過去幾十年,半導體行業遵循越小越好的鐵律,臺積電和三星為先進制程激烈競爭,光刻機價格堪比航母。
2025年12月斯坦福與麻省理工團隊聯合美國國防部,用90到130納米的老設備研發出單晶3D芯片,運行效率較同級傳統芯片快4倍,無需EUV光刻機即可挑戰7納米制程,且已在Skywater代工廠流片成功。
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半導體行業面臨內存墻問題,AI時代數據搬運消耗巨大,制約算力發展。CPU和GPU作為大腦,數據存儲在內存中,搬運數據的能量消耗是運算的100到1000倍,90%的力氣都花在數據通勤上。
為解決這一問題,行業分為拼裝派和原地蓋樓派。拼裝派以HBM+CoWoS為主流,將邏輯芯片和內存芯片并行制造后組裝,通過硅通孔連接,但TSV密度有限,本質仍是獨立社區,數據傳輸像過馬路串門。
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原地蓋樓派的單晶3D技術則在同一片晶圓上直接蓋樓,底層做邏輯電路,鋪絕緣層后用低溫工藝在上面造內存電路,層間過孔密度比拼裝派高1000到10000倍,數據帶寬像高速公路,直接拆了內存墻。
單晶3D芯片突破熱預算難題的關鍵在于低溫工藝和混搭材料。傳統硅工藝需1000℃以上高溫,會融化底層銅導線。
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而團隊用碳納米管和阻變存儲器制造第二層,溫度僅415℃,且碳納米管電子遷移率比硅更快,相當于用輕鋼結構蓋二樓,效果比水泥還好。
這款芯片已在Skywater代工廠流片成功,該工廠是美國唯一純本土商業代工廠,獲DMEA最高可信認證,IBM剛斥資18億收購。
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背后有DARPA的6000萬美元3DSoC計劃,目標保障供應鏈安全,避免依賴亞洲高端產能,保障衛星、導彈芯片供應。
它適合邊緣AI設備,如智能攝像頭、無人機、AR眼鏡等,體積小、省電、成本低,Skywater還公開了工藝設計套件,小公司和實驗室也能設計單晶3D芯片。
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未來半導體行業將從越小越好轉向立體戰爭,通過3D堆疊等技術打破物理極限。當平地跑不動時,抬頭蓋樓或許就是通往未來的捷徑。
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