北京
【CNMO科技新聞】5月29日，三星電子宣布已開始向全球主要客戶交付業界首款12層HBM4E高帶寬內存樣品，此舉距離該公司今年2月量產上一代HBM4僅過去三個月。
本次交付的12層HBM4E內存單顆容量達到48GB，較上一代產品提升超過30%。三星還表示，未來將根據客戶的具體需求，繼續擴充32GB的8層版本以及64GB的16層產品線。
在核心性能上，HBM4E的單引腳數據傳輸速率最高可達16Gbps，相比HBM4提升了20%以上。其單堆棧帶寬高達每秒3.6TB，能大幅優化大型語言模型和下一代AI計算系統的處理效率。這款新一代存儲產品采用了三星先進的第六代10納米級（1c）DRAM工藝，并結合了三星代工廠的4納米邏輯基礎裸片技術制造，確保了優異的生產穩定性。
除了性能升級，能效與散熱表現也獲得了顯著改善。通過采用先進的低功耗設計和優化的封裝結構，HBM4E的能源效率提升了16%，熱阻特性改善了14%以上。這些技術演進能夠有效減少數據中心高負載運行時的發熱量，延長設備的使用壽命。三星計劃在完成初步的樣品測試與優化后，配合客戶日程開啟HBM4E的大規模量產。
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