5月25日消息，據(jù)外媒Wccftech報(bào)導(dǎo)，摩根大通（JPMorgan）近日發(fā)布研究報(bào)告指出，美光全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia在波士頓舉行的“第54屆摩根大通全球科技、媒體與通信年會(huì)”（TMC）上指出，由于高性能內(nèi)存芯片能顯著提升AI模型的計(jì)算性能，預(yù)期整個(gè)內(nèi)存市場的供給吃緊狀態(tài)將延續(xù)到2026年之后的。

Manish Bhatia表示指出，在AI應(yīng)用需求的推波助瀾下，其“1-gamma（1-γ）”制程正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)在2026年年中成為產(chǎn)量主力，如果以總晶圓出貨量來計(jì)算（total-wafer out basis），將成為公司史上產(chǎn)量最高的DRAM制程。主要用于AI GPU的HBM所需的DRAM，通過這DRAM進(jìn)行垂直堆疊，然后封裝整顆芯片。美光表示，會(huì)持續(xù)將極紫外光（EUV）光刻技術(shù)，與1-gamma內(nèi)存生產(chǎn)線深度整合。

在產(chǎn)量方面，美光透露，受益于AI強(qiáng)勁需求，HBM4的產(chǎn)能爬坡（ramping up）速度，比之前的HBM3/HBM3E快上兩倍，且良率改善的速度也更為迅速。

美光將HBM4 產(chǎn)能得以加速推進(jìn)歸功于三大因素，首先是從過去量產(chǎn)HBM3 及HBM3E 產(chǎn)品中所累積的營運(yùn)經(jīng)驗(yàn)與學(xué)習(xí)效應(yīng)；其次，HBM4 的核心芯粒（core dies）采用了美光目前主力的10nm級(jí)第五代1-beta (1β) 制程，該制程的效能與良率已證實(shí)相當(dāng)穩(wěn)定；第三，則是美光內(nèi)部最佳化的基礎(chǔ)芯片（base die），通過將1β DRAM 與內(nèi)部自制的基礎(chǔ)芯片結(jié)合，成功將產(chǎn)品的品質(zhì)與性能最大化。

另外，對于下一代的HBM4E內(nèi)存，Manish Bhatia 表示，HBM4E 的開發(fā)進(jìn)展順利，預(yù)期2027 年正式啟動(dòng)產(chǎn)能爬坡，其首款樣品將采用1-gamma制程制造的DRAM模塊。其中在核心芯粒方面，將改采10nm級(jí)第六代1-gamma (1γ) 制程生產(chǎn)，這也是美光首個(gè)采用ASML 極紫外光（EUV）設(shè)備的制程節(jié)點(diǎn)，技術(shù)層級(jí)相當(dāng)于對手三星和SK海力士的1c DRAM制程。而在基礎(chǔ)芯片方面，美光將不再由內(nèi)部制造，而是轉(zhuǎn)交由晶圓代工伙伴臺(tái)積電負(fù)責(zé)生產(chǎn)。

首批量產(chǎn)的HBM4E內(nèi)存將是JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，同時(shí)美光也在籌備針對客戶需求量身打造的定制化產(chǎn)品。雖然定制化版本的成本較高，但憑借其提升的效能與額外附加功能，美光預(yù)期客戶需求將非常強(qiáng)勁。

在市場競爭方面，三星電子與SK 海力士同樣正運(yùn)用各自的1c DRAM制程積極開發(fā)HBM4E。三星計(jì)劃于2026 年第二季出貨首批HBM4E 樣品，其基礎(chǔ)晶片將采用三星自家晶圓代工廠的4nm制程制造。 SK 海力士則目標(biāo)在2026 年下半年向客戶提供樣品，并于2027 年展開量產(chǎn)，其基礎(chǔ)芯粒據(jù)傳也將采用臺(tái)積電的3nm制程生產(chǎn)。

美光還指出，AI上下文窗口（context windows）擴(kuò)大、加上推理工作負(fù)載增加，讓公司得以擴(kuò)大固態(tài)硬盤（SSD）市場的市占率。

美光認(rèn)為，由于HBM、NAND和DRAM芯片的產(chǎn)能難以在短時(shí)間內(nèi)拉高，因此這種供不應(yīng)求的局面預(yù)計(jì)會(huì)維持好一段時(shí)間。

摩根大通也進(jìn)一步分析稱，隨著內(nèi)存技術(shù)持續(xù)演進(jìn)，其性能提升的幅度開始放緩，且下一代HBM的芯粒尺寸（die sizes）變得更大。此外，EUV技術(shù)在最新DRAM的制造過程中，也扮演著舉足輕重的角色。

編輯：芯智訊-浪客劍