河南
快科技6月13日消息，日前，最高人民法院作出臨時禁令復議裁定，維持蘇州中院此前判決，正式禁止英飛凌相關氮化鎵（GaN）產品在中國境內銷售、許諾銷售及進口，并駁回英飛凌全部復議請求。
此次復議意味著，這場跨境半導體專利戰在中國市場終局落定。
本案起源于2025年初，英諾賽科向蘇州中院起訴英飛凌中國子公司及代理商，指控其侵犯兩項自主研發的氮化鎵核心發明專利，涉及功率半導體關鍵技術。
2026年5月27日，蘇州中院一審宣判，認定英飛凌侵權成立，判令其立即停止相關侵權行為，并賠償英諾賽科經濟損失1000萬元。
英飛凌不服并申請復議，最高法經審理于6月12日維持原判，禁令即刻生效。
作為全球氮化鎵功率器件龍頭，英飛凌與中國本土企業英諾賽科近年在全球多地展開專利拉鋸戰。
2024年6月，英飛凌在德國慕尼黑法院起訴英諾賽科并獲臨時禁令，限制其在德銷售涉訴產品。
2025年底至2026年5月，美國ITC在337調查中裁定英諾賽科部分產品侵權，但明確其主流在售產品不構成侵權。
此次中國市場禁令，是英諾賽科在全球專利博弈中的關鍵勝利。
氮化鎵作為第三代半導體核心材料，廣泛應用于快充、服務器電源、新能源汽車等領域，市場規模高速增長。
業內認為，此次判決將重塑國內GaN功率器件競爭格局，英諾賽科市場份額有望提升。
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