北京
芯東西（公眾號：aichip001）
編譯 劉煜
編輯 陳駿達
芯東西5月27日消息，昨日，SK海力士宣布推出iHBM解決方案。該方案把ICE（集成散熱元件）內嵌于HBM（高帶寬內存）封裝內部，將應用于HBM5等新一代產品。SK海力士稱，這款全新散熱方案可使熱阻降低30%，讓芯片在高溫、高負載工況下也能穩定運行。
ICE采用兼具電氣絕緣性與高導熱性的硅基材料打造。作為專用散熱組件，它能夠額外開辟一條散熱通道，幫助疏導HBM封裝產生的熱量。
▲iHBM解決方案概念圖（圖源：SK海力士）
此外，據《韓國先驅報（The Korea Herald）》報道，市場研究機構Counterpoint Research預測，HBM5將于2029至2030年前后問世，屆時行業還將全面轉向混合鍵合技術。這種技術摒棄傳統凸點結構，通過直接接合銅觸點實現堆疊芯片互聯。
目前，為承接爆發式增長的AI數據處理需求，HBM不斷向高堆疊、高速度方向演進，熱管理也隨之成為核心技術挑戰之一。SK海力士希望借助iHBM方案，滿足高密度、高帶寬場景下的散熱要求，進一步提升高性能計算機（HPC）與AI數據中心的運行穩定性和工作效率。
在HBM高速迭代的過程中，作為連接HBM與GPU的核心硬件接口，D2D PHY承擔著HBM基底裸片與AI加速器之間的高速數據傳輸任務。該區域的功率密度管控能力，決定著新一代HBM產品的市場競爭力。
所謂功率密度，即單位空間內產生的熱量，這項參數同時左右著設備散熱表現與服役年限。
SK海力士正通過iHBM方案，從結構層面攻克這類散熱難題。
現有HBM產品采用的是間接散熱方式，即通過核心裸片（core die）將熱量導出。而iHBM解決方案則將ICE直接放置在熱量最集中的D2D PHY區域，從而構建額外的散熱路徑。
成熟的量產能力亦是該方案的一大優勢。SK海力士基于已在市場驗證的MR-MUF技術打造的WLP（晶圓級封裝）工藝，可支持搭載iHBM方案芯片的穩定大規模量產。
其中，MR-MUF屬于半導體堆疊工藝，通過在芯片層間填充液態防護材料保護電路；而WLP可在晶圓切割前同步完成封裝與測試，既可縮減芯片尺寸，也能優化電氣性能。
此外，SK海力士稱，iHBM方案與現有SiP（系統級封裝）架構具備高度設計兼容性，客戶只需少量調整設計，便可引入這款新型散熱技術。作為主流封裝方案之一，SiP能將不同芯片以垂直或水平方式排布，令各類芯片協同工作，形成完整的系統。
iHBM技術方案發布之際，存儲市場需求已大幅超出SK海力士的產能供給。在上月舉行的第一季度財報電話會議上，該公司稱，未來三年客戶的HBM訂單需求已超出其現有產能。
不過，雖然SK海力士在高端HBM賽道穩居絕對優勢，但全球存儲行業競爭格局仍在持續變動。
《韓國先驅報》報道稱，Counterpoint Research數據顯示，2025年第四季度，三星電子在整體DRAM營收榜單中重回全球第一，結束了長達一年的第二位排名；同期SK海力士在HBM市場的份額為57%。
結語：iHBM迎來應用窗口期，技術與產能競爭仍將加劇
整體來看，iHBM技術通過結構創新優化了HBM的散熱能力，同時依托成熟的封裝工藝保障了量產與兼容性。該方案是一種結構性的改良路徑，其實際效果仍有待HBM5等下一代產品量產后才能進一步驗證。
從市場格局來看，去年第四季度，SK海力士在HBM細分領域仍保持57%的份額優勢，而三星電子則在整體DRAM營收上重回全球第一，兩大存儲巨頭各自在細分賽道鞏固優勢。
眼下，AI算力需求持續推高HBM市場熱度，行業不僅在堆疊、速率上持續迭代，熱管理、先進封裝等配套技術也逐漸成為競爭重點。對于AI數據中心和高性能計算而言，散熱、帶寬、功耗之間的平衡也始終是工程層面研發中的關鍵課題。
現階段HBM市場供需缺口顯著，存儲行業格局也處在動態變化之中，未來，各家廠商或將持續在技術研發與產能布局上展開競爭。
來源：SK海力士官網、《韓國先驅報（The Korea Herald）》
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