行業周期波動與國際競爭壓力交織，長鑫科技任重道遠。

5月27日，科創板首單采用預先審閱機制的IPO企業長鑫科技集團股份有限公司（以下簡稱“長鑫科技”）將參加上交所審議會議，接受上市委員有關其是否符合發行條件、上市條件和信息披露要求的審核。

長鑫科技是我國規模最大、技術最先進、布局最全的DRAM研發設計制造一體化企業，公司專注于DRAM產品的研發、設計、生產及銷售，產品覆蓋DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X，核心產品及工藝技術已達國際先進水平。

2023年至2025年，長鑫科技營業收入復合增長率高達160.78%，最近一年營收突破600億元；累計研發投入206.05億元，占最近三年累計營收的比例為21.67%；截至2025年12月31日，公司研發人員6259人，占員工總數的比例為32.43%，共擁有境內發明專利3,165件，具備較為顯著的科創屬性。

根據Omdia全球廠商2025年第四季度DRAM銷售額統計，憑借不斷優化的產品結構、持續迭代的工藝水平、日臻成熟的運營能力以及廣泛的市場認可，長鑫科技的全球市場份額已增至7.67%，位列國內第一、全球第四，僅次于國際三大存儲巨頭三星電子、SK海力士與美光科技。

得益于2025年下半年全球DRAM市場供不應求對產品價格的快速拉升，以及公司規模效應的持續顯現，長鑫科技毛利率呈現快速上升趨勢，逐步向行業頭部廠商水平靠近。2025年與三星電子、美光科技毛利率基本一致。不過，隨著國際廠商新增產能逐步推進，行業周期將迎拐點，公司產品技術仍存代差，盈利穩定性面臨一定的挑戰。

行業新產能加速落地

業績受周期波動影響

長鑫科技最近三年的業績增速頗為驚人。2023年、2024年及2025年（以下簡稱“報告期”）公司錄得營業收入90.87億元、241.78億元、617.99億元；凈利潤-192.25億元、-90.51億元、71.44億元，營收利潤年增長額高達百億元。隨著近年一季度經審閱財務數據的更新，市場關注度進一步升溫。2026年1月-3月，公司實現營收508.00億元、凈利潤330.12億元，分別同比增長719.13%、1,268.45%。

本輪行情主要受全球AI算力需求持續增長及全球主要廠商產能調配等因素影響，DRAM產品供不應求，價格自2025年下半年來持續呈現大幅上漲趨勢。與此同時，伴隨產銷規模的持續增長、產品結構的持續優化，長鑫科技營收、利潤得以實現迅速增長。

從行業特點來看，當前景氣度提升與存儲市場階段性供需失衡密切相關。在此背景下，景氣周期的持續性以及公司業績的穩定性，自然成為監管關注的重點。

首輪回復內，長鑫科技已對DRAM行業周期展開分析，但內容主要聚焦于已發生的市場變化，對于未來行業走勢并未作出展望。公司援引CFM閃存市場數據稱，2025年下半年以來，DRAM價格開始顯著上漲，上行趨勢逐漸確立。

圖片來源：回復意見函

而在二輪回復中，面對監管進一步要求結合行業周期說明未來業績增長的可持續性時，長鑫科技表示，人工智能正在驅動DRAM行業進入新一輪發展的大周期，并強化DRAM行業技術驅動特征，高技術含量、高性能DRAM產品價格抗波動性進一步增長，為公司未來業績持續增長奠定了良好的行業基礎。

此外，國際大廠與投資機構對本輪景氣周期持續時間給出了相對具體的時間預期。三星電子預計當前存儲供需緊張局面或于2028年前后逐步緩解；中信證券、瑞銀（UBS）等機構則預計，DRAM供需缺口或持續至2027年底。

從行業動作來看，三大主要存儲廠商也已著手推進擴產。公開信息顯示，SK海力士在韓國龍仁的新生產基底將提前至2027年2月投產；美光科技亦計劃于近兩年逐步導入先進DRAM設備，并于2027年新增產能；三星電子雖保持較為審慎的擴張態度，但也在加快先進存儲產線建設。換言之，當前行業供給雖仍偏緊，但新增產能多在未來一年內進入釋放階段。

值得注意的是，國際存儲廠商持續推行長期供貨協議模式，通過鎖定產能周期及供貨量提升價格穩定性。而長鑫科技超85%的收入來自經銷，產品價格對市場行情波動的敏感度相對更高，因此，隨著主要廠商新增產能爬坡達產，供需關系變化或對長鑫科技銷售價格帶來影響。

基于此，在審核中心意見落實函中，交易所有且僅有一個問題——要求公司全面、充分披露未來經營業績波動和可持續性相關風險。長鑫科技此時也對風險因素進行了補充，坦言若人工智能對DRAM需求不及預期，疊加新產能的釋放，或將導致供過于求，進而致使公司業績下行。

往前看，在2022-2023年存儲行業的下行周期中，DRAM產品價格一度接近甚至低于成本，行業盈利能力明顯承壓，長鑫科技彼時亦處于虧損狀態。當景氣周期結束，公司抗周期波動能力也將迎來挑戰。

產品迭代節奏偏后

HBM布局尚處早期

從NOR Flash到DRAM，“追趕”一詞幾乎貫穿了長鑫科技創始人、董事長朱一明的創業路徑。2008年，朱一明帶領兆易創新前身芯技佳易技術團隊推出我國首顆自主設計的NOR Flash芯片，彼時恰逢三星戰略性收縮NOR Flash業務，市場出現空缺，產品快速鋪貨。時至今日，兆易創新已成為全球NOR Flash龍頭，市占率高居第二。

同樣的劇情也在長鑫科技發展歷程中有所體現。

在三星電子完成DDR4首款樣品開發約8年后，長鑫科技于2019年推出了自主設計生產的8Gb DDR4產品，實現了中國大陸DRAM產業“從零到一”的突破，但彼時行業已開始向DDR5演進。公開信息顯示，JEDEC協會于2020年7月正式發布DDR5標準，同年10月，SK海力士推出全球首款DDR5內存，而長鑫科技的直到2024年第四季度才實現DDR5產品量產，LPDDR5X則是2025年才實現量產。

具體到市場變化上，2023年至2025年，DDR4市占率由64%降至27%，同期DDR5市占率由32%提升至71%；LPDDR產品方面，LPDDR4市占率由47%降至27%，同期LPDDR5市占率由52%提升至72%。在行業需求持續向先進DRAM產品傾斜的情況下，長鑫科技第五代產品量產時間相對靠后，在高端DRAM市場面臨的競爭壓力進一步加大。

另外，在AI訓練與推理場景的強勁拉動下，HBM（高帶寬內存）已成為高性能計算架構中不可或缺的核心組件。三大存儲巨頭正持續加碼HBM市場，并享受AI產業帶來的高景氣紅利。根據Yole數據，2024年HBM3/3E在HBM產品領域市場占有率達到83%，目前國際領先廠商已實現下一代產品HBM4的送樣。而長鑫科技披露的產品布局當中，尚未出現HBM產品。

圖片來源：回復意見函

當然，不可否認的是，HBM的發展在一定程度上為長鑫科技提供了發展機遇。隨著HBM需求愈發高漲，國際存儲廠商逐步將更多產能資源向HBM傾斜，傳統DDR產品產能在一定程度上受到抑制。與此同時，我國作為全球最大的人工智能應用市場之一，2024年DRAM市場規模約250億美元，占全球DRAM市場比例超過四分之一。但美國方面對高端AI算力產品出口收緊，國內市場對本土DRAM的需求大幅提升，為長鑫科技產品放量提供了市場窗口。

不過，這一風口能否助力市場份額的增長，取決于公司的技術迭代能力。受技術積累、制程工藝等因素限制，長鑫科技產品迭代節奏整體仍晚于國際存儲廠商。相比之下，國際巨頭通常能夠在行業新標準推出后較快完成產品的導入及客戶驗證，從而率先搶占高端市場，長鑫科技相關產品實現量產后，在高端市場的份額拓展仍面臨較大壓力。

行業周期波動與國際競爭壓力交織，長鑫科技任重道遠。

作者 | 徐若林

編輯 | 吳雪