安徽
近日，韓國首爾中央地方法院就一起震動全球半導體行業(yè)的“商業(yè)竊密案”作出一審判決，56歲的三星前工程師全某因向中國某存儲芯片企業(yè)泄露核心技術，違反韓國《產業(yè)技術保護法》，被判處7年有期徒刑。
早在2025年12月，韓國檢方曾對10名三星前員工集體提起公訴，指控他們涉嫌向中國某存儲企業(yè)泄露關鍵芯片制造知識產權。
法院審理查明，全某在三星10nm級DRAM技術研發(fā)周期內離職，隨后入職對手公司，通過手寫筆記的方式，竊取并傳遞了超過600項DRAM制造的詳細工藝步驟，核心涉及三星耗時五年、投入1.6萬億韓元（約合10.8億美元）研發(fā)的10nm級DRAM全套技術數據。
法院明確認定，涉案技術屬于韓國“核心國家技術”，其泄露行為給韓國帶來了潛在萬億韓元級別的經濟損失，同時幫助中國對手企業(yè)獲得了顯著的技術先發(fā)優(yōu)勢，使其10nm級HBM2內存產品的亮相時間遠超行業(yè)預期。
檢方指出，在先進光刻機獲取受限的背景下，該企業(yè)的技術躍遷速度完全超出常規(guī)發(fā)展節(jié)奏，顯然是三星核心知識產權推動的直接結果。
檢方指控顯示，全某通過此次技術泄露獲得了豐厚回報，累計拿到29億韓元（約合200萬美元）的資金，外加對手公司的股票期權及其他合同約定的激勵權益。不過法院在最終量刑時，將全某案發(fā)時在三星的薪酬偏低情況列為了減刑考量因素。
當下，隨著AI算力需求爆發(fā)，三星、SK海力士、美光等主流DRAM廠商紛紛集中產能優(yōu)先生產AI加速器所需的HBM產品，導致通用內存出現明顯供應缺口，價格持續(xù)上漲。
在全球芯片技術發(fā)展最緊要的關口，韓國的這個判決還是太輕了。
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