4月7日消息，韓國(guó)媒體Sedaily援引知情人士的消息報(bào)道稱，三星電子已確定向光刻機(jī)大廠ASML和佳能訂購(gòu)了約70臺(tái)光刻機(jī)，總金額高達(dá)10萬(wàn)億韓元（約67億美元）。

報(bào)道稱，三星向ASML訂購(gòu)了約20套用于10nm以下先進(jìn)制程的極紫外光（EUV）光刻機(jī)，同時(shí)還向ASML和日本佳能訂購(gòu)了約50臺(tái)DUV光刻機(jī)，使得此次總訂購(gòu)規(guī)模達(dá)到約70臺(tái)。

這些設(shè)備主要用于平澤園區(qū)P5工廠的產(chǎn)線，用以提升10nm級(jí)第六代1c DRAM制程的產(chǎn)能。隨著1c DRAM制程的生產(chǎn)效率提高，采用該制程技術(shù)所生產(chǎn)的HBM4 產(chǎn)量也將隨之提升。

資料顯示，三星電子目前擁有約40臺(tái)EUV光刻機(jī)，是SK海力士的兩倍。但是，SK海力士在今年3月已經(jīng)宣布，將在2027年12月31日前向ASML采購(gòu)價(jià)值11.95萬(wàn)億韓元（約79.7億美元）的EUV光刻機(jī)（大約30臺(tái)左右），以提升在DRAM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

顯然，面對(duì)SK海力士的大手筆采購(gòu)EUV設(shè)備的舉措，三星如果要鞏固自身在DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，并在后續(xù)與SK海力士在HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)，也必然需要鎖定產(chǎn)能本就有限的關(guān)鍵制造設(shè)備——EUV光刻機(jī)。

三星在2026年2月宣布，已率先達(dá)成HBM4的量產(chǎn)，并向全球最大AI芯片公司英偉達(dá)發(fā)貨。 該HBM4將搭載于英偉達(dá)最新Rubin GPU 中。市場(chǎng)預(yù)計(jì)，Rubin GPU將于2026年下半年正式出貨，以供應(yīng)給谷歌、亞馬遜等美國(guó)科技大廠，并帶來(lái)超過(guò)1萬(wàn)億美元的市場(chǎng)規(guī)模。

與此同時(shí)，三星也在配合Rubin GPU上市節(jié)奏，擴(kuò)大華城H3 工廠17線，以及平澤P3、P4 工廠的HBM4 產(chǎn)能。隨著此次訂購(gòu)的EUV光刻機(jī)的陸續(xù)導(dǎo)入，三星的DRAM 與HBM4 產(chǎn)量預(yù)計(jì)將同步提升，進(jìn)而進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

據(jù)悉，三星此次訂購(gòu)的光刻機(jī)預(yù)計(jì)將配合2027年第一季建成的P5一期項(xiàng)目的無(wú)塵室投入使用。考慮到半導(dǎo)體設(shè)備從下單到發(fā)貨通常需要約一年時(shí)間，預(yù)計(jì)三星將在2027年第二季將包括EUV 在內(nèi)的光刻機(jī)設(shè)備導(dǎo)入P5 工廠無(wú)塵室。因此，2027年下半年三星的1c 制程DRAM 及HBM4 產(chǎn)能有望大幅提升。

一位熟悉情況的市場(chǎng)人士指出，過(guò)去新建晶圓廠通常優(yōu)先布局NAND Flash產(chǎn)線，但此次由于HBM4 預(yù)期出貨量大增，使得三星決定優(yōu)先擴(kuò)建DRAM 產(chǎn)線。

分析師還認(rèn)為，三星此次大規(guī)模采購(gòu)的EUV光刻機(jī)也有望在即將應(yīng)用于HBM5E的10納米級(jí)第七代DRAM（1D）芯片的研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中獲得優(yōu)勢(shì)。

不過(guò)，對(duì)于斥資10萬(wàn)億韓元訂購(gòu)光刻機(jī)的傳聞，有國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，三星方面稱“消息不實(shí)，公司至今尚未有相關(guān)決策”。但是，Sedaily的報(bào)道目前仍保留原有的說(shuō)法，并未進(jìn)行更新。

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編輯：芯智訊-浪客劍