廣東
近期，英飛凌先后宣布與為光能源、思格新能源達成深度合作，旨在加速碳化硅（SiC）在光儲及數據中心領域的應用落地。
2026年，碳化硅（SiC）迎來新舊動能切換的關鍵拐點，其在儲能PCS中的應用比例正快速提升，有機構數據顯示2030年光儲SiC市場需求將達50億美元級，業內人士預計，2026年，碳化硅PCS在儲能領域滲透率或有望達到10%。
▍英飛凌先后攜手為光能源、思格新能源
5月13日，英飛凌科技宣布已與思格新能源正式深化合作，通過深度集成英飛凌新一代1200V CoolSiC? MOSFET G2 碳化硅解決方案，將思格戶用光伏儲能逆變器效率提升0.6%，體積縮小15%。
此前4月，英飛凌還與西安為光能源科技有限公司達成深度合作，雙方將依托英飛凌的 CoolSiC?MOSFET G2 碳化硅分立器件技術，助力為光能源通用固態變壓器（SST）產品研發，提升其在儲能系統、充電樁以及數據中心領域的應用效能。
隨著SiC在儲能領域應用加速，不少碳化硅器件廠商也紛紛瞄準這一賽道，除英飛凌外，昆芯科技、瞻芯電子、芯塔電子等企業均已推出可用于儲能領域的SiC產品。
▍儲能PCS迭代，SiC成標配
據行家說儲能不完全統計，2026年以來共有10家企業推出儲能PCS新品，均搭載了SiC技術。如匯川技術的靈汐·InoLynx全時交直流一體PCS，利用碳化硅技術提高PCS效率；億蘭科的光儲柴混合逆變器HMiWay系列采用碳化硅器件，降低機組重量并提高效率。
從系統層面來看，碳化硅提升了儲能系統的整體效率。例如，東方日升3月底發布的131kW/261kWh、131kW/522kWh兩款全液冷SiC工商業儲能一體機，通過使用碳化硅模塊，使損耗與傳統IGBT方案相比降低40%；遠景集團4月初發布的12.5MWh AI儲能系統，也配備了第三代碳化硅PCS，實現效率達99.3%，系統能效超92%，并網效率提升超50%。
從具體場景來看，SiC正成為新一代儲能PCS的主要選擇，并全方位賦能儲能系統升級。
工商業儲能場景中：基于SiC模塊的PCS相較傳統IGBT方案優勢明顯：效率提升約1個百分點，功率密度提高20%–25%，濾波電感體積顯著縮小。以125kW等級PCS為例，總損耗降低20%–30%。在對效率和體積敏感的一體化儲能柜中，SiC模塊已成為新一代工商業PCS的標配；
集中式大儲及電網側儲能場景中：尤其是1500V系統與三電平T型/NPC拓撲結構中，SiC 模塊被用于提升效率并簡化電路設計。實測數據顯示，SiC PCS的關斷損耗較IGBT降低約47%，系統最高效率突破99.3%。同時，高頻化使濾波器體積減小約40%，相應成本也有所下降；
AIDC場景中：GPU負載劇烈波動，要求儲能PCS具備毫秒級功率響應能力。SiC MOSFET憑借高頻、低開關損耗的特性，被重點應用于隔離型DC/DC等關鍵環節。尤其是在800V高壓直流配電架構下，1200V SiC MOSFET作為高壓側開關的主力器件，用于提升系統效率和動態響應能力。
從工商業儲能中SiC效率提升約1個百分點，到大儲場景下關斷損耗降低47%，再到AIDC場景中毫秒級功率響應的剛性需求——SiC正以實打實的數據證明其技術價值。但技術價值能否轉化為商業價值？光儲融合究竟是確定性的剛需，還是待驗證的故事？AIDC儲能的確定性機會究竟在哪里？這些問題的答案，不會自己浮現。
行家說儲能定于2026年6月2日舉辦“AI算力浪潮下：儲能多場景創新與應用趨勢分析會”，并同步發布《2026 AIDC數據中心儲能與SiC/GaN技術應用報告》。屆時，會議將直面儲能系統、儲能PCS及碳化硅、氮化鎵等核心部件的技術進展，深入拆解光儲融合、AIDC等場景的確定性機會——不談空話，只給答案。
讓更多人看到有價值的信息!
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
