【CNMO科技消息】5月29日,三星電子宣布,已向全球客戶供應全球首款HBM4E 12層樣品,進一步推進下一代高帶寬存儲器產品布局。此前,三星已于今年2月啟動HBM4量產出貨,此次在數月后提供HBM4E樣品,意味著其正加快面向AI基礎設施市場的產品推進節(jié)奏。
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據了解,這款HBM4E 12層產品在設計和工藝優(yōu)化后,單引腳傳輸速率可從14Gbps提升至最高16Gbps,較上一代HBM4提升超過20%。在帶寬方面,單堆棧可提供每秒3.6TB的數據吞吐能力,可用于大語言模型及下一代AI系統(tǒng)的高強度計算需求。
容量方面,HBM4E 12層產品實現48GB容量,較前代提升超過30%。按照規(guī)劃,三星后續(xù)還將擴展32GB的8層版本和64GB的16層版本,以適配不同客戶的應用場景。
三星表示,HBM4E采用已在HBM4上驗證的工藝,也就是10納米級第六代DRAM,并結合自有4納米邏輯芯片。公司稱,這一組合有助于提升先進工藝穩(wěn)定性,并兼顧良率與量產能力。同時,產品還通過低功耗設計和封裝結構優(yōu)化,使能效較前代提升16%,熱阻特性改善超過14%。
按照計劃,三星將在此次樣品供應基礎上,依據客戶時間表推進量產供貨。作為背景,三星今年2月已實現HBM4量產出貨。公司稱,客戶對HBM4在速度和功耗表現上的反饋較為積極。去年12月,HBM4在SiP測試中達到11.7Gbps,并獲得較高級別評價。由于HBM4與HBM4E采用相同的1c DRAM和4納米基礎芯片組合,業(yè)內也關注HBM4E后續(xù)轉入量產的進展。
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