可能很多人都不知道,嚴格的來講,目前ASML的EUV光刻機,已經發展到了第2代。
除了之前的測試機型之后,正式大規模交付的第一代EUV,就是普通的EUV,數值孔徑NA=0.33,之前像臺積電、三星等大規模購買的就是這一種。
后來也許做了一些改進,但最核心的參數是一樣的,那就是NA=0.33。
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直到2024年,ASML研發出了第二代EUV光刻機,也稱之為High-NA EUV,這一代的NA從0.33提升到了0.55。
NA提升了,有什么意義呢?
先看一個公式,光刻分辨率CD = k1·λ / NA。
- λ:EUV 波長固定 13.5nm
- NA:數值孔徑(0.33→0.55,+67%)
- k1:工藝系數(越低越難)
NA越大,其實就是分辨率的越高,NA=0.33時,其分辨率是13nm,到了0.55時,變成了8nm,提高高了70%,就直接可做單圖案化做2nm/1.4nm,對于先進芯片制造而言,就減少多重曝光。
比如不用NA=0.55的光刻機,只用第一代NA=0.33的EUV光刻機,制造2nm/1.4nm芯片也沒問題,但是就要多重曝光了,那樣良率低了,成本高了,效率低了。
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所以,ASML打的算盤是,當大家要制造2nm或以下芯片時,來買它的High NA EUV光刻機,這種光刻機要4億美元一臺,之前的長一代,也就1億多美元,一下子貴了3億美元。
臺積電已經明確表示暫時不會買了,到1.4nm,乃至1.2nm,都只用第一代EUV,畢竟臺積電100多臺全換成第二代,成本太高了,400多億美元,臺積電寧愿自己麻煩一點,也不想花這個錢。
而三星、intel則買了幾臺,但也不多,后續會不會繼續買,難講。
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不過,現在就麻煩了,因為有了華為的韜(τ)定律,邏輯有點變了,估計接下來High NA EUV光刻機更難賣了,真是生不逢時啊。
為什么呢?
我們知道華為的韜(τ)定律,提的是以時間常數提升,來改變以往只能靠微縮晶體管帶來的提升。
這個技術不是要否定EUV光刻機,但給了大家另外一條思想,即我不采用最先進的EUV光刻機,也可以通過時間微縮的方式,來提高性能,提高晶體管密度的。
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對于晶圓廠而言,接下來肯定會試著走這一條路,畢竟不花錢買4億多美元一臺的EUV,也可以提高工藝,那我為何要花錢去買它呢?
畢竟通過購買EUV來微縮晶體管,現在是性價比太高了,晶體管是有物理尺寸的,都快達到極限了,而時間微縮,才剛提出來,說不定會有一番突飛猛進,從這個角度來研發,明顯性價比會更高,效果會更明顯。
所以我說,ASML這次真的要怪華為,因為它提出了韜(τ)定律,導致ASML的最新的EUV光刻機,只怕是短時間內不可能熱銷了,你覺得呢?
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