在高分辨率、高刷、低功耗的顯示技術(shù)浪潮下，TCL華星超高遷50氧化物技術(shù)打破傳統(tǒng)背板技術(shù)瓶頸，兼具高性能與低成本優(yōu)勢。搭載該技術(shù)的全球首款矩陣分區(qū)分頻Oxide筆電屏，以ARR(AI Refresh Rate)多區(qū)動態(tài)變頻技術(shù)實現(xiàn)0.01Hz超低刷新率，功耗直降50%，為AI PC與下一代顯示設(shè)備提供高畫質(zhì)、低能耗的核心方案，引領(lǐng)LCD技術(shù)進入全新世代。

需求迭代驅(qū)動技術(shù)革新

LCD背板開啟性能躍升新賽道

長期以來，LCD顯示技術(shù)的性能提升，始終與背板驅(qū)動器件的演進緊密相關(guān)。隨著行業(yè)對顯示體驗的要求持續(xù)升級，傳統(tǒng)背板方案已難以全面匹配多元場景的綜合需求：

-非晶硅(a-Si)TFT：工藝成熟穩(wěn)定，但遷移率水平有限，在高分辨率、高刷新率等高端應用場景中存在性能瓶頸，同時靜態(tài)功耗控制難以滿足當前低功耗設(shè)計的更高標準。

-低溫多晶硅(LTPS)TFT：具備較高遷移率，可支撐高性能顯示。但工藝復雜、成本高昂，且漏電流控制能力有限，難以兼顧低頻低功耗需求，無法支持G8.5+大世代線面板。

-傳統(tǒng)氧化物TFT：在低關(guān)態(tài)電流特性上表現(xiàn)優(yōu)異，但遷移率仍有提升空間，難以同時實現(xiàn)高刷與高分辨率的協(xié)同優(yōu)化，無法充分釋放LCD技術(shù)的性能潛力。

隨著消費級市場對筆記本、顯示器的畫質(zhì)要求持續(xù)提升，專業(yè)市場對VR/AR、醫(yī)療顯示等設(shè)備的性能需求不斷增長，行業(yè)迫切需要一種兼具高遷移率、低功耗、高可靠性與低成本的全新背板技術(shù)，以突破LCD顯示的性能天花板，TCL華星超高遷50氧化物技術(shù)正是在這一背景下應運而生。通過遷移率的大幅提升可實現(xiàn)real千刷超高頻驅(qū)動，器件微型化提升穿透率及實現(xiàn)極窄邊框，同時為單IC集成方案落地創(chuàng)造關(guān)鍵條件。

底層技術(shù)引領(lǐng)突破

超高遷50實現(xiàn)性能飛躍

TCL華星深研底層核心技術(shù)，攜手細野秀雄教授重磅推出自主研發(fā)的超高遷50氧化物技術(shù)，通過三大核心技術(shù)突破，構(gòu)建了高性能氧化物TFT的完整技術(shù)閉環(huán)。

工藝體系重構(gòu)：構(gòu)建極致均勻的氧化物半導體體系

為實現(xiàn)氧化物半導體薄膜的極致均勻性與致密度，TCL華星率先突破傳統(tǒng)工藝路徑，引入業(yè)界領(lǐng)先的聯(lián)動式旋轉(zhuǎn)靶濺射成膜技術(shù)，疊加復合疊層設(shè)計抑制薄膜缺陷，增強耐藥液腐蝕性，大幅提升器件均一性和穩(wěn)定性，為高性能氧化物TFT筑牢根基。同時創(chuàng)新性的采用了復合修復工藝進行界面改善，徹底解決高遷材料In含量過高帶來的器件及工藝問題，大幅提升材料遷移率。

核心器件攻堅：絕緣層氫氧平衡的精準調(diào)控，攻克超高遷移率器件的穩(wěn)定性難題

超高遷移率氧化物TFT器件對水汽、氫、氧等環(huán)境與制程變量高度敏感，絕緣層中氫氧組分的失衡將直接導致器件性能劣化。TCL華星基于氧化物器件的機理研究與工藝積累，構(gòu)建了前后溝道絕緣層的精準氫氧平衡調(diào)控體系，通過氫氧組分精準平衡、低缺陷界面構(gòu)筑與高致密阻隔層制備，實現(xiàn)器件漏電抑制、缺陷態(tài)控制與環(huán)境阻隔能力的同步提升，保障器件在高遷移率下的穩(wěn)定運行。

全鏈路設(shè)計優(yōu)化：電路架構(gòu)與TFT設(shè)計革新，釋放超高遷50氧化物的性能潛能

隨著氧化物半導體遷移率的提升，柵極對溝道的調(diào)控能力相對減弱，器件易出現(xiàn)閾值電壓漂移問題；同時高遷移率器件輸出電流顯著提升，而氧化物材料本征導熱系數(shù)較低，導致器件自發(fā)熱效應加劇，制約性能與可靠性。TCL華星通過新型GOA電路架構(gòu)開發(fā)、TFT器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化與散熱強化設(shè)計，實現(xiàn)電路架構(gòu)與超高遷移率氧化物器件特性的深度適配，充分釋放高遷移率材料的性能潛力，達成產(chǎn)品規(guī)格升級與高可靠性的雙重目標。

目前，TCL華星在關(guān)鍵的器件特性方面已取得突破性成果：超高遷氧化物器件的電子遷移率可達50cm2/V·s，其Stress穩(wěn)定性與已量產(chǎn)的氧化物水準相當，同時具備優(yōu)異的耐壓特性和可靠性，已展現(xiàn)出清晰的量產(chǎn)前景。TCL華星計劃在2026年內(nèi)實現(xiàn)該技術(shù)的量產(chǎn)突破，從而確立在氧化物顯示技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。

TCL華星ARR技術(shù)重磅亮相

屏幕邁入場景智能時代

TCL華星自適應分區(qū)刷新率(ARR)技術(shù)，采用超高遷50技術(shù)，搭配面板設(shè)計、材料到驅(qū)動算法的全鏈路創(chuàng)新突破，實現(xiàn)產(chǎn)品性能躍升，開拓筆電顯示全新發(fā)展前景。

面板架構(gòu)+驅(qū)動創(chuàng)新：構(gòu)建水平+垂直雙維度矩陣式分區(qū)驅(qū)動新形態(tài)

創(chuàng)新采用全新GOA設(shè)計搭配電路設(shè)計，突破傳統(tǒng)顯示限制，實現(xiàn)靈活分區(qū)控制。水平方向以“行”為最小物理分區(qū)，實現(xiàn)像素級精準控頻；垂直方向依托COG IC完成硬件分區(qū)劃分，再通過軟件算法精準調(diào)控，軟硬協(xié)同實現(xiàn)垂直方向靈活分區(qū)，真正做到屏幕任意區(qū)域刷新率獨立可控，可按畫面內(nèi)容智能劃分高刷、低刷區(qū)域，實現(xiàn)多區(qū)域差異化刷新。

超高遷50氧化物技術(shù)加持：賦能0.01~120Hz極限高低頻穩(wěn)定顯示

基于超高遷50氧化物技術(shù)，實現(xiàn)0.01~120Hz的極限高低頻穩(wěn)定顯示能力。有效攻克傳統(tǒng)屏幕低頻下亮度不均、畫面閃爍等難點，保障了高低刷切換時屏幕亮度高度均一，無論是120Hz高刷動態(tài)畫面，還是超低刷靜態(tài)畫面，均可呈現(xiàn)穩(wěn)定細膩的視覺效果。

AI賦能：AI場景識別+AI PQ畫質(zhì)雙維升級

依托AI智能賦能，搭載AI場景識別與AI PQ畫質(zhì)補償雙重算法能力。

AI場景識別可智能識別屏幕動態(tài)、靜態(tài)內(nèi)容，精準劃分畫面區(qū)域?qū)傩裕葱柚悄苷{(diào)度高低刷區(qū)域；動態(tài)區(qū)域維持120Hz高刷畫面絲滑流暢，靜態(tài)文檔區(qū)域可下探至0.01Hz超低刷新率，在不犧牲觀感、無頻閃的前提下，大幅削減屏幕功耗。

AI PQ畫質(zhì)補償算法，針對不同刷新率分區(qū)智能調(diào)校亮度保障高低頻區(qū)域的視覺差異；并針對不同內(nèi)容場景動態(tài)調(diào)節(jié)色域、對比度、亮度，為用戶帶來優(yōu)質(zhì)的顯示體驗。

TCL華星長期深耕氧化物技術(shù)領(lǐng)域，實現(xiàn)了從常規(guī)氧化物到高遷30再到超高遷50的階梯式技術(shù)突破：2024年完成常規(guī)氧化物IGZO量產(chǎn)落地，2025年達成高遷30氧化物技術(shù)量產(chǎn)，2026年將實現(xiàn)超高遷50氧化物技術(shù)的量產(chǎn)跨越。目前，搭載全球首款超高遷50氧化物技術(shù)的14英寸矩陣分區(qū)分頻筆電屏已在SID完成全球首發(fā)，以行業(yè)首發(fā)的姿態(tài)確立了技術(shù)引領(lǐng)地位。

TCL華星作為全球半導體顯示產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導者，始終致力于技術(shù)創(chuàng)新與材料工藝的迭代升級，同時秉持“真正的技術(shù)創(chuàng)新源于對用戶本質(zhì)需求的洞察和對社會責任的擔當”的理念，ARR技術(shù)正是這一理念的生動實踐，我們期待將該突破性技術(shù)與全球頂級筆記本品牌伙伴分享，共同打造下一代AI PC產(chǎn)品。

未來，隨著超高遷50氧化物技術(shù)的規(guī)模化落地，更多兼具高性能、低功耗與成本優(yōu)勢的顯示產(chǎn)品將推向市場，為用戶帶來前所未有的視覺體驗，也為顯示行業(yè)的發(fā)展注入新的活力。TCL華星也將繼續(xù)以“APEX臻圖”技術(shù)理念為引領(lǐng)，深耕半導體顯示技術(shù)，讓每一塊屏幕都成為看見美好未來的窗口。