三安集成亮相EDICON 2026 新一代工藝HP56加速高頻通信應用落地

北京2026年4月22日--近日，第十一屆電子設計創新大會（EDICON2026）在北京召開。作為全球微波與射頻領域的權威盛會，EDICON匯聚了產業鏈上下游的頂尖專家，共同探討下一代通信技術的演進路徑。三安光電旗下子公司三安集成受邀出席，并發表了題為《三安射頻技術在下一代應用中的布局》的技術報告，深入分享了其在砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）及濾波器領域的最新工藝進展。

隨著3GPPR18至R20標準的演進，R21發布在即，行業對5G-A/6G網絡的能力展開充分研討，射頻前端器件因此正面臨性能與設計的嚴峻挑戰。未來的射頻設計需在R19/R20等新標準下實現更高的功率等級（PowerClass），同時非地面網絡（NTN）等新應用場景也對輸出功率及隔離度提出嚴苛指標。

此外，隨著載波聚合（CA）技術及4G/5G協同雙連接（ENDC）的普及，射頻鏈路需在更小的物理尺寸內支持更大的帶寬和輸出功率，導致功放器件熱密度急劇上升。如何在提升功率附加效率（PAE）的同時，解決高功率下的熱耦合與可靠性問題，已成為當前射頻工程師亟待攻克的核心痛點。

針對上述挑戰，三安集成在報告中詳細展示了最新一代砷化鎵工藝HP56的性能表現。對比三安的前代工藝，HP56在3.5GHz頻段下保持良好線性度的同時，實現了更高的功率增益和更優越的最大功率附加效率，相比前代HP12工藝，增益提升了2.6dB，效率提升了2.6%，能夠有效支持甚高頻及更大帶寬調制信號放大并顯著降低PA功耗。

報告同時客觀指出，隨著功率密度的提升，芯片會面臨更明顯的熱失控（ThermalRunaway）風險。對此，三安集成通過仿真與實測，提出了具體的工藝優化建議，通過調整結構和金屬間距，可以有效降低結溫，緩解熱耦合效應，為設計客戶解決高功率下的可靠性問題提供了切實可行的參考方案。

面向商業航天、非地面通信等未來高頻通信應用場景，三安集成也同步展示了在氮化鎵工藝與濾波器產品上的技術布局：

氮化鎵（GaN）技術：新一代工藝重點針對功率密度與電流崩塌效應進行了優化，旨在通過外延與工藝的代際升級，實現效率與可靠性的雙重提升，以滿足民用基站及商用航天對高效率的迫切需求。

濾波器產品：公司的1109NTNSAW濾波器系列已覆蓋n256頻段及BDS接收頻段，能夠針對性解決衛星通信中現網共存頻段臨近過密、邊帶抑制要求高的技術難點，同時帶內插損僅為1dB左右，為天地一體化通信提供關鍵支持。

三安集成將持續投入射頻工藝研發，以客戶需求為中心，為全球客戶提供高性能、高可靠性的射頻制造方案，助力下一代無線通信技術與產業的高質量發展。