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內存芯片短缺的情況似乎可能會持續到 2027 年左右,美國和韓國的主要供應商提高 DRAM 產量的速度只能滿足大約 60% 的需求。
中東地區的動蕩局勢也推高了電力和原材料成本,進一步加劇了生產前景的不確定性。
全球領先的存儲芯片制造商三星電子計劃于 2026 年在其位于韓國平澤的園區內投產第四家芯片制造廠。但全面量產要到 2027 年或更晚才會開始。
該工廠還將生產用于計算的邏輯芯片,這限制了其提高存儲器產量的能力。
第五座晶圓廠正在平澤建設中。該廠預計將專注于生產先進的高帶寬內存(HBM),這是一種用于人工智能半導體的高性能動態隨機存取存儲器(DRAM)。預計該廠要到2028年或更晚才能投產。
三星存儲器業務負責人金在俊 (Kim Jae-june) 在 1 月份表示,整個行業的生產規模都受到限制,2026 年和 2027 年的供應增長將受到限制。
全球第二大存儲器制造商韓國SK海力士于今年2月在清州市投產了一座HBM晶圓廠。這是三大存儲器供應商(包括美國美光科技)中唯一一家增產的企業,這將有助于提升2026年的供應量。
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SK海力士正在加快首爾附近龍仁市工廠的建設,目標是在2027年2月完工——比原計劃提前三個月。
SK集團董事長崔泰元在3月中旬表示,人工智能存儲器的供應限制可能會持續到2030年,他指出晶圓短缺以及短期內大幅提高產量存在實際障礙。
美光計劃于 2027 年在美國愛達荷州和新加坡開始生產 HBM 芯片。該公司將于 5 月在日本廣島縣開始建設晶圓廠,目標是在 2028 年開始量產。
今年1月,美光決定從力芯半導體制造股份有限公司收購位于臺灣西北部的一家生產工廠。該臺灣工廠的產品預計將于2027年下半年開始上市。
三星、SK海力士和美光三家公司合計占據了全球DRAM市場約90%的份額。它們基本上是僅有的幾家能夠生產HBM芯片的公司。
近年來,他們優先發展HBM(高密度內存)。用于個人電腦和智能手機的通用內存的增產計劃被推遲,導致從2025年秋季開始出現供應短缺。預計2026年1月至3月的內存價格將比上一季度上漲約90%。
香港的 Counterpoint Research 估計,要解決內存短缺問題,到 2027 年,整個行業的年產量需要增長 12%,但目前的計劃僅相當于增長 7.5%。
Counterpoint 研究主管黃明生表示,供需關系要到 2028 年才能恢復正常。
隨著人工智能相關需求的增長,新增產能投產后供需狀況能否很快緩解仍不明朗。即使是最先進的存儲器工廠投產,提高生產良率也需要時間。
大約80%到90%的內存芯片用于個人電腦、智能手機和服務器,其余的則用于汽車、工業設備和其他產品。美國市場研究公司IDC報告稱,預計到2026年智能手機銷量將下降13%。
目前,內存成本約占低價智能手機制造成本的20%,但預計到2026年中期,這一比例將接近40%。隨著盈利能力下降,智能手機制造商可能會縮減產量。據報道,汽車零部件制造商也面臨著內存供應短缺的問題。
通用存儲器的技術差異化程度不高,供應過剩時價格可能暴跌。2023年,隨著新冠疫情期間個人電腦和智能手機需求激增的消退,市場出現下滑。日本NAND閃存制造商鎧俠(Kioxia)錄得史上最大虧損。美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)也出現凈虧損。
在日本,鎧俠正在考慮建設第三家生產工廠,但尚未公布具體時間表。
“我們將繼續根據市場增長情況進行有紀律的資本投資,”總裁太田博夫表示。
(來源:日經)
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