作者：張桐 來源：日本華僑報

近年來，半導體已成為決定國家競爭力的核心戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)。在全球圍繞芯片制造與供應鏈展開激烈博弈的背景下，一項來自日本國立研究開發(fā)法人物質(zhì)材料研究機構(gòu)（NIMS）的基礎材料突破，正為下一代半導體技術開辟全新路徑。

2026年5月8日，日立財團在其官方主頁發(fā)布倉田獎勵金獲獎者代表訪談內(nèi)容。在本次財團特邀的獲獎者訪談中，NIMS主任研究員達博博士是唯一的外籍研究者。其在半導體電子束設備領域的突破性成果，也獲得日立財團重點宣傳推介。

倉田獎勵金由日立財團設立，始于1967年，是日本極具影響力的科研榮譽，旨在表彰具備解決全球社會課題潛力的骨干研究者。獎項底蘊深厚、歷年英才輩出，目前獲官方邀請參與視頻訪談的僅有8位。

在接受視頻專訪時，達博博士表示，“榮獲倉田獎勵金這份榮譽，對我而言，是科研生涯中至關重要的轉(zhuǎn)折點。此前，我一直深耕前沿設備核心材料領域研究，但想要將學術成果真正落地轉(zhuǎn)化、服務產(chǎn)業(yè)發(fā)展，卻并非易事。倉田獎勵金所賦予的學術認可與榮譽加持，讓我更加堅定把研究方向聚焦于產(chǎn)業(yè)實際需求的應用型探索。憑借這份榮譽帶來的行業(yè)影響力，我的研究受到產(chǎn)業(yè)界廣泛關注，也順利推動了與產(chǎn)業(yè)界的深度合作。如今，我的相關研究成果已正式應用于美國頂尖半導體設備龍頭企業(yè)的實際業(yè)務當中。因此對我來說，倉田獎勵金不只是一份沉甸甸的學術榮譽，更為我搭建了學術與產(chǎn)業(yè)對接的橋梁，讓科研成果走進產(chǎn)業(yè)一線、彰顯社會價值，是助力科研回饋社會的寶貴契機。”

事實上，早在2025年日本科學技術周（4月14日—20日）期間，日立財團就已將達博博士的研究成果列為官方渠道對外展示并推薦的唯一成果，并委托《神奈川經(jīng)濟新聞》對其進行專題深度報道。

達博博士畢業(yè)于中國科學技術大學，2013年加入NIMS，2019年升任主任研究員，長期擔任泛林集團（Lam Research）—NIMS聯(lián)合研究項目負責人。除日立財團倉田獎勵金外，曾獲Lam Research戰(zhàn)略捐贈、NIMS最高榮譽“理事長賞”，并得到花王、住友、池谷等多家日本財團的嘉獎與支持。日本電子束設備領域權威、前日本學術振興會141分會委員長、大阪大學名譽教授、電子束行業(yè)泰斗志水隆一先生，更將其視為自身學術體系的接班人。

出自《神奈川經(jīng)濟新聞》

當前，半導體芯片制造中用于繪制微細電路圖案的電子束設備，主要依賴多組大型電磁透鏡調(diào)控電子束。但隨著芯片制程不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)電磁透鏡體系正面臨體積龐大與效率瓶頸等問題。

達博博士提出了一條顛覆性的全新技術路線——利用圓柱對稱旋轉(zhuǎn)晶體的特殊電子作用特性，開創(chuàng)“電子衍射光學”這一全新研究方向，嘗試通過材料本身直接實現(xiàn)電子束精密控制，讓晶體材料替代傳統(tǒng)復雜電磁透鏡系統(tǒng)。這一創(chuàng)舉，標志著半導體設備的進化路徑，正從過去依賴復雜機械結(jié)構(gòu)與電磁系統(tǒng)，轉(zhuǎn)向由新材料本身承擔核心功能的新階段。

相比傳統(tǒng)技術，該研究成果具有多項顛覆性優(yōu)勢。首先，設備結(jié)構(gòu)將大幅小型化。由于不再依賴龐大的電磁透鏡系統(tǒng)，未來電子束設備有望擺脫如今的巨大體積。

其次，設備效率也將實現(xiàn)跨越式提升。該技術被業(yè)界公認為并行電子束光刻（MEBL）實現(xiàn)效率突破的關鍵。長期以來，MEBL被視為后極紫外光刻機（EUV）時代的重要技術方向，但傳統(tǒng)微孔陣列方案存在電子損耗大、效率低等短板，始終難以撼動EUV的主導地位。而基于電子衍射光學的全新體系，有望從根本上破解這一瓶頸。日立財團官方媒體甚至展望，未來此項新技術性能有望超越荷蘭ASML當前全球領先的EUV光刻設備，支撐制備更高效、更精細的芯片制程線路。

根據(jù)2026年5月8日日立財團發(fā)布的訪談內(nèi)容，達博博士已有相關研究成果正式落地美國頂級半導體設備企業(yè)，投入實際商用。目前尚無法確認，此番實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應用的，是否就是本次專訪所披露的這項突破性成果。即便如此，這一進展仍讓業(yè)界對其未來技術前景滿懷期待。

在不斷逼近物理極限的半導體時代，達博博士正以材料創(chuàng)新，為全球芯片制造打開新的想象空間。