湖北
2026年6月2日，三星在Computex 2026活動上展示其第八代高帶寬內存（HBM）HBM5首款實體原型產品。該樣機搭載三星自研封裝散熱技術，即導熱路徑塊（Heat Path Block，HPB），針對性解決高端AI內存的高熱難題，一經亮相便獲得全球硬件行業與專業媒體的高度關注。
三星確認，HBM5底層基底裸片（base die）將全面采用三星自研2nm先進制程工藝打造，實現了HBM核心制程的迭代升級，而上一代HBM4、HBM4E產品均沿用4nm制程工藝。作為行業內同時具備完整內存研發制造與邏輯晶圓代工能力的頭部企業，三星可實現HBM5芯片堆疊封裝、底層邏輯裸片的全流程自主生產，形成獨特的垂直整合優勢，大幅提升了下一代AI內存產品的迭代效率與核心競爭力。
傳統HBM內存普遍依賴核心裸片向外逐層傳導散熱，散熱路徑長、熱損耗高，難以適配高堆疊、高帶寬的AI算力場景。而三星全新HPB散熱架構完成了散熱邏輯的顛覆性優化：通過在內存堆疊芯片內部增設專屬獨立導熱柱結構，直接從堆疊核心區域快速導出集中熱量，再精準傳導至封裝頂部或側邊的均熱板完成全域散熱，徹底規避傳統散熱方案的短板。
該方案重點針對裸片互連物理層（D2D PHY）深度優化，該區域是HBM基底裸片與GPU、AI加速器之間的高速數據傳輸核心通道。隨著AI內存堆疊層數增多、傳輸速率持續提升，該區域功率密度與工作溫度呈指數級暴漲，已然成為制約高端HBM性能釋放、長期穩定運行的核心熱瓶頸，而HPB架構可精準破解這一行業痛點。
三星官方透露，HPB散熱技術已率先在HBM4E產品上完成落地測試與規模化驗證，技術成熟度已完全達標。企業已于2026年5月底正式出貨12層堆疊架構的HBM4E工程樣品，該樣品基準傳輸速率達14Gbps，可超頻至16Gbps，單堆疊帶寬高達3.6TB/s，單顆容量48GB，相較前代HBM4產品，在傳輸性能、運行能效與穩定性上實現全方位升級，為HBM5的技術落地奠定了堅實基礎。
目前，HBM5整體產品仍處于原型驗證與技術打磨階段，三星與SK海力士均公開預估，這款新一代AI高速內存預計2028年前后實現規模化量產商用。未來，隨著HBM內存向著更高堆疊層數、更寬傳輸接口、嵌入式智能散熱方向持續演進，先進封裝技術與定制化散熱方案將取代傳統制程迭代，成為決定AI算力基礎設施性能上限、穩定度與能效水平的核心關鍵。
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