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2026年第一季度,荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)財報數據引發關注:其在華銷售額占比從2025年第四季度的36%驟降至19%,創近年新低。
歐洲科技界領軍人物之一、ASML首席執行官富凱在5月20日公開警告,阿斯麥目前向中國出售的DUV設備,本就是基于2015年,為八代之前的老技術。進一步收緊DUV光刻機對華出口,只會加速中國自研替代進程,“把中國逼入絕境,反而會激發中國自主突圍的決心”。
一邊是全球光刻機龍頭,在華市場份額斷崖式下滑,一邊是中國半導體業界集體發聲、國家層面規劃加持,這場圍繞光刻機的博弈,正從“技術禁運”走向“自主突圍”的關鍵轉折點。
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這場博弈的導火索,始于美國主導的半導體設備出口管制,且持續層層加碼。
一句話先說明DUV和EUV有何分別。
DUV是深紫外光刻機,負責生產28納米及以上成熟芯片;EUV是極紫外光刻機,專門制造7納米以下頂級先進芯片,也是美國最先徹底禁運中國的設備。
2020年起,美國率先禁止ASML向中國出口EUV光刻機,直接切斷中國獲取7納米以下先進制程芯片制造設備的路徑。
今年4月,美國國會進一步提出《硬件技術控制多邊協同法案》(MATCH法案),試圖將DUV光刻機納入全面禁售范圍,逼迫荷蘭、日本等盟友協同封鎖。
管制收緊的影響直接體現在市場數據上。ASML財報顯示,2025年其在華銷售額占比仍達33%,2026年1月預計全年占比降至20%,而第一季度實際占比已經跌到了19%。中國海關數據同步印證,2026年第一季度,中國自荷蘭進口光刻設備,同比下降24.3%。
對此,ASML首席執行官富凱公開警示,過度封鎖將加速中國自研。他以“沙漠求生”比喻:“如果我把你放到沙漠里,告訴你今后再也沒有食物了,你需要多久才開墾出菜園?這是存亡的問題。”這種表態,本質上是對技術封鎖反噬效應的理性判斷,也側面印證中國自研進度已形成潛在替代壓力。
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客觀而言,中國光刻機技術與ASML仍存在代際差距。目前ASML壟斷全球EUV市場,唯一能量產7納米以下制程芯片;其DUV光刻機可覆蓋14-90納米制程,是全球主流成熟制程核心設備。
而中國當前主力量產機型為上海微電子的90納米光刻機,28納米DUV光刻機仍處于研發測試階段,預計短期內實現交付。中國在EUV的激光光源、移動平臺和光學系統等關鍵領域已經取得突破性進展,但如何“舉國之力”將這些技術整合為完整產業體系,是“十五五”期間必須解決的問題。
中國擁有全球最大的半導體市場和完整產業鏈支撐。成熟制程芯片需求旺盛。在功率半導體、汽車電子、物聯網芯片等領域,90-28納米制程設備完全可以滿足需求,為國產光刻機提供廣闊的市場驗證空間,形成“研發-量產-迭代”的良性循環。
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從本質看,當前光刻機博弈是科技霸權與產業自主的較量。美國試圖通過技術封鎖維持半導體領域壟斷地位,但其策略存在明顯局限性:
一是全球產業鏈深度融合,荷蘭、日本等盟友并非完全順從,荷蘭反對MATCH法案,本質是擔憂失去中國市場;二是封鎖倒逼資源聚焦,中國集中力量攻關核心技術,反而加速技術突破;三是市場需求難以替代,中國成熟制程芯片需求龐大,ASML雖然在華份額下滑,但還是將中國視為長期關鍵市場。
對中國而言,突破光刻機技術是一場持久戰,需要理性看待差距、穩步推進。一方面,要堅持“舉國體制+ 市場導向”結合,國家統籌資源,打破企業、科研院所壁壘,避免重復研發;另一方面,要立足成熟制程,先實現28-90納米光刻機規模化量產,滿足國內市場需求,再逐步向EUV等先進制程突破。同時,加強國際合作,在非敏感領域開展技術交流,吸引全球人才,降低研發難度。
ASML的預警早已揭示真相:技術封鎖從來不是遏制創新的終極手段,反而會激發自主創新的強大動力。當前光刻機博弈,既是挑戰,更是中國半導體產業實現跨越的機遇。ASML在華份額下滑、業界集體發聲、國家戰略加持,三重信號共同指向:中國突破光刻機技術封鎖,已進入關鍵攻堅期。
在新型舉國體制支撐下,依托龐大市場和完整產業鏈,中國逐步攻克光刻機核心技術、打造自主產業體系,是必然趨勢。這場跨越5年的攻堅,終將推動中國半導體產業擺脫外部束縛,實現真正的科技自立自強。
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