山東
IT之家 6 月 11 日消息，韓媒 THE ELEC 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，SK 海力士現(xiàn)有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 閃存將采用 375 層堆疊設(shè)計(jì)。該企業(yè)新的 V10 NAND 已完成生產(chǎn)驗(yàn)證，正準(zhǔn)備量產(chǎn)轉(zhuǎn)移，目標(biāo) 2026 年內(nèi)通過既有產(chǎn)線制程升級(jí)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。
▲ SK 海力士 V9 NAND
韓媒宣稱 SK 海力士原本計(jì)劃在 V10 世代采用 400 層堆疊，但由于這會(huì)為量產(chǎn)帶來更大技術(shù)難度最終選擇 375 層設(shè)計(jì)。業(yè)內(nèi)人士稱 SK 海力士未來還規(guī)劃了 480 層、604 層的 3D NAND。
技術(shù)層面，SK 海力士在 V10 NAND 的金屬布線層中將部分字線 (Word Line) 材料從鎢 (W) 替換為鉬 (Mo)，后者電阻更低、填充性能更好。在鉬沉積工藝中，SK 海力士將應(yīng)用成本更具優(yōu)勢(shì)的 TEL 爐式設(shè)備。
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