特斯拉新一代AI芯片成功流片！

國芯網[原:中國半導體論壇] 振興國產半導體產業！

不拘中國、放眼世界！關注世界半導體論壇↓↓↓

4月16日消息，馬斯克發布最新動態，官宣特斯拉AI5芯片成功完成流片。他首次公開了這款芯片的實物照片，向特斯拉AI團隊表示祝賀，同時披露了后續芯片與超算項目的研發規劃。

公開的芯片實物照顯示，AI5芯片中間是一塊大型核心裸片，負責承擔全部計算任務。芯片外圍排布了12顆DRAM內存模塊，均來自SK海力士。這套設計能實現高內存容量，同時完成效率優先的帶寬優化。

芯片標識信息顯示，它的流片時間為2026年第13周，具體在3月23日至3月29日之間。

AI5是特斯拉HW4芯片的迭代產品，將成為特斯拉下一代FSD全自動駕駛解決方案的核心硬件。馬斯克此前透露，AI5相較HW4實現了40倍的綜合性能飛躍。其中原始算力提升8倍，內存容量提升9倍，還將帶來全新的功能特性。單顆AI5芯片的AI算力接近2500TOPS，單芯片內存達到144GB，專為最新的Transformer引擎設計。

AI5提供了多檔配置方案。單SOC版本性能可對標NVIDIA Hopper架構芯片，雙SOC設計則能對標NVIDIA Blackwell架構。

同時它的制造成本更低，功耗表現更優，在單位美元性能、單位功耗性能上，有望對英偉達的高端AI芯片形成直接競爭。馬斯克曾直言，AI5的研發落地，是關乎特斯拉生存的核心任務。

據悉，這款芯片將由臺積電和三星共同代工，大規模量產計劃定在2026年底至2027年初。馬斯克還透露，未來新一代芯片的生產將落地特斯拉TeraFab工廠，目前該工廠的正式公告尚未發布。

馬斯克同時確認，特斯拉下一代A16芯片、Dojo3超級計算機的研發工作已經啟動。特斯拉在2026年1月重啟了Dojo超算項目。

未來TeraFab工廠投用后，特斯拉將實現DRAM研發、芯片封裝與芯片制造的全流程一體化布局，相關研發目標的落地節奏有望進一步加快。

半導體論壇百萬微信群

第一步：掃描下方二維碼，關注國芯網微信公眾號。

文章內容整理自網絡，如有侵權請聯系溝通