每次提到華為手機(jī)，這幾年都在市場(chǎng)中引起了很高的熱度，原因也非常的簡(jiǎn)單，一方面如今的麒麟芯片正在不斷突破，且取得了很高的熱度。

另一方面，現(xiàn)在的鴻蒙OS系統(tǒng)也在不斷提升，尤其是鴻蒙OS7發(fā)布之后，更是帶來(lái)了不少的變化，對(duì)于如今的市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，沖擊力更是非常猛。

再加上華為旗下的新機(jī)數(shù)量也在不斷的提升，從Mate系列到Pura系列，然后到暢享系列和nova系列，確實(shí)引起了不少用戶的關(guān)注。

重點(diǎn)是近期的市場(chǎng)中更是傳出了關(guān)于芯片被拆解的消息，迪子看完只有一個(gè)想法，那就是我們?cè)谇斑M(jìn)，但前進(jìn)的方式，已經(jīng)和全世界不一樣了。

需要了解，報(bào)告中最抓人眼球的標(biāo)題性結(jié)論是SMIC的N+3工藝，最小金屬間距做到了32.5納米，比英特爾最新18A工藝出貨的36納米還要緊湊約10%。

如果只看這個(gè)數(shù)字很容易產(chǎn)生一種彎道超車的錯(cuò)覺(jué)，但SemiAnalysis的工程師們?cè)谕干潆娮语@微鏡下看到的是另一幅圖景。

原因是N+3的密度不是EUV光刻機(jī)刻出來(lái)的，而是浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)通過(guò)激進(jìn)的自對(duì)準(zhǔn)四重圖案化（SAQP），配合大量設(shè)計(jì)-技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）拼出來(lái)的。

這意味著更多的掩模版、更嚴(yán)苛的套刻精度控制、更復(fù)雜的工藝流程，以及更高的成本和更低的良率，這些都是提升幅度很強(qiáng)的地方。

此外，顯微鏡下的鰭片輪廓最能說(shuō)明問(wèn)題，N+3的FinFET鰭片比臺(tái)積電N6更高、更窄，縱橫比達(dá)到了約9.5:1，而N6只有7.8:1，也就是說(shuō)更高的鰭片確實(shí)能提升電流驅(qū)動(dòng)能力，但也更脆弱、更難控制。

如果說(shuō)工藝層面的追趕已經(jīng)代價(jià)高昂，那么性能層面的差距則更加直觀。

麒麟9030 Pro的CPU超大核，單時(shí)鐘周期性能大致相當(dāng)于Arm 2021年的Cortex-X2水平，蘋(píng)果的能效核心在僅1W功耗下就能提供比華為超大核高出20%的整數(shù)性能，而華為的超大核要燒到4.5W。

GPU方面，馬良935雖然相比前代進(jìn)步巨大，支持硬件光追，但距離當(dāng)前驍龍8 Elite和天璣9500仍有2-3倍的性能差距，甚至可以說(shuō)報(bào)告給出的結(jié)論很直白，麒麟9030 Pro的性能約等于三年前的安卓旗艦。

這不是設(shè)計(jì)能力的差距，華為自研的泰山核心、馬良GPU，在架構(gòu)層面是有競(jìng)爭(zhēng)力的，真正的鴻溝來(lái)自節(jié)點(diǎn)代差，當(dāng)蘋(píng)果、高通已經(jīng)在臺(tái)積電N3P上構(gòu)建芯片時(shí)，華為仍在DUV的極限邊緣掙扎。

更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)不僅意味著更小的晶體管，更意味著更優(yōu)的電壓-頻率曲線、更大的晶體管預(yù)算、更寬的執(zhí)行單元和更深的緩存，沒(méi)有EUV，你很難在同一個(gè)面積里塞進(jìn)同樣多的戰(zhàn)斗力。

不過(guò)還好的是，華為并沒(méi)有坐以待斃，既然無(wú)法在二維平面上繼續(xù)追趕，那就換個(gè)維度競(jìng)爭(zhēng)。

在2026年的IEEE國(guó)際電路與系統(tǒng)研討會(huì)上，華為正式提出了τ縮放定律，這里的τ不是線寬，而是數(shù)據(jù)移動(dòng)與處理的時(shí)間成本。

而且LogicFolding就是這一理念的具體落地，它不是簡(jiǎn)單的芯片堆疊，而是一種激進(jìn)的3D邏輯分區(qū)技術(shù)，把同一個(gè)功能模塊的不同部分，拆分到多個(gè)有源硅層上，通過(guò)超精細(xì)間距的混合鍵合連接。

關(guān)鍵路徑的物理長(zhǎng)度被大幅縮短，中繼緩沖器數(shù)量減少，頻率和能效因此獲得提升，這不是在逃避EUV缺失的現(xiàn)實(shí)，而是在重新定義游戲規(guī)則。

華為公布的路線圖顯示，其超大核目標(biāo)頻率將從當(dāng)前的2.75GHz，在2031年提升至約5GHz，實(shí)驗(yàn)室里，3.1GHz和3.39GHz的版本已經(jīng)在測(cè)試。

當(dāng)然了，這同樣不是免費(fèi)的午餐，3D堆疊意味著更復(fù)雜的散熱、更嚴(yán)苛的鍵合精度、全新的EDA設(shè)計(jì)流程。

其次，SemiAnalysis的報(bào)告最后給出了一個(gè)冷靜的判斷，出口管制并未阻止中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前進(jìn)，但它重新定義了優(yōu)化問(wèn)題的約束條件。

需要了解，在過(guò)去中國(guó)半導(dǎo)體的最優(yōu)解是買最好的設(shè)備、走最短的路，現(xiàn)在EUV光刻機(jī)被禁運(yùn)，最優(yōu)解變成了用DUV多重圖案化走到極限，同時(shí)在系統(tǒng)架構(gòu)和先進(jìn)封裝上尋找補(bǔ)償。

這不是一條更優(yōu)的路，而是一條更貴、更難、容錯(cuò)率更低的路，但這條路確實(shí)在走通，這也是華為這幾年正在努力發(fā)展的關(guān)鍵。

從麒麟9000s到9010、9020，再到今天的9030，SMIC和華為證明了即使沒(méi)有EUV，沒(méi)有西方EDA工具，也能持續(xù)迭代出貨消費(fèi)級(jí)SoC。

更值得關(guān)注的是，SMIC正在將N+2和N+3工藝授權(quán)給華力微/華虹，制造能力的瓶頸正在從某一家晶圓廠擴(kuò)散到更廣泛的生態(tài)。

這意味著制裁的精準(zhǔn)度正在被稀釋，甚至可以說(shuō)當(dāng)平頭哥、寒武紀(jì)乃至更多國(guó)內(nèi)AI芯片設(shè)計(jì)公司都能接入這套工藝時(shí)，單純針對(duì)SMIC的封鎖效果將大打折扣。

當(dāng)然了，迪子覺(jué)得不必因?yàn)?2.5納米的金屬間距而盲目歡呼，也不必因?yàn)橄喈?dāng)于三年前旗艦的性能而過(guò)度悲觀。

中國(guó)半導(dǎo)體當(dāng)下的真實(shí)處境恰如這份拆解報(bào)告所揭示的一樣，那就是我們?cè)贒UV的極限邊緣，用極高的代價(jià)換來(lái)了臺(tái)積電N6級(jí)別的密度；我們?cè)谙到y(tǒng)架構(gòu)層面，用3D堆疊和封裝創(chuàng)新試圖彌補(bǔ)工藝代差；我們?cè)诋a(chǎn)業(yè)生態(tài)層面，用自主EDA和工藝授權(quán)構(gòu)建著抵抗封鎖的冗余度。

總之，不需要在每一個(gè)維度上擊敗臺(tái)積電，只需要在關(guān)鍵領(lǐng)域里，不再被卡死，而且麒麟9030不是終點(diǎn)，甚至不是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，它只是告訴我們走了多遠(yuǎn)，以及還有多遠(yuǎn)要走。

對(duì)此，大家有什么想表達(dá)的嗎？一起來(lái)說(shuō)說(shuō)看吧。