來(lái)源：市場(chǎng)資訊

（來(lái)源：半導(dǎo)體前沿）

國(guó)家安全部近日發(fā)布安全提示文章，近年來(lái)，境外間諜情報(bào)機(jī)關(guān)手段翻新、攻勢(shì)凌厲，滲透策反變本加厲，竊密活動(dòng)愈演愈烈。從國(guó)家安全機(jī)關(guān)破獲的案件看，個(gè)別涉密單位和人員思想麻痹、責(zé)任落實(shí)不到位，導(dǎo)致制度空轉(zhuǎn)、監(jiān)管缺位，令人警醒。安全無(wú)小事，失之毫厘，謬以千里；責(zé)任重如山，一著不慎，滿盤(pán)皆輸。唯有以制度織網(wǎng)、以思想鑄魂、以科技強(qiáng)盾，方能構(gòu)筑堅(jiān)不可摧的國(guó)家安全防線，守護(hù)國(guó)家利益于風(fēng)浪之中。

——竊密目標(biāo)更加關(guān)鍵要害。境外間諜情報(bào)機(jī)關(guān)將我黨政軍核心要害部位及人員作為滲透竊密重點(diǎn)目標(biāo)，采取技術(shù)竊聽(tīng)、人員策反等方式，刺探、竊取我國(guó)家秘密，攻擊強(qiáng)度不斷增加、對(duì)抗烈度持續(xù)提升，對(duì)此我們必須有清醒的認(rèn)識(shí)。

——竊密技術(shù)更加先進(jìn)隱蔽。境外間諜情報(bào)機(jī)關(guān)投入巨額資金、海量資源，將最新科技成果用于對(duì)華滲透竊密，技術(shù)十分先進(jìn)、偽裝更為隱秘、方式更加多元，對(duì)我反竊密防泄密工作提出了更高要求，對(duì)此我們必須有準(zhǔn)確的認(rèn)識(shí)。

——竊密領(lǐng)域更加復(fù)雜多樣。境外間諜情報(bào)機(jī)關(guān)為取得對(duì)華競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，對(duì)我稀土、光伏、半導(dǎo)體、高端芯片、人工智能等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域?qū)嵤╅g諜竊密，千方百計(jì)竊取我核心技術(shù)和敏感數(shù)據(jù)，企圖掌握我戰(zhàn)略底牌，對(duì)此我們必須有全新的認(rèn)識(shí)。

——竊密渠道更加無(wú)孔不入。境外間諜情報(bào)機(jī)關(guān)通過(guò)公開(kāi)抓取、網(wǎng)絡(luò)釣魚(yú)、暗網(wǎng)收買(mǎi)等手段，大肆搜集網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)暴露的我重點(diǎn)領(lǐng)域敏感信息，實(shí)現(xiàn)情報(bào)分析、精準(zhǔn)滲透和定向攻擊，竊密效率大幅提高，風(fēng)險(xiǎn)成本顯著降低，對(duì)此我們必須有深刻的認(rèn)識(shí)。

國(guó)安部發(fā)文表示，我們應(yīng)該固本培元，筑安全防火墻。責(zé)任如磐，重?fù)?dān)在肩步步穩(wěn)；警覺(jué)如炬，信念在胸時(shí)時(shí)明；科技鑄盾，鐵網(wǎng)密織處處牢；行為立規(guī)，底線堅(jiān)守事事清。

2026年一季度我國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)快速增長(zhǎng)

據(jù)工信局?jǐn)?shù)據(jù)表示，2026年一季度，我國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)快速增長(zhǎng)，出口持續(xù)回升，效益大幅提升，投資增速加快，行業(yè)整體發(fā)展態(tài)勢(shì)良好。

一季度，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)13.6%，增速分別比同期工業(yè)、高技術(shù)制造業(yè)高7.5個(gè)和1.1個(gè)百分點(diǎn)。3月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)12.5%。主要產(chǎn)品中，手機(jī)產(chǎn)量3.45億臺(tái)，同比增長(zhǎng)0.6%，其中智能手機(jī)產(chǎn)量2.98億臺(tái)，同比增長(zhǎng)6.9%；微型計(jì)算機(jī)設(shè)備產(chǎn)量7202萬(wàn)臺(tái)，同比下降8.4%；集成電路產(chǎn)量1272億塊，同比增長(zhǎng)24.3%。

一季度，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)累計(jì)實(shí)現(xiàn)出口交貨值同比增長(zhǎng)4.2%，較1—2月提高3個(gè)百分點(diǎn)。3月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)出口交貨值同比增長(zhǎng)9.3%。據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)，一季度，我國(guó)出口筆記本電腦2940萬(wàn)臺(tái)，同比下降11.8%；出口手機(jī)1.65億臺(tái)，同比下降1.5%；出口集成電路850億個(gè)，同比增長(zhǎng)13.4%。

一季度，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4.31萬(wàn)億元，同比增長(zhǎng)14.8%；營(yíng)業(yè)成本3.69萬(wàn)億元，同比增長(zhǎng)11.7%；實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額2170億元，同比增長(zhǎng)1.25倍。3月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)營(yíng)業(yè)收入1.68萬(wàn)億元，同比增長(zhǎng)15.7%。

一季度，電子信息制造業(yè)固定資產(chǎn)投資同比增長(zhǎng)5.4%，較1—2月提高4.2個(gè)百分點(diǎn)，比同期工業(yè)投資增速低0.4個(gè)百分點(diǎn)。

一季度，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)東部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30028億元，同比增長(zhǎng)11.6%，較1—2月回落0.7個(gè)百分點(diǎn)；中部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入8201億元，同比增長(zhǎng)32.8%，較1—2月提高4.4個(gè)百分點(diǎn)；西部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入4664億元，同比增長(zhǎng)9.3%，較1—2月提高2.7個(gè)百分點(diǎn)；東北地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入204.8億元，同比下降1.9%，較1—2月提高1.2個(gè)百分點(diǎn)。3月份，東部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入11576億元，同比增長(zhǎng)10.6%；中部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3273億元，同比增長(zhǎng)40.2%；西部地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1858億元，同比增長(zhǎng)13.7%；東北地區(qū)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入77億元，同比持平。

來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

—論壇信息—

名稱：2026CMP與先進(jìn)封裝材料論壇

時(shí)間：2026年7月29-30日

地點(diǎn)：蘇州

主辦方：亞化咨詢

—會(huì)議背景—

在半導(dǎo)體制造中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化、支撐先進(jìn)制程持續(xù)演進(jìn)的關(guān)鍵工藝。隨著制程節(jié)點(diǎn)不斷向納米級(jí)推進(jìn)，CMP對(duì)拋光液、拋光墊及清洗材料提出了更高的缺陷控制與選擇性要求，并直接影響器件良率。

亞化咨詢測(cè)算，2026年全球CMP材料（包括拋光液、拋光墊和清洗液等）市場(chǎng)規(guī)模約42億美元，其中中國(guó)市場(chǎng)約80億元人民幣，占比持續(xù)提升。預(yù)計(jì)到2032年，中國(guó)CMP材料市場(chǎng)有望超過(guò)160億元人民幣，年均增速在10%左右，增量主要來(lái)自化合物半導(dǎo)體（尤其是SiC）和先進(jìn)封裝對(duì)CMP工藝和材料需求的快速增長(zhǎng)。

與此同時(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速邁入“超越摩爾”階段。2.5D/3D集成、Chiplet以及無(wú)凸點(diǎn)混合鍵合等先進(jìn)封裝技術(shù)，正在將CMP的應(yīng)用邊界從前道晶圓制造拓展至后道封裝環(huán)節(jié)。面對(duì)TSV填銅平坦化、多材料界面的高選擇性去除，以及原子級(jí)表面平整度控制等新挑戰(zhàn)，CMP技術(shù)及材料體系正迎來(lái)新一輪持續(xù)創(chuàng)新。

在成熟制程晶圓制造CMP材料需求的穩(wěn)固基礎(chǔ)上，AI算力芯片和HBM堆疊需求的快速增長(zhǎng)，進(jìn)一步拉動(dòng)先進(jìn)封裝相關(guān)CMP拋光液、清洗液及拋光墊的用量持續(xù)提升，正成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最具增長(zhǎng)潛力的方向之一。

當(dāng)前，全球產(chǎn)業(yè)鏈加速重構(gòu)，半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主可控已成為業(yè)界共識(shí)。無(wú)論是支撐成熟與先進(jìn)制程的降本增效，還是助力先進(jìn)封裝技術(shù)的持續(xù)突破，CMP材料的國(guó)產(chǎn)替代與上下游協(xié)同都具有關(guān)鍵意義。

首屆CMP與先進(jìn)封裝材料論壇將于2026年7月29–30日在蘇州召開(kāi)，會(huì)議由亞化咨詢主辦。旨在打通電子化學(xué)品與高端CMP耗材之間的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化鏈條，匯聚晶圓代工、封測(cè)企業(yè)及核心材料與設(shè)備供應(yīng)商，共同探討CMP技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)與應(yīng)用需求，共促合作創(chuàng)新，布局下一代高端耗材市場(chǎng)機(jī)遇。

—會(huì)議主題—

1.AI算力驅(qū)動(dòng)下的CMP與先進(jìn)封裝材料供需趨勢(shì)

2.晶圓與封裝產(chǎn)能擴(kuò)張對(duì)CMP材料需求的影響

3.國(guó)產(chǎn)CMP設(shè)備與關(guān)鍵耗材的導(dǎo)入與量產(chǎn)驗(yàn)證

4.CMP拋光液技術(shù)演進(jìn)與新建項(xiàng)目布局

5.CMP拋光墊與Pad Conditioner技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

6.CMP清洗液與Post-CMP清洗工藝協(xié)同創(chuàng)新

7.高純納米研磨顆粒技術(shù)與CMP供應(yīng)鏈本土化

8.面向HBM與AI芯片的先進(jìn)封裝CMP工藝與材料協(xié)同

9.混合鍵合極平坦化挑戰(zhàn)與納米級(jí)CMP耗材創(chuàng)新

10.大尺寸硅中介層與玻璃/有機(jī)基板的CMP平坦化技術(shù)

11.碳化硅（SiC）及其它硬質(zhì)化合物襯底的CMP工藝與材料

12.國(guó)產(chǎn)高端CMP設(shè)備技術(shù)演進(jìn)與納米級(jí)缺陷/微污染控制

13.討論：基礎(chǔ)化工與電子化學(xué)品企業(yè)如何打入先進(jìn)封裝供應(yīng)鏈

14.工業(yè)參觀：待公布

—贊助方案—

項(xiàng)目

項(xiàng)目?jī)?nèi)容

主題演講

25分鐘主題演講

參會(huì)名額

微信推送

“電子材料前沿”微信公眾號(hào)，

企業(yè)介紹以及相關(guān)軟文

會(huì)刊廣告

研討會(huì)會(huì)刊，

彩色全頁(yè)廣告（尺寸A4）

資料入袋贊助

企業(yè)的宣傳冊(cè)放入會(huì)議包袋

現(xiàn)場(chǎng)展臺(tái)

現(xiàn)場(chǎng)展示臺(tái)，展示樣品、資料，

含兩個(gè)參會(huì)名額

現(xiàn)場(chǎng)易拉寶

現(xiàn)場(chǎng)1個(gè)易拉寶展示

禮品贊助

印有贊助商logo的禮品贈(zèng)送參會(huì)聽(tīng)眾

茶歇贊助

冠名和贊助會(huì)議期間的茶歇

晚宴贊助

冠名和贊助會(huì)議的招待晚宴

Logo展示

背景墻 logo，會(huì)刊封面logo