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半導體量測檢測設備是芯片制造全流程的一個關鍵支撐設備,承擔著缺陷識別、參數校準、良率管控與工藝迭代等使命,是保障先進制程穩定落地、提升芯片可靠性與競爭力的“良率之眼”。
在AI算力需求持續攀升、先進制程不斷微縮的產業背景下,高精度量測檢測設備已成為半導體產業鏈自主可控的重要環節,直接決定晶圓廠的生產效率與產品品質。近日,中安半導體舉辦新品發布會,正式推出其新一代10.5nm靈敏度顆粒缺陷檢測設備,以技術突破為國內先進制程發展注入新動能,也標志著中國半導體前道量檢測設備向極限領跑邁出關鍵一步,會上同步公布技術迭代規劃與多領域量測布局。
一:中安半導體ZP8發布:領跑國產半導體量測賽道!
發布會上明確了ZP8的核心優勢:實現10.5nm探測精度突破,通過“光學+機械+算法”系統級優化,可穩定捕獲裸硅片上超微小致命缺陷;實測顯示,其裸片層檢測匹配率與相關性均超過95%,在HKMG等關鍵薄膜層中可靠性突出,可滿足硅片廠及晶圓廠研發嚴苛需求。
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ZP8可覆蓋從襯底制造到先進封裝的全產業鏈,賦能先進制程研發與量產,助力微粒缺陷監控與質量閉環。
中安半導體計劃明年推出面向15nm HVM的新一代設備,持續推進技術迭代。此次發布填補了國產品牌在10nm級缺陷檢測領域的空白,為中國半導體先進制程良率提升提供可靠支撐。
二:順應先進制程與3D集成產業趨勢
AI浪潮推動半導體技術向先進邏輯芯片、背面供電、高帶寬存儲器與3D集成等方向快速演進,制程尺寸微縮與3D堆疊帶來形貌控制、翹曲管控、鍵合精度等一系列挑戰,對量測檢測設備提出了更高要求。中安半導體基于行業趨勢,以極限靈敏度檢測為核心,同步布局3D集成與硅片廠全流程解決方案。
針對3D集成趨勢,無論是DRAM的Pitch收縮,還是NAND Flash堆疊層數的不斷攀升,整個行業都在堅定地邁向3D時代。在這一過程中,行業面臨著兩大挑戰:一是堆疊尺寸的不斷微縮;二是檢測精度的極致化。而在實現3D器件的過程中,有一個關鍵工藝節點——鍵合(Bonding)。
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演講嘉賓初新堂表示:“針對鍵合這一核心工藝,中安半導體也投入了大量的研發資源進行了深入的系統性研究。”
中安半導體的量測機臺引入了IPD算法,其核心邏輯在于:通過ZAS WGT量測系統對晶圓全局形變與厚度分布進行高精度采集,并將這些真實工藝數據引入鍵合環節以及后續光刻環節的Overlay分析模型中,從而實現對鍵合后以及光刻后Overlay偏差的提前預判。實測數據顯示,中安半導體的量測方案的數據相關性遠超行業傳統方案,可以有效提升3D堆疊工藝的可靠性與良率。
面向硅片制造環節,中安打造專用設備矩陣,覆蓋硅線切、研磨、拋光、刻蝕、清洗至出貨檢全流程,在厚度均勻性、平坦度等關鍵參數上實現高精度測量,為超平整晶圓生產提供技術支撐,滿足先進制程對硅片質量的極致要求。
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三:量檢測賽道的國產突破
在全球半導體量測賽道,KLA 憑借超 50% 的市占率處于絕對領先,與應用材料、日立等巨頭共同占據約 70% 的市場。盡管中國市場規模已超 210 億元且國產化率正快速跨越 20% 關口,但在先進制程等高端領域,進口依賴度依然極高。
以中安半導體為代表的本土廠商正加速國產替代進程。通過技術攻關,中安在2024 至 2026 年間實現了檢測靈敏度的連續飛躍,最新發布的 ZP8 機型靈敏度達 10.5nm,核心指標已比肩國際一線標桿。
在全球半導體產業的演進中,國產量檢測設備的崛起已成為自主可控的堅實注腳。中安半導體通過 ZP8 等核心產品的持續進化,將檢測精度推向 10.5nm 的國產新高度,為晶圓廠良率管理提供了穩固的本土支撐。國產力量的全面突破,正從根本上重構全球供應體系,捍衛中國芯片產業的長期安全。
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—— 芯榜 ——
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