山東
IT之家 5 月 4 日消息，據 TrendForce 今天報道，鎧俠、閃迪將在 6 月 14-18 日參加 VLSI Symposium 研討會，屆時將同步展出多層堆疊單元架構 QLC NAND 閃存，向突破 1000 層 3D NAND 邁進。
據報道，閃迪和鎧俠已經提前展示了 MSA-CBA（IT之家注：多層堆疊單元陣列-CMOS 鍵合）器件架構圖，還帶有兩塊 218 字線陣列晶圓形成的堆疊單元陣列的 FIB-SEM 圖像。
值得注意的是，鎧俠早在 2024 年就提出了 1000 層 3D NAND 路線圖。根據日媒 PC Watch 的說法，鎧俠預計到 2027 年，NAND 閃存密度有望達到 100 Gbit / mm2，同時實現 1000 字線 3D NAND。
而三星電子雖然也規劃過 1000 層 NAND 路線，但最終選擇更穩健的策略。該公司曾在舊金山國際固態電路大會（ISSCC）展示 multi-BV NAND 概念，通過將兩塊晶圓堆疊在兩塊外圍晶圓上，實現 1000 層擴展，整體思路與鎧俠的方案高度相似。
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