韓國半導體，猛攻日本腹地

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眾所周知，日本在半導體上游材料與設備領域長期握有絕對的話語權。然而，隨著 AI 浪潮進入全速爆發期，韓國半導體勢力正憑借其激進的資本意志與“全產業鏈垂直整合”優勢，發起一場蓄謀已久的突圍戰：從三星電機與 LG 巨資豪賭 FC-BGA，到 MLCC 市場的步步緊逼，再到光刻膠與核心設備領域的硬核破局。韓國正精準切入日本廠商的傳統腹地，那些曾被視為日企堅實“自留地”的領域，正被韓國撕開一道道深層的口子。

FC-BGA：韓國打響“封裝反攻戰”

根據彭博社4月14日的消息，三星電機擬向其越南制造子公司投資12億美元（約1.8萬億韓元），用于擴建高附加值封裝基板——FC-BGA（倒裝芯片球柵格陣列）的產能。自2024年起，三星電機已在越南工廠啟動FC-BGA量產，并逐步將其定位為AI與數據中心業務的關鍵增長引擎。

在半導體江湖的傳統認知中，基板曾長期被稱為芯片的“支架”或“底座”，屬于技術含量遠遜于核心邏輯芯片的輔助部件。然而，2026年AI浪潮的爆發徹底重構了這一價值鏈。隨著GPU、AI ASIC等大芯片的尺寸不斷擴大、I/O密度持續攀升、信號速率邁向112G/224G甚至更高水平，基板不再只是“承載”，而成為連接芯片與系統之間的高速互連核心與電氣性能邊界。

具體來看，FC-BGA在AI系統中的關鍵作用體現在三個層面：其一，是支撐大規模I/O互連能力，單顆AI芯片往往需要數千乃至上萬引腳，對應基板需要具備更高層數（通常20層以上）、更細線寬/線距（逼近類IC級工藝）；其二，是保障高速信號完整性，在高頻傳輸場景下，基板材料（尤其是ABF樹脂）、層間結構與布線設計直接影響損耗、串擾與延遲；其三，是參與熱管理與功耗控制，高功耗AI芯片（單顆可達700W甚至更高）對基板的熱擴散與機械穩定性提出更高要求。因此，FC-BGA的技術難度，本質上已經逼近“準芯片制造”。

正是在這一背景下，FC-BGA市場在近兩年出現結構性緊張。高端ABF基板尤其是用于CPU/GPU的供給長期緊缺，而中低端BT基板則相對飽和。根據富士嵌合體綜合研究所的數據，全球FC-BGA市場規模將從2022年的約80億美元增長至2030年的164億美元，實現翻倍增長，而AI服務器與HPC成為最主要的需求驅動力。

供需錯配的直接體現，是產能長期處于高負荷狀態。三星電機方面披露，其面向服務器和數據中心的FC-BGA產線幾乎滿載運行，即便持續追加投資，仍難以滿足需求。公司總裁張德鉉在2026年3月的股東大會上直言：“需求超過產能50%以上”，這一表述從側面反映出AI時代封裝基板的真實緊缺程度。類似情況也出現在日本與中國臺灣廠商中——包括Ibiden、Shinko、Unimicron（欣興）、Nan Ya PCB（南亞電路板）等主力供應商，其高端產能基本被英偉達、AMD、英特爾等客戶長期鎖定。

據韓媒報道，三星電機已獲得英偉達AI推理專用芯片Groq3 語言處理單元（LPU）中使用的FC-BGA的一級供應商（主要供應商）地位，預計最早將于今年第二季度開始量產。

除了三星，LG Innotek早在2022年宣布進軍高附加值半導體基板FC-BGA業務，通過收購LG電子的龜尾第四工廠，LG打造了代號為“Dream Factory”的高端基板制造基地。2024年2月，LG的FC-BGA已正式進入批量生產階段，重點針對自動駕駛、高性能計算（HPC）等日本廠商的傳統領地發起沖擊。

過去幾十年，封裝基板的天下一直由日本廠商占據——揖斐電（Ibiden）、新光電氣（Shinko）以及京瓷（Kyocera）三巨頭掌握著全球超過60%的市場。日本廠商的優勢在于材料學的深厚底蘊，以及與Intel、AMD等美系芯片大廠數十年的信任背書。然而，當前的局勢正在發生顯著變化：面對AI浪潮，韓國廠商在資本開支（CAPEX）上的決斷力遠超相對穩健的日本公司。而且韓國擁有SK海力士（HBM霸主）和三星電子（存儲+代工）兩座大山，基板廠商能夠與芯片設計、制造部門實時聯動，從而在AI芯片迭代周期中占據先機。

MLCC：一場已經打贏的仗

而MLCC，是韓國已經打過的一場仗。

長期以來，這一領域幾乎被日本企業所壟斷。以村田制作所為代表，日本廠商不僅在市場份額上占據主導，更在材料體系（高純陶瓷粉體）、電極配方、疊層與燒結工藝等核心環節建立了深厚壁壘，使得MLCC成為典型的“看似簡單、實則極難”的產業。

但這一格局，在過去十年中逐步被打破。三星電機通過持續加碼研發與產線升級，已成長為全球第二大MLCC廠商，并在多個細分領域實現突破：在中端消費電子市場，已完成對日本廠商的替代；在高端領域，則持續向車規級與高容值方向推進。例如，其已推出可在180°C以上高溫環境下穩定運行的車用MLCC，同時針對AI服務器與加速器開發出具備更高電容密度、更低ESR（等效串聯電阻）與更小尺寸的產品，以適配高頻、高電流與瞬態負載變化劇烈的場景。

這一轉變的背后，是需求側結構的深刻變化。隨著新能源汽車與自動駕駛系統的快速普及，單車MLCC用量已從傳統燃油車的幾千顆提升至上萬顆甚至更多，而在AI服務器與數據中心中，高性能處理器與電源管理模塊對MLCC的需求也呈現指數級增長，尤其是在電源去耦與高頻濾波環節，對高容值、小尺寸產品的依賴顯著增強。這種“高端需求爆發+總量增長”的雙重驅動，使得MLCC市場從一個穩定成熟的賽道，轉變為持續擴張且結構升級的關鍵環節。

韓國廠商能夠實現追趕甚至局部超越，一個關鍵因素在于其將存儲芯片領域積累的微細加工能力遷移至MLCC制造之中。無論是納米級材料控制、薄層沉積、精密對位，還是大規模量產過程中的良率管理，這些能力與DRAM/NAND的制造邏輯高度相似，使得三星電機在工藝迭代速度與規模化能力上具備天然優勢。同時，其與三星電子在終端與系統層面的協同，也為產品驗證與快速導入提供了閉環支撐。

從產業競爭格局來看，MLCC的變化具有典型的“先易后難”特征——韓國廠商先在中低端市場完成替代，通過規模與成本建立優勢，再逐步向高端車規與AI場景滲透，縮小與日本廠商在材料與可靠性上的差距。盡管在極高端產品（如超高可靠性車規與特定工業級應用）上，日本廠商仍具備領先優勢，但整體市場結構已經發生根本性變化：從“日本主導”，轉向“日本+韓國雙強競爭”。

光刻膠與設備：攻入日本的腹地”

基板和MLCC是韓國與日本在零部件層面的競爭，但是在光刻膠（PR）和核心設備領域的發力，則是韓國針對 2019 年日韓貿易摩擦的一次長達數年的“反擊戰”成果展示。

2019年的日韓貿易摩擦，當時，日本對韓國實施關鍵半導體材料出口管制，其中就包括EUV光刻膠、高純氟化氫以及氟化聚酰亞胺，被業界稱為“卡住韓國半導體命脈的三件套”。這一事件直接觸發了韓國對于供應鏈安全的系統性反思，也推動其從全球制造中心向關鍵材料與設備自給體系轉型。

在光刻膠領域，日本長期占據絕對主導地位。無論是ArF、KrF還是EUV光刻膠，其核心配方、分子設計與工藝適配能力，幾乎全部掌握在日本廠商手中，JSR、東京應化（TOK）、信越化學構成了難以撼動的“三強格局”，其中EUV光刻膠更一度超過90%依賴日本供應。這種高度集中，使得光刻膠不僅是一種材料，更是一種“工藝控制權”。

如今，韓國 Dongjin Semichem（東進世美肯） 與三星半導體深度協同驗證，從最初的ArF光刻膠切入，逐步向更高分辨率與更復雜工藝推進，并已在部分EUV光刻膠環節實現量產驗證。需要強調的是，光刻膠的突破并非單點技術攻關，而是“材料—曝光—顯影—刻蝕”全流程的系統匹配，這意味著只有與晶圓廠深度綁定，才能真正完成驗證與迭代。在這一點上，三星的存在，為韓國材料廠商提供了極為關鍵的“內生試驗場”。

與此同時，SK集團通過SK Materials持續擴展其在半導體特種氣體與光刻輔助材料領域的布局，從高純前驅體到刻蝕氣體，再到清洗與輔助材料，逐步構建起一個相對完整的本土供應體系。

在晶圓制造設備領域，長期以來，日本在非EUV設備領域擁有極強優勢，東京電子（TEL）、SCREEN、日立高新等企業在涂膠顯影、清洗、刻蝕與檢測等關鍵環節占據主導地位，構成了先進制程不可或缺的“設備骨架”。

韓國廠商在設備領域的策略是從細分賽道切入，逐步向核心環節滲透。

在前道設備領域，SEMES（三星控股）與Jusung Engineering已經在清洗、ALD（原子層沉積）等關鍵工藝設備上取得突破，部分產品在先進節點中實現導入，其競爭力不僅體現在性能指標上，更體現在與三星產線的高度協同與快速迭代能力上。

而在后道封裝設備領域，韓國則在AI時代抓住了新的機會窗口。隨著HBM與先進封裝需求的爆發，熱壓縮鍵合（TC Bonding）成為關鍵工藝之一。Hanmi Semiconductor在這一領域快速崛起，其TC Bonder設備已被SK海力士與美光等主流存儲廠商采用，成為HBM堆疊中的核心設備之一。在這一細分賽道上，韓國廠商甚至實現了對日本與部分歐美廠商的反超。

雖然日本依然強大——它仍然定義著材料科學的上限、精密制造的極致，以及高端設備的工藝標準；但在大規模投資的速度和系統級集成能力上，韓國廠商表現出了更強的侵略性。日本構建的材料和設備“帝國”，正在被撬動。而AI，正是這場遷移的最大催化劑。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯系半導體行業觀察。

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