分化越來越嚴(yán)重，接下來只會(huì)更卷。

新 聞 2： 三星西安工廠已完成第一階段生產(chǎn)線升級(jí)，推進(jìn)至236層第8代V-NAND閃存

此前有報(bào)道稱，去年三星向其位于西安的NAND閃存工廠投資了4654億韓元，相比于2024年的2778億韓元大幅增加，同比增長了67.5%。這是一個(gè)明顯的轉(zhuǎn)變信號(hào)，要知道三星在2020年至2023年之間，基本沒有在這里進(jìn)行重大投資。三星計(jì)劃升級(jí)西安工廠的生產(chǎn)線，從128層第6代V-NAND閃存升到236層第8代V-NAND閃存，目標(biāo)今年再提升至400層第10代V-NAND閃存。

據(jù)TrendForce報(bào)道，三星已經(jīng)完成了西安NAND閃存工廠第一階段的生產(chǎn)線升級(jí)，將逐步淘汰128層第6代V-NAND閃存，同時(shí)加快236層第8代V-NAND閃存的量產(chǎn)工作。三星并不打算放慢升級(jí)的腳步，第二階段的生產(chǎn)線升級(jí)很快便會(huì)到來，將升級(jí)至286層第9代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成，與去年初傳出的消息相符。

舊產(chǎn)品需求減弱是主要的驅(qū)動(dòng)因素，競爭對手憑借尖端產(chǎn)品快速發(fā)展，進(jìn)一步加速了三星的轉(zhuǎn)型進(jìn)程。比如長江存儲(chǔ)（YMTC），去年已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，無論密度還是總層數(shù)，都已提高到目前業(yè)界的最高水平。

就如之前的報(bào)道所言，三星除了第二階段的生產(chǎn)線升級(jí)，同時(shí)還會(huì)為400層第10代V-NAND閃存的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備工作。

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三星西安廠總算把 128 層老閃存淘汰，升級(jí)到 236 層 V8 了，還砸了大筆錢擴(kuò)產(chǎn)，明顯是被市場逼得急了。老款沒人要，對手又追得緊，尤其是長江存儲(chǔ)直接干到 294 層，密度和層數(shù)都頂?shù)綐I(yè)界天花板，三星再不提速就要被甩開咯

新 聞3： 三星目標(biāo)2030年量產(chǎn)1nm工藝，，將引入“Forksheet”晶體管結(jié)構(gòu)

進(jìn)入2026年后，三星晶圓代工業(yè)務(wù)似乎迎來了轉(zhuǎn)折點(diǎn)，最近2nm制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和客戶訂單談判進(jìn)展似乎都非常順利。最近有消息稱，2nm GAA工藝?yán)^續(xù)取得進(jìn)展，現(xiàn)在的良品率已提升至60%，距離70%的目標(biāo)又近了一步。

據(jù)TrendForce報(bào)道，三星正在加大對先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的投入，目標(biāo)2030年之前完成1nm制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)工作，2030年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，搶占下一代制程技術(shù)代工市場的主導(dǎo)權(quán)。與此同時(shí)，三星還計(jì)劃深耕2nm制程節(jié)點(diǎn)，擴(kuò)展不同細(xì)分工藝的陣容，以進(jìn)一步爭取主要客戶。

在1nm制程節(jié)點(diǎn)上，三星預(yù)計(jì)將采用新的晶體管架構(gòu)，引入“Forksheet”叉片晶體管結(jié)構(gòu)。三星從3nm制程節(jié)點(diǎn)引入的GAA（Gate-All-Around）晶體管結(jié)構(gòu)，將電流路徑從原有的三個(gè)面擴(kuò)展到四個(gè)面，最大限度地提高了功耗效率，而Forksheet則是在這基礎(chǔ)上的演進(jìn)，利用叉形片層技術(shù)在晶體管之間加入絕緣墻，從而縮小了晶體管之間的間距。通過消除未使用的空間，同一芯片面積下可以容納更多晶體管。

去年三星在韓國首爾舉行的SAFE 2025活動(dòng)上，展示了第三代2nm工藝，稱為“SF2P+”。另外三星針對特斯拉的AI6芯片，正在開發(fā)一種定制化工藝，稱為“SF2T”。三星計(jì)劃今年開始部署第三代2nm工藝，也就是SF2P，明年再上線SF2P+。

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三星這餅畫得也太急了吧，2nm 良率才剛到 60% 就敢喊 2030 年量產(chǎn) 1nm，還整什么 Forksheet 新結(jié)構(gòu)，擺明了是被臺(tái)積電逼得慌了神。又是補(bǔ) 2nm 工藝，又是搶特斯拉訂單，生怕高端代工份額被吞完。但先進(jìn)制程不是光吹牛就行，眾所周知， 三星代工的漏電率，紙面吹得狠，實(shí)際拉胯得一批。

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