廣東
4月3日消息，據(jù)韓國(guó)媒體The Elec報(bào)道，三星的首條8英寸氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最快將于2026年二季度進(jìn)入量產(chǎn)階段，初期收入預(yù)計(jì)將保持在1000億韓元以下。
報(bào)道指出，三星已建立起涵蓋除芯片設(shè)計(jì)外所有內(nèi)容的綜合GaN解決方案生態(tài)系統(tǒng)，并具備獨(dú)立生產(chǎn)GaN外延晶圓生產(chǎn)能力。
此外，三星計(jì)劃在今年內(nèi)啟動(dòng)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體代工線的運(yùn)營(yíng)。該公司在碳化硅細(xì)分領(lǐng)域具備端到端能力，包括設(shè)計(jì)，能夠在不同電壓范圍內(nèi)補(bǔ)充氮化鎵技術(shù)。
此前報(bào)道還披露，三星已投資約1000億至2000億韓元的先進(jìn)工藝設(shè)備，包括Aixtron的MOCVD系統(tǒng)，以支持硅鎵和氮化鎵晶圓的加工。
編輯：芯智訊-林子
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