荷蘭駐韓大使范德弗利特近期在首爾公開回應中國光刻機自主研發進展，稱已獲悉相關消息，但強調ASML在全球高端光刻設備領域的主導地位不會因此動搖。他特別指出，荷蘭方面仍掌握關鍵調控手段與技術儲備，此番表態看似從容淡定，實則釋放出多重戰略信號。

言語上輕描淡寫，行動上卻快馬加鞭——他發言尚未落地，荷蘭政府便迅速協同韓國簽署多項半導體設備采購協議，意在以韓國訂單快速承接中國市場需求斷崖式收縮帶來的產能空缺。

口稱無虞，實則步履急促

數字從不掩飾真相。2025年第四季度，ASML來自中國大陸的凈系統銷售額仍占其全球總額的36%；而隨著美方出口管制層層加碼，至2026年第一季度，該比例驟降至19%，單季縮水近半。

ASML自身在2026年初發布的業績展望中預測：全年在華營收占比將由上年的33%滑落至約20%；中國海關總署最新統計印證了這一趨勢——今年一季度，我國自荷蘭進口光刻設備金額同比下滑24.3%。

ASML在中國DUV光刻機市場的占有率，自2022年的85%一路下探至2025年的52%，兩年間流失33個百分點；進入2026年第一季度，韓國市場以45%的份額反超中國，躍升為ASML全球最大單一客戶。

這是否真如大使所言“毫無實質沖擊”？市場份額近乎腰斬，企業營收結構劇烈重構，所謂“風輕云淡”，顯然難以掩蓋現實陣痛。

ASML首席執行官富凱坦承，當前輸華的DUV光刻機主力型號多為2015年前后投產、適配八代及更早制程工藝的成熟機型。

持續收緊對華技術輸出，非但無法遏制發展節奏，反而加速倒逼國產替代進程。富凱用了一個形象比喻：若把你獨自置于荒漠，斷絕所有補給來源，你需多久才能開墾出可自給的綠洲？

大使并非無動于衷，而是受限于外交語境不得不維持表象鎮定。這份“嘴硬”背后，是真實可見的業績下滑曲線；更值得警惕的是，一旦中國實現光刻機全鏈條產業化落地，全球半導體裝備定價權、技術標準制定權乃至產業生態主導權都將迎來結構性重置。

拉攏韓國填補中國市場真空

所謂“不擔憂”，本質并非面向中方的政策宣示，而是向本國產業界傳遞穩定預期的托底信號。他深知，中國訂單支撐力正加速衰減，必須即刻鎖定新支點——一邊高調表態，一邊已將全部戰略資源傾斜至韓國市場。

觀察韓國采購力度：SK海力士于今年3月與ASML簽署重磅協議，訂購多臺高數值孔徑EUV光刻系統，合同總值達十余萬億韓元；僅2026年第一季度，韓國就貢獻了ASML凈系統銷售額的45%。

ASM國際同步強化本地布局，在韓國華城新建第二座研發制造基地，總投資額逾1300億韓元。

2026年2月11日，韓國外交部與產業通商資源部聯合荷蘭外交、經濟事務部門，在首爾舉行首次外交與經貿“2+2”高級別磋商；該機制早在2023年12月即已確立，核心議題直指全球供應鏈韌性重建與關鍵技術領域安全協作。

大使強調光刻技術是全球多極競逐焦點，此言確有堅實依托——荷蘭對韓合作遠不止ASML一家獨秀，而是整條半導體設備產業鏈深度嵌入韓國晶圓制造體系，涵蓋光源、精密運動平臺、光學修正軟件等關鍵環節。

需明確澄清一點：此前坊間流傳“三星擬斥資10萬億韓元采購20臺ASML EUV光刻機”的說法，已于4月7日被三星電子官方正式否認。該公司明確表示，目前未作出任何相關采購決策，該消息純屬誤傳。

韓國承接ASML訂單屬實，但這絕不意味著ASML就此高枕無憂。韓國市場能否真正彌合中國留下的缺口？即便短期填平，ASML仍高度依賴外部稀土供應——而稀土資源的開采權、精煉權與出口主導權，始終不在荷蘭掌控之中。

光刻機博弈實為全球科技格局演進的關鍵切口。美方推動的技術脫鉤策略，本意在于延緩中國半導體產業升級步伐，但歷史反復驗證：人為割裂往往激發更強內生動力與系統性突破能力。

中國光刻裝備正開啟跨越式沖刺

回看國內進展，ASML在華市占率斷崖下跌，表面歸因于外部禁令，深層動因卻是中國自主光刻裝備已進入規模化交付與產線驗證階段。

上海微電子自主研發的SSA800系列28納米浸沒式光刻機，已完成批量交付并投入多家晶圓廠產線實測，整機核心部件國產化率突破85%，產線平均良率穩定保持在90%以上。

該設備采用ArFi準分子激光光源，光學分辨率達134納米，套刻精度優于2.5納米；借助多重曝光工藝，理論上具備支撐7納米節點芯片量產的能力。

該機型三大核心技術模塊——深紫外激光光源系統、高速高精度雙工件臺、超精密投影物鏡，均已實現全鏈路國產化突破。

第三方實測數據顯示，其套刻誤差控制在±2.3至2.5納米區間，每小時可處理約150片12英寸硅片，單臺市場報價約為1.1億元人民幣，僅為ASML同級別設備價格的三分之一。

在先進制程攻堅方面，中芯國際依托現有DUV平臺，通過多輪次曝光與工藝優化，在無EUV設備條件下成功打通7納米芯片穩定量產路徑，當前量產良率已突破85%。

華虹集團旗下華力微電子亦被證實正全力推進7納米技術研發，若順利實現量產，中國將成為繼臺積電、三星、英特爾之后，全球第四個擁有規模化7納米制造能力的經濟體。

除傳統DUV路徑外，國產光刻技術在納米壓印、電子束直寫等新興方向同樣取得實質性突破。

杭州璞璘科技交付的納米壓印光刻系統，最小線寬精度小于10納米，性能指標已超越日本佳能部分旗艦機型；浙江大學研制的電子束光刻裝置，實現0.6納米定位精度與8納米線寬控制能力。

尤為振奮的是核心子系統領域的全面開花。

中科院研發的固態深紫外激光光源，已實現對美國Cymer光源的工程替代；科益虹源完成193納米ArF準分子激光器量產；華卓精科研制的雙工件臺，套刻精度達1.7納米；東方晶源成功開發光學鄰近效應修正（OPC）軟件，填補國內空白。

材料端同步提速：上海人工智能實驗室運用大模型輔助研發KrF光刻膠關鍵樹脂成分，將傳統需耗時2–3年的配方攻關周期壓縮至6個月內完成。

復旦大學團隊發布全球首顆二維半導體全功能芯片，晶體管溝道厚度僅0.7納米，該架構有效規避對EUV光刻工藝的剛性依賴，為中國半導體開辟了一條換道超車的新路徑。

ASML將我們置于技術荒漠，期待我們困守待援；而我們選擇俯身耕耘，在沙礫中培育沃土，并已收獲第一季豐稔果實。

中國市場對ASML銷售額占比從36%驟降至19%，國產28納米光刻機批量列裝產線，7納米工藝良率突破85%，這些正是自建“技術綠洲”最扎實的收成證明。

細究荷蘭大使那句“不會造成影響”，與其說是向外界傳遞信心，不如說是為本國政經體系注入一劑心理安慰劑。

市場份額歸零式萎縮、中國自研進度遠超預期、韓國承接能力尚存不確定性——這些客觀事實清晰陳列，所謂“波瀾不驚”，不過是面對變局時的一種自我激勵式修辭。

當ASML不得不依靠八代前老舊機型維持對華供貨，當荷蘭大使親自站臺緩釋市場焦慮，當中國28納米光刻機已在多個12英寸晶圓廠穩定運行，誰在真正承壓，答案早已不言自明。

這場關乎未來十年技術主權的較量遠未落幕，但棋盤之上，每一枚落子的方向與節奏，都正在悄然偏離舊有劇本設定。

各位讀者怎么看？荷蘭大使這席話，究竟是底氣十足的戰略定力，還是強作鎮定的情緒緩沖？您認為中國光刻裝備距離全面對標ASML頂級水平，還需跨越多長的時間與技術鴻溝？

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