突破10.5nm極限！中安半導體ZP8發布：領跑國產半導體量測賽道！

半導體量測檢測設備是芯片制造全流程的一個關鍵支撐設備，承擔著缺陷識別、參數校準、良率管控與工藝迭代等使命，是保障先進制程穩定落地、提升芯片可靠性與競爭力的“良率之眼”。

在AI算力需求持續攀升、先進制程不斷微縮的產業背景下，高精度量測檢測設備已成為半導體產業鏈自主可控的重要環節，直接決定晶圓廠的生產效率與產品品質。近日，中安半導體舉辦新品發布會，正式推出其新一代10.5nm靈敏度顆粒缺陷檢測設備，以技術突破為國內先進制程發展注入新動能，也標志著中國半導體前道量檢測設備向極限領跑邁出關鍵一步，會上同步公布技術迭代規劃與多領域量測布局。

一：中安半導體ZP8發布：領跑國產半導體量測賽道！

發布會上明確了ZP8的核心優勢：實現10.5nm探測精度突破，通過“光學+機械+算法”系統級優化，可穩定捕獲裸硅片上超微小致命缺陷；實測顯示，其裸片層檢測匹配率與相關性均超過95%，在HKMG等關鍵薄膜層中可靠性突出，可滿足硅片廠及晶圓廠研發嚴苛需求。

ZP8可覆蓋從襯底制造到先進封裝的全產業鏈，賦能先進制程研發與量產，助力微粒缺陷監控與質量閉環。

中安半導體計劃明年推出面向15nm HVM的新一代設備，持續推進技術迭代。此次發布填補了國產品牌在10nm級缺陷檢測領域的空白，為中國半導體先進制程良率提升提供可靠支撐。

二：順應先進制程與3D集成產業趨勢

AI浪潮推動半導體技術向先進邏輯芯片、背面供電、高帶寬存儲器與3D集成等方向快速演進，制程尺寸微縮與3D堆疊帶來形貌控制、翹曲管控、鍵合精度等一系列挑戰，對量測檢測設備提出了更高要求。中安半導體基于行業趨勢，以極限靈敏度檢測為核心，同步布局3D集成與硅片廠全流程解決方案。

針對3D集成趨勢，無論是DRAM的Pitch收縮，還是NAND Flash堆疊層數的不斷攀升，整個行業都在堅定地邁向3D時代。在這一過程中，行業面臨著兩大挑戰：一是堆疊尺寸的不斷微縮；二是檢測精度的極致化。而在實現3D器件的過程中，有一個關鍵工藝節點——鍵合（Bonding）。

演講嘉賓初新堂表示：“針對鍵合這一核心工藝，中安半導體也投入了大量的研發資源進行了深入的系統性研究。”

中安半導體的量測機臺引入了IPD算法，其核心邏輯在于：通過ZAS WGT量測系統對晶圓全局形變與厚度分布進行高精度采集，并將這些真實工藝數據引入鍵合環節以及后續光刻環節的Overlay分析模型中，從而實現對鍵合后以及光刻后Overlay偏差的提前預判。實測數據顯示，中安半導體的量測方案的數據相關性遠超行業傳統方案，可以有效提升3D堆疊工藝的可靠性與良率。

面向硅片制造環節，中安打造專用設備矩陣，覆蓋硅線切、研磨、拋光、刻蝕、清洗至出貨檢全流程，在厚度均勻性、平坦度等關鍵參數上實現高精度測量，為超平整晶圓生產提供技術支撐，滿足先進制程對硅片質量的極致要求。

三：量檢測賽道的國產突破

在全球半導體量測賽道，KLA 憑借超 50% 的市占率處于絕對領先，與應用材料、日立等巨頭共同占據約 70% 的市場。盡管中國市場規模已超 210 億元且國產化率正快速跨越 20% 關口，但在先進制程等高端領域，進口依賴度依然極高。

以中安半導體為代表的本土廠商正加速國產替代進程。通過技術攻關，中安在2024 至 2026 年間實現了檢測靈敏度的連續飛躍，最新發布的 ZP8 機型靈敏度達 10.5nm，核心指標已比肩國際一線標桿。

在全球半導體產業的演進中，國產量檢測設備的崛起已成為自主可控的堅實注腳。中安半導體通過 ZP8 等核心產品的持續進化，將檢測精度推向 10.5nm 的國產新高度，為晶圓廠良率管理提供了穩固的本土支撐。國產力量的全面突破，正從根本上重構全球供應體系，捍衛中國芯片產業的長期安全。

—— 芯榜 ——

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