北京
據上交所網站，5月27日，長鑫科技科創板IPO獲上市委會議通過。
長鑫科技此次IPO擬募資295億元，用于存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目、DRAM存儲器技術升級項目、動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目等項目。
這是科創板史上第二大IPO，僅次于中芯國際(首發募資532.3億元)。
長鑫科技此前預計：公司2026年上半年實現營業收入1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；實現歸母凈利潤500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%。
自成立以來，長鑫科技共歷經九輪融資。截至招股書簽署日，長鑫科技共有60名機構股東。
公開資料顯示，長鑫科技專注于DRAM（動態隨機存取存儲器）的設計、研發、生產和銷售。目前，該公司已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化產品布局，并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產品方案，可以有效滿足服務器、移動設備、個人電腦、智能汽車等市場需求。目前，公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠。
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