前言

在充電頭網(wǎng)舉辦的 2026（春季）亞洲充電大會上，無錫硅動(dòng)力微電子帶來了《創(chuàng)新高效，硅動(dòng)力微電子新一代AC/DC快充方案介紹》主題演講。

硅動(dòng)力圍繞快充 AC/DC 產(chǎn)品布局、集成 SiC 芯片方案、數(shù)模混合控制平臺，以及 AVS/DPS 40W 方案等內(nèi)容展開，重點(diǎn)討論了快充電源設(shè)計(jì)中效率、體積、EMI、溫升與量產(chǎn)成本之間的平衡問題。

硅動(dòng)力這次分享的核心并不只是推出幾顆新器件，而是試圖回答一個(gè)更現(xiàn)實(shí)的問題：在快充適配器持續(xù)向高功率密度、小型化和高效率演進(jìn)的背景下，AC/DC 方案該如何做得更穩(wěn)、更小，也更容易量產(chǎn)。

快充 AC/DC 產(chǎn)品布局更加完整

當(dāng)前硅動(dòng)力AC-DC產(chǎn)品矩陣方案已經(jīng)覆蓋高頻集成 GaN、高頻集成 SiC，以及 Cap-Less 數(shù)模系列等多條路線，功率范圍從 20W 級一直延伸到 150W 以下。

其中，高頻集成 GaN 方案覆蓋 27W-100W，集成 SiC 方案覆蓋 24W-100W，數(shù)模平臺則主打 45W-150W 功率范圍應(yīng)用，同時(shí)還針對 20W-35W 功率段推出了無屏蔽繞組的特色方案。

這意味著硅動(dòng)力并不是以單一器件路線去做市場覆蓋，而是在不同功率段、不同性能需求和不同成本帶之間做平臺化布局。對于適配器廠商來說，這類產(chǎn)品規(guī)劃的價(jià)值在于，它不只是提供一顆芯片，而是提供一套更容易按功率、體積和市場定位來做選擇的方案庫。

SiC 不只是“新器件”，更是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新選擇

SiC 相比 GaN 的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在更高耐壓、更小的導(dǎo)通電阻溫漂、更好的導(dǎo)熱能力，以及具備雪崩能力、沒有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的問題；而不足則在于驅(qū)動(dòng)電壓更高、開關(guān)速度略慢，同時(shí)在散熱布局和 EMI 處理上也需要更多設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。

基于這些特性，硅動(dòng)力給出的判斷比較明確：如果應(yīng)用工作頻率較高、對輕載效率要求極致，GaN 依舊更有優(yōu)勢；但如果系統(tǒng)面臨高溫、散熱困難、滿載效率要求高，或者整機(jī)噪聲干擾較大，那么 SiC 會是更穩(wěn)妥的路線。

這個(gè)觀點(diǎn)本身就很有現(xiàn)實(shí)意義，因?yàn)樗皇呛唵伪容^兩種材料誰更先進(jìn)，而是把器件選擇重新拉回到應(yīng)用場景本身。

SP947X 系列瞄準(zhǔn) 30W-100W 快充適配器

圍繞 SiC 路線，SP947X 系列采用高頻準(zhǔn)諧振谷底鎖定工作模式，并配合高壓限頻設(shè)計(jì)，目標(biāo)是同時(shí)兼顧效率和 EMI；同時(shí)加入初級限流環(huán)，以便更容易滿足安規(guī) LPS 要求；在驅(qū)動(dòng)部分則內(nèi)置 18V 驅(qū)動(dòng)與自適應(yīng)調(diào)整技術(shù)，用于進(jìn)一步降低溫升、提升整體效率。

SP947X 并不是簡單把 SiC 功率器件塞進(jìn)快充方案里，而是做成了一套更面向適配器應(yīng)用的集成方案。其封裝也根據(jù)功率段做了區(qū)分，30W-65W 主要面向 ESOP6，65W-100W 則對應(yīng) ESOP10W，保護(hù)功能也覆蓋輸入欠壓過壓、輸出過壓過載短路、過溫以及引腳異常等多個(gè)維度。對于需要兼顧性能和量產(chǎn)可靠性的快充產(chǎn)品來說，這種完整度顯然更有吸引力。

65W Demo 展示了集成 SiC 的實(shí)際落地能力

從實(shí)際 65W PD Demo 來看，這套基于 SP9477W 的方案在平均效率、滿載效率以及高溫環(huán)境下的溫升表現(xiàn)上，都已經(jīng)接近當(dāng)前主流高性能快充方案的要求。

這套方案在密閉空間和較高環(huán)境溫度下運(yùn)行時(shí)，芯片溫升依然控制在較理想范圍內(nèi)，同時(shí) EMI 余量表現(xiàn)也較為充足。

這非常關(guān)鍵。因?yàn)閷m配器行業(yè)而言，單純做到高效率并不算難，真正難的是在高溫、緊湊空間、EMI 約束和量產(chǎn)工藝限制下，把效率、熱和EMI一起平衡好。

數(shù)模混合平臺，瞄準(zhǔn)的是“小型化”與“高性能”的雙重平衡

除了集成 SiC 方案，硅動(dòng)力重點(diǎn)介紹了數(shù)模混合控制平臺 SP9800、SP8801 等方案，核心方向是 Cap-Less 小型化設(shè)計(jì)。簡單來說，就是通過數(shù)模混合控制與更細(xì)致的參數(shù)管理，盡可能減少對大體積輸入電容的依賴，從而進(jìn)一步壓縮適配器體積。

以 65W 方案為例，基于該平臺打造的方案尺寸約為 32×33mm，功率密度約 2.4W/cc，輸入電容僅需 72μF，較常規(guī)方案可明顯縮減電容體積。

在這樣的前提下，方案在 90V 滿載時(shí)仍可實(shí)現(xiàn) 92.6% 效率，高壓下可達(dá) 94.6%，同時(shí)在未做復(fù)雜散熱處理的情況下，溫升也依舊保持在可控區(qū)間。更重要的是，傳導(dǎo)和輻射 EMI 均留有較大余量。

這說明數(shù)模平臺的價(jià)值，不只是把電容做小，而是借助控制策略重構(gòu)整機(jī)設(shè)計(jì)，讓適配器在小型化條件下，仍然維持較高效率和較好的 EMI 表現(xiàn)。這對當(dāng)前追求更小體積、更高功率密度的快充市場來說，顯然具有很強(qiáng)的現(xiàn)實(shí)意義。

100W 單級方案強(qiáng)調(diào)的是工程可實(shí)現(xiàn)性

硅動(dòng)力還展示了基于 SP8801 的 100W 單級方案。該方案可滿足 Class A 的 THD 要求，同時(shí)在 EMI 設(shè)計(jì)上盡量做簡化，通過較少的濾波器件實(shí)現(xiàn)整機(jī)達(dá)標(biāo)，目前也已經(jīng)進(jìn)入客戶量產(chǎn)階段。

這一部分釋放出的信號其實(shí)很明確：對于 100W 這一級別的適配器市場，行業(yè)競爭已經(jīng)不只是比拼“能不能做出來”，而是比拼“能否在滿足法規(guī)要求的同時(shí)，把方案做得足夠簡潔、足夠經(jīng)濟(jì)，并真正適合量產(chǎn)”。

AVS/DPS 40W 方案則瞄準(zhǔn)新一代快充輸出需求

硅動(dòng)力還帶來了 AVS/DPS 40W 方案介紹。這部分方案覆蓋了 AVS 與 DPS 場景，其中 SP45PD-AVS 采用集成 SiC 架構(gòu)，支持 40W 輸出，峰值可達(dá) 60W。

隨著終端設(shè)備對電壓電流調(diào)節(jié)精度、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和輸出靈活性的要求提升，未來快充 AC/DC 方案很可能不再只是圍繞固定 PDO 展開，而是會更多向 AVS、DPS 這樣的新型輸出模式延伸。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

硅動(dòng)力從快充 AC/DC 方案演進(jìn)的角度，系統(tǒng)展示了其對未來適配器市場的判斷：一方面，GaN 與 SiC 將長期并行，不同應(yīng)用場景需要不同器件路線；另一方面，真正決定方案競爭力的，仍然是系統(tǒng)級優(yōu)化能力，也就是如何把效率、體積、EMI、溫升與量產(chǎn)成本同時(shí)兼顧。

從集成 SiC 到 Cap-Less 數(shù)模平臺，再到 AVS/DPS 新型方案布局，硅動(dòng)力此次帶來的不是某一顆芯片的升級，而是一整套面向新一代快充適配器的設(shè)計(jì)思路。對于當(dāng)下正持續(xù)向高功率密度、小型化和高可靠演進(jìn)的快充市場來說，這樣的方案方向無疑更值得關(guān)注。