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AI伺服器與高效能運算（HPC）需求持續升溫，帶動芯片功耗快速向千瓦（kW）等級邁進，供電效率與電源完整性成為半導體新技術戰場，供應鏈透露，聯電近年積極布局的嵌入式深溝槽電容（DTC）技術已成功打入高通供應鏈，相關產品開始出貨，在先進封裝領域再下一城。
聯電回應，對單一客戶不予評論，但先進封裝是集團積極強化的技術。業界指出，AI芯片運算能力大幅提升，GPU、AI加速器及邊緣AI芯片對「瞬時供電」需求愈來愈高，傳統封裝架構已難以滿足低雜訊、高效率的電源管理需求。
DTC技術透過在硅中介層（Interposer）或先進封裝基板內嵌高密度電容，大幅縮短供電路徑、降低寄生效應與電源雜訊，提升芯片運作穩定度與效能表現，成為先進封裝的重要關鍵技術之一。 DTC近年是國際大廠發展先進封裝的重要技術，包括臺積電CoWoS、英特爾EMIB等高階封裝平臺，均積極導入相關技術，解決AI芯片功耗持續攀升帶來的供電挑戰。
業界點出，聯電近年持續深化特殊制程技術布局，開發DTC多年，已具備量產能力，相關產品成功切入高通供應鏈，看好聯電后續搭上邊緣AI裝置快速成長列車，包括AI PC、智能手機、智能眼鏡及各式終端裝置，皆可望成為DTC技術的重要應用場域。
法人分析，聯電近年除持續鞏固成熟制程市場地位，也透過特殊制程與先進封裝周邊技術提升產品附加價值，以DTC來說，具備技術門檻高、客戶驗證周期長等特性，一旦成功導入客戶平臺，供應關系通常相對穩定，有助挹注長期營運動能。綜觀來看，法人認為，聯電此次成功切入高通供應鏈，凸顯其在特殊制程與先進封裝關鍵元件領域的技術實力。
嵌入式深溝槽電容技術解決供電痛點
AI浪潮推升高效能運算（HPC）與AI伺服器需求爆發，芯片效能提升帶動功耗增加，業界預估，下一世代AI加速器功耗將朝千瓦（kW）等級邁進，在先進封裝芯片內提供穩定且高效率的供電能力需求，達到瞬間供電，讓嵌入式深溝槽電容技術受市場高度關注。
業界指出，DTC是透過半導體制程在硅芯片內蝕刻出深溝槽結構，形成高密度電容元件，整合至硅中介層（Interposer）或先進封裝架構中。相較傳統制程將電容配置在封裝基板或電路板上，DTC能夠更靠近運算芯片核心，大幅縮短供電距離，降低電壓波動與電源雜訊，提升系統穩定度。
法人分析，DTC不僅可應用于AI加速器與GPU，也適用于網通、車用電子及高階行動處理器等領域，具備相關技術與量產能力的業者，有機會在AI應用成長過程中，成為下一波產業升級的重要受惠者。
除了云端AI伺服器外，邊緣AI市場同樣為DTC帶來龐大商機，業界補充，像是AI PC、智能手機、AR眼鏡及各類智能終端設備陸續導入生成式AI功能，芯片對運算效能與能源效率要求同步提升，相關供電管理技術需求也將水漲船高。
業界分析，AI芯片在高速運算過程中，常出現瞬間電流大幅變化，若供電系統反應慢，影響芯片效能。 DTC具備高電容密度與低寄生效應等優勢，提供瞬時電流需求，成為先進封裝提升電源完整性的解決方案。
（來源：內容來自半導體行業觀察綜合 ）
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