前言

高壓氮化鎵器件在快充、電源模塊、服務(wù)器電源等場景加速滲透，但對(duì)工程師來說，選哪種封裝也是一大難題，封裝會(huì)影響寄生參數(shù)與開關(guān)損耗、散熱路徑與溫升、裝配方式與可靠性，也會(huì)影響整機(jī)的功率密度、成本與量產(chǎn)一致性。可以說在當(dāng)下封裝選型已經(jīng)成為高壓GaN落地的關(guān)鍵一環(huán)。

為看清行業(yè)真實(shí)偏好與演進(jìn)方向，充電頭網(wǎng)對(duì)市面常見高壓氮化鎵器件進(jìn)行匯總統(tǒng)計(jì)，覆蓋數(shù)十家廠商、四百余款產(chǎn)品，并對(duì)各類封裝的數(shù)量占比進(jìn)行梳理。下文將結(jié)合這些器件，解讀當(dāng)前高壓GaN市場在押注哪些封裝路線。

高壓氮化鎵

本次參與統(tǒng)計(jì)的高壓氮化鎵器件如上表所示，共計(jì)四百余款產(chǎn)品，覆蓋數(shù)十家知名功率器件廠商，下文我們將為您介紹現(xiàn)階段出場次數(shù)最高的封裝類型。

封裝類型占比

從占比看，封裝明顯呈現(xiàn)二八結(jié)構(gòu)：DFN封裝151顆（占比32.83%）與TO封裝123顆（占比26.74%）合計(jì)274 顆（累計(jì)占比59.57%），占到接近六成，是當(dāng)下主流。第二梯隊(duì)主要是QFN封裝39顆（占比8.48%）、TOLL封裝35顆（占比7.61%）、PQFN封裝34顆（占比7.39%），再往后是TOLT封裝 22顆（占比4.78%）、VQFN封裝17顆（占比3.70%）。

其他類型封裝相對(duì)較少，DPAK封裝11顆（占比2.39%）、ThinPAK封裝6顆（占比1.30%），以及 SOT/BHDFN/DSO/TFLGA 這幾類封裝各4顆（占比0.87%）、CCPAK封裝2顆（占比0.43%）；而InSOP/QFM/HDFN/XDFN這幾類封裝各1顆（占比僅為0.22%）。更多對(duì)應(yīng)特定產(chǎn)品線。

出現(xiàn)這種結(jié)果通常與應(yīng)用功率段與行業(yè)普遍應(yīng)用偏好有關(guān)：DFN/QFN/PQFN/VQFN等無引腳封裝寄生參數(shù)小、環(huán)路更短，有利于高頻開關(guān)與效率，同時(shí)占板面積小、適配高密度電源，此外，很多器件還能通過底部散熱焊盤把熱量直接導(dǎo)入PCB銅箔，便于批量SMT生產(chǎn)。TO類封裝則在需要更直觀散熱路徑、較大功率/更高耐壓或更強(qiáng)機(jī)械強(qiáng)度的場景更常用，安裝與散熱器配合也更成熟。TOLL/TOLT/ThinPAK/DPAK等介于兩者之間，強(qiáng)調(diào)大電流SMD與熱性能平衡，往往集中在特定功率平臺(tái)；而其他類型封裝多是細(xì)分需求、歷史型號(hào)延續(xù)或少量項(xiàng)目選擇造成的統(tǒng)計(jì)分散。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

整體來看，本次統(tǒng)計(jì)的高壓GaN封裝DFN與TO兩大類合計(jì)接近六成，說明行業(yè)一方面在押注無引腳封裝帶來的低寄生參數(shù)與更低占板空間，另一方面也仍依賴TO封裝在更高功率、易于散熱與更成熟裝配體系上的適配性，其余封裝則滿足各自細(xì)分產(chǎn)品線、散熱以及特殊設(shè)計(jì)需求。

本次統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來源于網(wǎng)絡(luò)公開數(shù)據(jù)，如有紕漏，敬請(qǐng)諒解。