我是長(zhǎng)期專(zhuān)注產(chǎn)業(yè)鏈基本面梳理的能能,日常會(huì)堅(jiān)持整理晶圓廠招投標(biāo)公示、材料企業(yè)產(chǎn)能投產(chǎn)公告、全球半導(dǎo)體材料月度供需報(bào)表,和產(chǎn)業(yè)鏈一線研發(fā)人員、供應(yīng)鏈采購(gòu)從業(yè)者交流多了,發(fā)現(xiàn)一個(gè)很普遍的認(rèn)知誤區(qū):絕大多數(shù)關(guān)注半導(dǎo)體賽道的普通讀者,把所有目光都聚焦在了光刻膠賽道,默認(rèn)光刻膠是芯片制造材料里最難突破、供需最緊張的品類(lèi)。
如果把時(shí)間拉到2026年當(dāng)下,結(jié)合全產(chǎn)業(yè)鏈真實(shí)的供需節(jié)奏就能看清現(xiàn)狀:適配成熟制程的g線、KrF光刻膠,國(guó)內(nèi)多家企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),國(guó)內(nèi)十幾座量產(chǎn)12英寸晶圓工廠都在持續(xù)導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)光刻膠,供應(yīng)鏈緩沖空間正在一步步拓寬。但芯片制造離不開(kāi)五類(lèi)循環(huán)消耗型基礎(chǔ)耗材,這類(lèi)材料是晶圓量產(chǎn)的剛性必需品,海外頭部廠商擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏十分保守,再加上AI算力芯片量產(chǎn)爆發(fā),各類(lèi)耗材消耗量成倍提升,多個(gè)細(xì)分品類(lèi)遠(yuǎn)期訂單已經(jīng)排到2028年,現(xiàn)貨流通量十分緊張,實(shí)際緊缺程度已經(jīng)超過(guò)大眾熟知的光刻膠。
用生活化的例子就能理解耗材的不可替代性:生產(chǎn)芯片就像制作多層夾心餅干,光刻膠相當(dāng)于用來(lái)壓出餅干花紋的模具,可以準(zhǔn)備多款不同模具替換使用;電子特氣、CMP拋光材料、高純靶材、濕電子化學(xué)品、半導(dǎo)體精密陶瓷件,是面粉、水、夾心餡料和固定支架,屬于生產(chǎn)必備原材料,不存在替代繞開(kāi)的可能。芯片設(shè)備是一次性采購(gòu)資產(chǎn),一輪建廠潮過(guò)后需求就會(huì)降溫;而耗材只要產(chǎn)線不停運(yùn)轉(zhuǎn),就需要月月采購(gòu)、持續(xù)補(bǔ)貨,復(fù)購(gòu)屬性更強(qiáng),長(zhǎng)期經(jīng)營(yíng)的穩(wěn)定性遠(yuǎn)高于設(shè)備賽道。下文全部采用可公開(kāi)核驗(yàn)的最新行業(yè)動(dòng)態(tài),避開(kāi)網(wǎng)絡(luò)上已經(jīng)泛濫的老舊解讀,逐一拆解五大耗材的技術(shù)門(mén)檻、供需現(xiàn)狀、國(guó)內(nèi)企業(yè)最新落地進(jìn)展,內(nèi)容全部可以通過(guò)公開(kāi)渠道核實(shí),適合收藏慢慢學(xué)習(xí)產(chǎn)業(yè)鏈邏輯。
一、電子特種氣體:芯片制造的流動(dòng)血液,高端品類(lèi)替代進(jìn)度最慢
電子特氣貫穿晶圓沉積、刻蝕、離子注入、清洗全工藝流程,在半導(dǎo)體材料整體成本中占比14%左右,是僅次于硅片的第二大耗材。一片普通邏輯芯片生產(chǎn)會(huì)用到二三十種特種氣體,5nm及以下先進(jìn)制程需要用到的氣體種類(lèi)會(huì)突破50種。很多人會(huì)混淆工業(yè)普通氣體和半導(dǎo)體特氣,芯片制程使用的特氣純度需要達(dá)到99.99999%,十億分之一級(jí)別的雜質(zhì)顆粒,就會(huì)造成整片晶圓良率大幅下滑。氣體提純、精密配比、無(wú)塵封裝、安全儲(chǔ)運(yùn)整套體系,需要十幾年工藝沉淀,全球市場(chǎng)長(zhǎng)期被幾家海外化工企業(yè)占據(jù)主要份額。
當(dāng)前真實(shí)供需格局,功能性氣體交付周期持續(xù)拉長(zhǎng)
2026年AI GPU、HBM堆疊存儲(chǔ)芯片持續(xù)放量,多層金屬布線工藝,大幅提升了六氟化鎢這類(lèi)金屬沉積氣體的市場(chǎng)需求。海外兩處核心原料生產(chǎn)基地縮減產(chǎn)能后,全球出現(xiàn)固定產(chǎn)能缺口,現(xiàn)貨供貨持續(xù)緊張。不光是六氟化鎢,各類(lèi)含氟刻蝕氣體、光刻配套混合氣供貨都在收緊,常規(guī)30天左右的交付周期拉長(zhǎng)至3到6個(gè)月,部分定制化先進(jìn)制程混合氣,訂單已經(jīng)鎖定至2028年下半年。
SEMI上半年統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,算力芯片單張晶圓消耗的含氟特氣,是傳統(tǒng)消費(fèi)芯片的3至8倍,全球數(shù)據(jù)中心算力擴(kuò)容節(jié)奏沒(méi)有放緩,下游需求具備長(zhǎng)期持續(xù)性。而一條合格特氣產(chǎn)線,從廠房建設(shè)、工藝調(diào)試、晶圓廠資質(zhì)認(rèn)證到批量出貨,最少需要三年時(shí)間,近兩年全球新增有效產(chǎn)能有限,供需偏緊的格局會(huì)維持較長(zhǎng)一段時(shí)間。
大宗高純氮?dú)狻⒀鯕膺@類(lèi)基礎(chǔ)氣體國(guó)內(nèi)已經(jīng)充分實(shí)現(xiàn)本土化供應(yīng),國(guó)產(chǎn)化率超40%;但先進(jìn)制程摻雜氣體、金屬前驅(qū)體混合氣,國(guó)內(nèi)布局企業(yè)數(shù)量偏少,整體自給率不足20%,替代進(jìn)度慢于成熟制程光刻膠,也是該賽道稀缺屬性凸顯的核心原因。
國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化落地現(xiàn)狀,從單品供貨轉(zhuǎn)向多元化布局
國(guó)內(nèi)特氣行業(yè)已經(jīng)形成分層成長(zhǎng)路徑,頭部企業(yè)從單一品類(lèi)供貨,逐步搭建多品類(lèi)產(chǎn)品矩陣。華特氣體較早完成海外晶圓廠資質(zhì)認(rèn)證,多款刻蝕氣體穩(wěn)定出口海外成熟制程產(chǎn)線;雅克科技深耕光刻配套混合氣、含氟前驅(qū)體材料,深度綁定國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)線;金宏氣體、中船特氣布局六氟化鎢產(chǎn)能,新建產(chǎn)線陸續(xù)完成調(diào)試,已經(jīng)和國(guó)內(nèi)多家頭部晶圓企業(yè)簽訂中長(zhǎng)期供貨框架協(xié)議。
半導(dǎo)體材料賽道長(zhǎng)期收益的核心不是短期產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng),而是供應(yīng)商份額的穩(wěn)步提升。一旦企業(yè)通過(guò)晶圓廠穩(wěn)定性認(rèn)證,后續(xù)就是多年穩(wěn)定的重復(fù)采購(gòu)訂單,業(yè)績(jī)兌現(xiàn)確定性很高,也是長(zhǎng)線跟蹤該賽道的核心邏輯。
二、CMP全套拋光材料:晶圓平整度保障,拋光墊技術(shù)壁壘最難攻克
化學(xué)機(jī)械拋光也就是CMP,布線層光刻、刻蝕完成之后,必須通過(guò)拋光把晶圓表面打磨成鏡面,芯片制程越先進(jìn),布線層數(shù)越多,拋光工序就越多,HBM存儲(chǔ)芯片的拋光次數(shù)是常規(guī)邏輯芯片的四倍。整套CMP材料分為拋光液、拋光墊兩個(gè)獨(dú)立賽道,技術(shù)壁壘、國(guó)產(chǎn)替代節(jié)奏完全不同。
拋光液依靠化學(xué)配方搭配研磨顆粒,控制打磨速率與晶圓劃傷概率,分為氧化物拋光液、銅層拋光液、阻擋層拋光液三類(lèi)。氧化物拋光液國(guó)內(nèi)已經(jīng)100%本土化;適配28nm及以上成熟制程的銅層拋光液,本土廠商國(guó)內(nèi)市占率穩(wěn)步走高,大批量供給國(guó)內(nèi)多條量產(chǎn)線;14nm以下先進(jìn)制程阻擋層拋光液對(duì)研磨選擇比要求嚴(yán)苛,海外企業(yè)手握幾十年配方積累,國(guó)內(nèi)廠商現(xiàn)階段處于小批量上機(jī)驗(yàn)證階段。
2026年二季度產(chǎn)業(yè)新進(jìn)展,鼎龍股份自研氧化鋁研磨粉體實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),碳化硅功率器件專(zhuān)用拋光液完成客戶認(rèn)證,把產(chǎn)品應(yīng)用拓展到車(chē)載功率芯片賽道,打開(kāi)第二成長(zhǎng)曲線,不再局限于硅基芯片市場(chǎng)。拋光液產(chǎn)線調(diào)試周期可控,配方定型完成客戶認(rèn)證后,產(chǎn)能擴(kuò)張可以匹配晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏,業(yè)績(jī)放量速度相對(duì)更快。
拋光墊是整條產(chǎn)業(yè)鏈最難突破的環(huán)節(jié),外觀只是一塊高分子軟墊,核心難點(diǎn)是微米級(jí)精準(zhǔn)微孔排布、耐磨度、硬度均勻度,微孔結(jié)構(gòu)直接決定研磨廢液排出效率,左右晶圓良品率。全球高端硬拋光墊市場(chǎng),單一海外企業(yè)市占率超75%,四家海外企業(yè)合計(jì)占據(jù)九成以上市場(chǎng)份額。
海外拋光墊工廠常年滿產(chǎn),產(chǎn)能利用率接近百分之百,新增產(chǎn)線建設(shè)疊加客戶驗(yàn)證周期需要接近24個(gè)月,2026年先進(jìn)制程拋光墊交付周期翻倍,海外廠商年內(nèi)完成兩輪全球報(bào)價(jià)上調(diào)。對(duì)比光刻膠賽道,成熟制程已有多家本土廠商量產(chǎn)落地,而拋光墊國(guó)內(nèi)完成先進(jìn)制程芯片驗(yàn)證的企業(yè)寥寥無(wú)幾,技術(shù)護(hù)城河更深,后續(xù)替代空間值得持續(xù)跟蹤。目前國(guó)內(nèi)新建12英寸產(chǎn)線都會(huì)預(yù)留國(guó)產(chǎn)材料測(cè)試窗口,資質(zhì)認(rèn)證周期正在逐步縮短。
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三、高純?yōu)R射靶材:芯片內(nèi)部金屬骨架,先進(jìn)封裝打開(kāi)增量空間
濺射靶材是高純度金屬板材,依靠物理濺射工藝把金屬原子附著在晶圓表層,形成電路導(dǎo)線和電極,芯片銅布線、鉭阻擋層、鈷接觸層,都需要對(duì)應(yīng)靶材完成薄膜沉積。靶材核心難點(diǎn)不在于基礎(chǔ)金屬冶煉,而是超高純度提純、晶粒結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)控制,晶粒一致性出現(xiàn)偏差,薄膜導(dǎo)電性能就會(huì)產(chǎn)生波動(dòng),影響芯片長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。
靶材分為三個(gè)發(fā)展梯隊(duì),鋁、鈦基礎(chǔ)靶材已經(jīng)完全國(guó)產(chǎn)化;銅、鉬靶材在成熟制程大范圍導(dǎo)入;鉭、鈷、釕這類(lèi)先進(jìn)制程新型靶材,是當(dāng)前供需偏緊的核心品類(lèi)。
AI芯片重構(gòu)了靶材需求結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)手機(jī)芯片布線層數(shù)大多在七八層,新一代GPU、3D封裝HBM芯片布線層數(shù)突破15層,單位晶圓靶材消耗量直接翻倍。從2026年一季度上市企業(yè)經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)可以看出,先進(jìn)制程鈷靶、鉭靶訂單增速,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)基礎(chǔ)靶材業(yè)務(wù)。海外少數(shù)企業(yè)把控高純稀有金屬原材料,高端靶材精加工產(chǎn)能集中在日本,稀有金屬礦產(chǎn)開(kāi)采增量有限,不少晶圓企業(yè)提前鎖定兩年以上長(zhǎng)單,規(guī)避供應(yīng)鏈波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。
國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)已經(jīng)切入國(guó)際供應(yīng)鏈,江豐電子多款先進(jìn)制程靶材完成海外先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝驗(yàn)證,同步供貨海內(nèi)外多家晶圓廠;有研新材打通高純金屬原材料到靶材精加工全產(chǎn)業(yè)鏈,布局新型稀有金屬靶材原料,供應(yīng)鏈自主可控優(yōu)勢(shì)突出;多家中小廠商在鉬靶、ITO靶材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn),配套面板、功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。
靶材具備獨(dú)特的商業(yè)模式,使用后剩余金屬板材可以回收提純?cè)偌庸ぃ髽I(yè)搭建金屬閉環(huán)回收體系后,長(zhǎng)期生產(chǎn)成本會(huì)持續(xù)下降。同時(shí)靶材可橫向拓展光伏、車(chē)載電子等賽道,抵御半導(dǎo)體行業(yè)周期波動(dòng)的能力更強(qiáng),賽道長(zhǎng)期市場(chǎng)天花板高于單一芯片環(huán)節(jié)耗材。
四、G5級(jí)濕電子化學(xué)品:晶圓清洗剛需原料,客戶驗(yàn)證門(mén)檻相對(duì)更低
濕電子化學(xué)品就是芯片全流程清洗、顯影、剝離使用的超高純酸堿試劑,晶圓每一次刻蝕、薄膜沉積結(jié)束,都需要高純?cè)噭┣謇肀砻骐s質(zhì),濕法清洗工序占芯片全部制造步驟三成以上,是消耗量最大的基礎(chǔ)耗材。行業(yè)按照雜質(zhì)管控標(biāo)準(zhǔn)把試劑劃分為G1至G5五個(gè)等級(jí),8英寸成熟產(chǎn)線使用G3、G4級(jí)試劑,7nm以下先進(jìn)制程必須使用G5最高等級(jí)試劑,微粒管控精度標(biāo)準(zhǔn)極高。
賽道內(nèi)部格局分化明顯,G1-G3低純度試劑本土產(chǎn)能完全可以滿足市場(chǎng)需求;G4級(jí)高純硫酸、雙氧水近兩年大批量進(jìn)入頭部晶圓廠,本土化比例提升至35%左右;G5級(jí)超高純氫氟酸等試劑,全球合格供應(yīng)商數(shù)量有限,整套過(guò)濾、儲(chǔ)罐防析出配套體系需要長(zhǎng)期工藝沉淀,國(guó)內(nèi)高端品類(lèi)自給率還有很大提升空間。
2026年兩大行業(yè)變化值得關(guān)注,海外多處化工園區(qū)環(huán)保管控收緊,高純?cè)噭┥嫌卧牧袭a(chǎn)能收縮,G5級(jí)電子氫氟酸報(bào)價(jià)小幅上行,海外貨品交付周期有所延長(zhǎng);國(guó)內(nèi)晶圓廠本土化采購(gòu)意愿持續(xù)提升,清洗類(lèi)試劑資質(zhì)驗(yàn)證周期大多僅需兩到三個(gè)月,是國(guó)產(chǎn)材料兌現(xiàn)業(yè)績(jī)速度較快的賽道。
多家本土企業(yè)同步布局光刻膠配套顯影液、剝離液,打造一體化試劑供應(yīng)方案,更容易綁定長(zhǎng)期客戶。濕化學(xué)品屬于精細(xì)化工賽道,產(chǎn)能落地后營(yíng)收增長(zhǎng)走勢(shì)平緩,受市場(chǎng)題材情緒波動(dòng)影響更小,適合長(zhǎng)期跟蹤市場(chǎng)份額變化。
五、半導(dǎo)體精密陶瓷件:設(shè)備腔體損耗配件,后周期成長(zhǎng)潛力充足
前面四類(lèi)材料都是直接接觸晶圓的工藝耗材,精密陶瓷件屬于刻蝕、薄膜沉積設(shè)備腔體內(nèi)部的損耗配件,靜電卡盤(pán)、陶瓷加熱器、絕緣結(jié)構(gòu)件采用高純氧化鋁、碳化硅陶瓷制作,腔體內(nèi)部等離子體、上千度高溫會(huì)持續(xù)損耗配件,達(dá)到使用壽命就必須更換,屬于設(shè)備全生命周期里持續(xù)采購(gòu)的耗材。
這個(gè)細(xì)分賽道全網(wǎng)解讀頻次偏低,高端半導(dǎo)體陶瓷零部件市場(chǎng)集中度極高,三家海外企業(yè)占據(jù)九成市場(chǎng)份額。近幾年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備整機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速,刻蝕、薄膜沉積設(shè)備出貨量同比保持較高增速,但配套陶瓷配件大部分還依賴進(jìn)口,海外廠商擴(kuò)產(chǎn)意愿偏弱,定制化陶瓷配件交付周期拉長(zhǎng),部分配件遠(yuǎn)期訂單排至2027年。
陶瓷胚體基礎(chǔ)燒制門(mén)檻不高,難點(diǎn)集中在微米級(jí)精密打孔、腔體防護(hù)涂層噴涂,涂層脫落就會(huì)損傷整片晶圓,工藝容錯(cuò)率極低。國(guó)內(nèi)部分廠商已經(jīng)實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)款陶瓷加熱器、靜電卡盤(pán)量產(chǎn),多款產(chǎn)品進(jìn)入國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商供應(yīng)鏈,經(jīng)過(guò)量產(chǎn)產(chǎn)線長(zhǎng)期穩(wěn)定性測(cè)試,逐步開(kāi)啟小批量替代。
該賽道屬于設(shè)備國(guó)產(chǎn)化后周期賽道,設(shè)備出貨量越高,后期耗材更換市場(chǎng)空間就越大,短期訂單增速不會(huì)像氣體、拋光材料一樣快速爆發(fā),但長(zhǎng)期行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局干凈,入局企業(yè)數(shù)量有限,具備穩(wěn)定的長(zhǎng)期成長(zhǎng)潛力。
理性梳理三大產(chǎn)業(yè)底層邏輯,區(qū)分市場(chǎng)情緒與真實(shí)產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)
梳理完五大耗材賽道,結(jié)合多年產(chǎn)業(yè)復(fù)盤(pán)經(jīng)驗(yàn),總結(jié)三條實(shí)用分析思路,避開(kāi)市場(chǎng)常見(jiàn)認(rèn)知誤區(qū),客觀看待賽道成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。
第一,客戶資質(zhì)認(rèn)證是行業(yè)核心護(hù)城河。半導(dǎo)體材料認(rèn)證分為小樣測(cè)試、中批量上機(jī)、長(zhǎng)期穩(wěn)定性驗(yàn)證完整流程,整套周期6到18個(gè)月,一旦進(jìn)入合格供應(yīng)商名錄,合作周期大多在五年以上,客戶粘性極強(qiáng)。只有拿到批量落地訂單,才算完成商業(yè)化突破,實(shí)驗(yàn)室樣品研發(fā)不等于產(chǎn)業(yè)化落地,一定要做好區(qū)分。成熟制程是近幾年本土化替代主戰(zhàn)場(chǎng),先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)迭代是遠(yuǎn)期成長(zhǎng)空間,份額循序漸進(jìn)提升,是賽道真實(shí)成長(zhǎng)路徑。
第二,耗材賽道具備穿越行業(yè)周期的能力。芯片設(shè)備靠資本開(kāi)支驅(qū)動(dòng),一輪建廠高峰過(guò)后需求會(huì)階段性回落;成熟晶圓產(chǎn)線只要不停工,耗材采購(gòu)就不會(huì)中斷,企業(yè)盈利穩(wěn)定性更強(qiáng),要用中長(zhǎng)期視角跟蹤上游材料,不要用短線題材炒作思路評(píng)判整條產(chǎn)業(yè)鏈。
第三,本土化替代是循序漸進(jìn)的過(guò)程,不會(huì)一蹴而就。部分高端材料品類(lèi)還需要數(shù)年工藝積累,發(fā)展過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期、下游資本開(kāi)支節(jié)奏變化、原材料價(jià)格變動(dòng)等客觀風(fēng)險(xiǎn),產(chǎn)業(yè)走勢(shì)是螺旋式向上,不會(huì)走出單邊上行行情。
2026年供應(yīng)鏈多元化已經(jīng)成為全行業(yè)共識(shí),海內(nèi)外晶圓廠都在搭建多供應(yīng)商供貨體系,本土材料企業(yè)的發(fā)展窗口期已經(jīng)實(shí)實(shí)在在打開(kāi)。這五類(lèi)芯片剛需耗材,覆蓋芯片前道制造全環(huán)節(jié),剛性需求明確,供應(yīng)商市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升帶來(lái)的業(yè)績(jī)?cè)隽浚钱a(chǎn)業(yè)鏈中長(zhǎng)期可以持續(xù)挖掘的機(jī)會(huì)。
話題討論
你平時(shí)跟蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,會(huì)優(yōu)先關(guān)注材料端還是設(shè)備端的發(fā)展機(jī)會(huì)?你覺(jué)得這五類(lèi)耗材里,哪一個(gè)細(xì)分品類(lèi)會(huì)最先完成大范圍國(guó)產(chǎn)替代?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的看法,一起交流產(chǎn)業(yè)鏈分析思路。
免責(zé)聲明
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