當(dāng)AI芯片對(duì)帶寬、能效與集成密度的需求呈指數(shù)級(jí)攀升，傳統(tǒng)芯片互連技術(shù)正成為制約算力釋放的關(guān)鍵瓶頸。后摩爾時(shí)代，一場(chǎng)從“凸塊”到“銅-銅直接鍵合”的互連革命已然開(kāi)啟——混合鍵合，正作為先進(jìn)封裝的核心使能技術(shù)，站上AI算力基礎(chǔ)設(shè)施的舞臺(tái)中央。

愛(ài)集微VIP頻道近日上線由東興證券股份有限公司發(fā)布的深度研究報(bào)告《混合鍵合設(shè)備：AI算力時(shí)代的芯片互連革命與BESI的領(lǐng)航之路》。本報(bào)告屬于半導(dǎo)體行業(yè)分析手冊(cè)系列，由分析師劉航、研究助理李科融共同完成，全面覆蓋混合鍵合技術(shù)定義、優(yōu)劣勢(shì)、市場(chǎng)需求、競(jìng)爭(zhēng)格局及龍頭企業(yè)與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇，為投資者與產(chǎn)業(yè)從業(yè)者提供了系統(tǒng)性的技術(shù)圖譜與投資框架。

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核心洞察：后摩爾時(shí)代，混合鍵合成為AI芯片互連的終極方案

混合鍵合是先進(jìn)封裝領(lǐng)域最具突破性的技術(shù)之一，它通過(guò)銅-銅直接鍵合取代傳統(tǒng)焊料凸塊，實(shí)現(xiàn)10μm以下的超精細(xì)間距互連，是支撐3D堆疊與異構(gòu)集成的關(guān)鍵使能技術(shù)。相比傳統(tǒng)方案，混合鍵合在互連密度、帶寬、能效與單位成本上實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)提升——互連間距降至0.5-0.1μm，互連密度達(dá)1萬(wàn)-100萬(wàn)/mm2，單位比特能耗低于0.05pJ/bit。

從技術(shù)演進(jìn)來(lái)看，鍵合技術(shù)歷經(jīng)引線鍵合→倒裝芯片→熱壓鍵合→高密度扇出→混合鍵合五階段迭代。2018年至今，混合鍵合進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速期，成為AI芯片、HBM高堆疊存儲(chǔ)、Chiplet架構(gòu)的核心技術(shù)底座。

一、核心優(yōu)勢(shì)：極致密度、三維集成、工藝兼容

混合鍵合的三大核心優(yōu)勢(shì)，直擊AI算力痛點(diǎn)：

-極致互連密度與性能：亞微米級(jí)間距讓單位面積I/O接點(diǎn)提升千倍，數(shù)據(jù)傳輸帶寬與能效大幅優(yōu)化，滿足AI芯片對(duì)海量數(shù)據(jù)吞吐的剛性需求。

-三維集成靈活性：支持邏輯、存儲(chǔ)、傳感器等芯片垂直堆疊，推動(dòng)Chiplet與3D IC架構(gòu)落地，為異構(gòu)集成提供物理基礎(chǔ)。

-工藝兼容性強(qiáng)：可兼容現(xiàn)有晶圓制造流程，與TSV、微凸塊等技術(shù)結(jié)合形成復(fù)合方案，降低產(chǎn)業(yè)升級(jí)門檻。

但規(guī)?；慨a(chǎn)仍面臨良率控制、潔凈環(huán)境（ISO3以上）、晶圓表面粗糙度（低于0.1nm）等嚴(yán)苛挑戰(zhàn)，這也使得混合鍵合設(shè)備成為技術(shù)壁壘最高、附加值最集中的環(huán)節(jié)。

二、市場(chǎng)需求：AI與HBM驅(qū)動(dòng)，進(jìn)入爆發(fā)前夜

混合鍵合已從前沿技術(shù)轉(zhuǎn)為AI時(shí)代核心基礎(chǔ)設(shè)施。在存儲(chǔ)領(lǐng)域，HBM5向20層超高堆疊演進(jìn)，傳統(tǒng)微凸塊無(wú)法滿足厚度與翹曲控制要求，三星、美光、SK海力士三大廠商均確定采用混合鍵合，HBM4/5成為技術(shù)放量核心抓手。在邏輯領(lǐng)域，臺(tái)積電SoIC技術(shù)依托混合鍵合實(shí)現(xiàn)無(wú)凸點(diǎn)超高密度集成，2025年產(chǎn)量翻倍至1萬(wàn)片，2026年計(jì)劃再度翻番。

全球先進(jìn)封裝累計(jì)投資近1000億美元，臺(tái)積電、英特爾、三星、長(zhǎng)電科技、通富微電等海內(nèi)外廠商均在加碼布局。根據(jù)BESI預(yù)測(cè)，2030年全球混合鍵合設(shè)備累計(jì)安裝量將達(dá)960-2000臺(tái)；MRFR數(shù)據(jù)顯示，全球混合鍵合技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模將從2023年1.23億美元增至2030年6.18億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率24.7%，中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模有望突破4億美元，成為全球增長(zhǎng)核心引擎。

三、競(jìng)爭(zhēng)格局：海外龍頭主導(dǎo)，國(guó)產(chǎn)加速突破

全球混合鍵合設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)海外主導(dǎo)、國(guó)產(chǎn)突破的格局。荷蘭BESI憑借技術(shù)與客戶優(yōu)勢(shì)占據(jù)絕對(duì)龍頭地位，2024年市占率約70%，全球前五大廠商合計(jì)市占率超86%。BESI旗艦產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)100nm對(duì)準(zhǔn)精度、2000CPH吞吐量，與應(yīng)用材料（AMAT）達(dá)成戰(zhàn)略股權(quán)合作，先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)毛利率超65%，AI相關(guān)訂單持續(xù)爆發(fā)。

國(guó)內(nèi)企業(yè)已實(shí)現(xiàn)從0到1的突破：

-拓荊科技：推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)量產(chǎn)級(jí)混合鍵合設(shè)備Dione 300，獲重復(fù)訂單，是國(guó)產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)；

-百傲化學(xué)：旗下芯慧聯(lián)實(shí)現(xiàn)D2W/W2W設(shè)備出貨，進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證；

-邁為股份：12英寸混合鍵合設(shè)備交付客戶，對(duì)準(zhǔn)精度達(dá)±100nm；

-艾科瑞思、華卓精科：推出納米級(jí)鍵合設(shè)備，國(guó)產(chǎn)陣營(yíng)快速崛起。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)鍵合設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率僅約3%，預(yù)計(jì)2025年提升至10%，在大基金三期重點(diǎn)扶持下，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

四、BESI領(lǐng)航之路與國(guó)產(chǎn)借鑒

BESI成為AI算力時(shí)代核心受益者的邏輯清晰：一是全產(chǎn)品布局覆蓋傳統(tǒng)2D到2.5D/3D封裝，混合鍵合產(chǎn)品精度與吞吐量全球領(lǐng)先；二是生態(tài)合作深化，與應(yīng)用材料聯(lián)合開(kāi)發(fā)全集成解決方案；三是訂單結(jié)構(gòu)優(yōu)化，AI、數(shù)據(jù)中心、2.5D封裝訂單成功對(duì)沖傳統(tǒng)業(yè)務(wù)下滑。

對(duì)國(guó)內(nèi)行業(yè)的借鑒意義在于：持續(xù)深耕先進(jìn)封裝技術(shù)，完善W2W、D2W全工藝產(chǎn)品矩陣；加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動(dòng)設(shè)備、材料、工藝聯(lián)合研發(fā)，構(gòu)建國(guó)產(chǎn)化生態(tài)；依托國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)張與政策支持，快速切入高端客戶供應(yīng)鏈。

報(bào)告核心結(jié)論：3-5年黃金窗口期，國(guó)產(chǎn)替代主旋律明確

混合鍵合作為后摩爾時(shí)代芯片互連的革命性技術(shù)，已進(jìn)入規(guī)?；慨a(chǎn)前夜。AI算力爆發(fā)與HBM高堆疊需求構(gòu)成雙重驅(qū)動(dòng)力，海外龍頭憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)占據(jù)高端市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)依托政策與產(chǎn)業(yè)鏈支撐快速追趕。未來(lái)3-5年將是技術(shù)突破與國(guó)產(chǎn)替代的黃金窗口期，混合鍵合設(shè)備有望成為半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域的核心投資主線。

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