湖南
可能很多人都不知道，嚴格的來講，目前ASML的EUV光刻機，已經發展到了第2代。
除了之前的測試機型之后，正式大規模交付的第一代EUV，就是普通的EUV，數值孔徑NA=0.33，之前像臺積電、三星等大規模購買的就是這一種。
后來也許做了一些改進，但最核心的參數是一樣的，那就是NA=0.33。
直到2024年，ASML研發出了第二代EUV光刻機，也稱之為High-NA EUV，這一代的NA從0.33提升到了0.55。
NA提升了，有什么意義呢？
先看一個公式，光刻分辨率CD = k1·λ / NA。
- λ：EUV 波長固定 13.5nm
- NA：數值孔徑（0.33→0.55，+67%）
- k1：工藝系數（越低越難）
NA越大，其實就是分辨率的越高，NA=0.33時，其分辨率是13nm，到了0.55時，變成了8nm，提高高了70%，就直接可做單圖案化做2nm/1.4nm，對于先進芯片制造而言，就減少多重曝光。
比如不用NA=0.55的光刻機，只用第一代NA=0.33的EUV光刻機，制造2nm/1.4nm芯片也沒問題，但是就要多重曝光了，那樣良率低了，成本高了，效率低了。
所以，ASML打的算盤是，當大家要制造2nm或以下芯片時，來買它的High NA EUV光刻機，這種光刻機要4億美元一臺，之前的長一代，也就1億多美元，一下子貴了3億美元。
臺積電已經明確表示暫時不會買了，到1.4nm，乃至1.2nm，都只用第一代EUV，畢竟臺積電100多臺全換成第二代，成本太高了，400多億美元，臺積電寧愿自己麻煩一點，也不想花這個錢。
而三星、intel則買了幾臺，但也不多，后續會不會繼續買，難講。
不過，現在就麻煩了，因為有了華為的韜（τ）定律，邏輯有點變了，估計接下來High NA EUV光刻機更難賣了，真是生不逢時啊。
為什么呢？
我們知道華為的韜（τ）定律，提的是以時間常數提升，來改變以往只能靠微縮晶體管帶來的提升。
這個技術不是要否定EUV光刻機，但給了大家另外一條思想，即我不采用最先進的EUV光刻機，也可以通過時間微縮的方式，來提高性能，提高晶體管密度的。
對于晶圓廠而言，接下來肯定會試著走這一條路，畢竟不花錢買4億多美元一臺的EUV，也可以提高工藝，那我為何要花錢去買它呢？
畢竟通過購買EUV來微縮晶體管，現在是性價比太高了，晶體管是有物理尺寸的，都快達到極限了，而時間微縮，才剛提出來，說不定會有一番突飛猛進，從這個角度來研發，明顯性價比會更高，效果會更明顯。
所以我說，ASML這次真的要怪華為，因為它提出了韜（τ）定律，導致ASML的最新的EUV光刻機，只怕是短時間內不可能熱銷了，你覺得呢？
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