Bernstein最新發(fā)布的2025年中國(guó)晶圓制造設(shè)備（WFE）競(jìng)爭(zhēng)格局報(bào)告顯示，2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率從2024年的16%躍升至21%，刻蝕、薄膜沉積、摻雜、過程控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均實(shí)現(xiàn)顯著突破。其中，刻蝕國(guó)產(chǎn)化率達(dá)31%，薄膜沉積達(dá)27%，摻雜和過程控制首次突破10%大關(guān)。國(guó)產(chǎn)替代從“去美化”邁入“全鏈路自主”新階段，半導(dǎo)體設(shè)備正迎來份額提升與需求擴(kuò)張的雙擊。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）大漲4%，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、清洗、測(cè)試等核心環(huán)節(jié)，是布局國(guó)產(chǎn)替代加速與存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)紅利的核心工具。

【國(guó)產(chǎn)化率躍升至21%，刻蝕/沉積雙龍頭格局強(qiáng)化】

Bernstein于5月28日發(fā)布中國(guó)WFE競(jìng)爭(zhēng)格局報(bào)告，報(bào)告顯示，2025年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備整體自給率（國(guó)產(chǎn)化率）從2024年的16%提升至21%，提升幅度達(dá)5個(gè)百分點(diǎn)，是自2019年以來年度提升最快的一年。這背后是刻蝕、薄膜沉積、摻雜、過程控制等核心環(huán)節(jié)的集體突破。

刻蝕與薄膜沉積仍是國(guó)產(chǎn)替代主力，國(guó)產(chǎn)化率分別達(dá)31%和27%。刻蝕領(lǐng)域，中微公司（AMEC）與北方華創(chuàng)（NAURA）共同占據(jù)了國(guó)內(nèi)廠商約95%的份額，兩者份額穩(wěn)定在47%和48%，中微在CCP領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)先，北方在ICP領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)穩(wěn)固。薄膜沉積領(lǐng)域，北方華創(chuàng)和拓荊科技（Piotech）是兩大主力，北方在PVD領(lǐng)域保持壟斷地位，并積極拓展CVD/ALD；拓荊在PECVD領(lǐng)域領(lǐng)先，ALD快速成長(zhǎng)。值得注意的是，中微公司已開始在LPCVD/ALD領(lǐng)域確認(rèn)收入，成為沉積賽道的新興力量，進(jìn)一步加劇國(guó)產(chǎn)龍頭的平臺(tái)化競(jìng)爭(zhēng)。

摻雜與過程控制首次突破10%國(guó)產(chǎn)化率，邊際改善最顯著。報(bào)告顯示，摻雜（離子注入等）和過程控制（量檢測(cè)）環(huán)節(jié)2025年國(guó)產(chǎn)化率分別達(dá)到13%和10%，同比增速高達(dá)86%和63%，是增長(zhǎng)最快的細(xì)分領(lǐng)域。北方華創(chuàng)首次在摻雜領(lǐng)域確認(rèn)收入，已躋身國(guó)內(nèi)第二。過程控制環(huán)節(jié)，中科飛測(cè)、精測(cè)電子、上海睿勵(lì)等企業(yè)持續(xù)突破，在無圖形晶圓檢測(cè)、薄膜量測(cè)等領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)批量供貨。低國(guó)產(chǎn)化率環(huán)節(jié)的加速追趕，意味著替代空間被進(jìn)一步打開。

光刻和涂膠顯影仍是“最后的堡壘”。光刻環(huán)節(jié)自給率仍低于1%，上海微電子（SMEE）等企業(yè)雖已出貨，但主要集中在后道封裝領(lǐng)域，前道光刻仍需數(shù)年突破。涂膠顯影（Track）國(guó)產(chǎn)化率同樣極低，芯源微是國(guó)內(nèi)唯一具備量產(chǎn)能力的廠商，但份額提升尚需時(shí)間。這也恰恰說明，一旦這些環(huán)節(jié)取得突破，將釋放巨大的替代彈性。

【存儲(chǔ)超級(jí)周期+先進(jìn)封裝，設(shè)備需求剛性釋放】

Bernstein在報(bào)告中特別指出，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)客戶已因存儲(chǔ)超級(jí)周期大幅上修未來幾年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，先進(jìn)邏輯也將因國(guó)產(chǎn)AI芯片需求激增而加速產(chǎn)能擴(kuò)張。這與WSTS預(yù)測(cè)的2026年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)90%、存儲(chǔ)暴漲250%的數(shù)據(jù)高度吻合。

HBM4全面量產(chǎn)，TSV/混合鍵合/測(cè)試設(shè)備需求井噴。黃仁勛已確認(rèn)SK海力士、三星、美光三家存儲(chǔ)巨頭通過認(rèn)證，將量產(chǎn)HBM4并供應(yīng)Vera Rubin平臺(tái)。TrendForce預(yù)計(jì)到2027年HBM晶圓投入量將占DRAM總投入的30%。HBM的TSV通孔刻蝕、多層堆疊鍵合、KGSD測(cè)試等工藝，直接拉動(dòng)高深寬比刻蝕、混合鍵合、晶圓級(jí)測(cè)試設(shè)備需求。北方華創(chuàng)、中微公司在TSV刻蝕領(lǐng)域深度布局，拓荊科技的混合鍵合設(shè)備已進(jìn)入客戶驗(yàn)證，國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備商亦有望在HBM測(cè)試環(huán)節(jié)分得一杯羹。

先進(jìn)封裝設(shè)備迎來卡位機(jī)遇，北方華創(chuàng)面板級(jí)封裝去膠設(shè)備成功出貨。日月光推出310mm×310mm面板級(jí)封裝自動(dòng)化產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2027年上半年量產(chǎn)。北方華創(chuàng)首臺(tái)600mm×600mm面板級(jí)封裝去膠設(shè)備成功出貨，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)設(shè)備正式切入先進(jìn)封裝關(guān)鍵制程。

【半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）：一鍵布局國(guó)產(chǎn)替代加速+存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)雙主線】

Bernstein報(bào)告揭示了一個(gè)重要趨勢(shì)：全球設(shè)備商在中國(guó)的收入正從“提前拉貨”階段逐步正常化，而國(guó)產(chǎn)廠商的份額提升是可持續(xù)的商業(yè)進(jìn)展。2025年，應(yīng)用材料（AMAT）、東京電子（TEL）等全球龍頭在中國(guó)區(qū)的收入同比出現(xiàn)下滑（LRCX除外），而國(guó)產(chǎn)廠商卻實(shí)現(xiàn)了37%-67%的同比增長(zhǎng)。這表明，國(guó)產(chǎn)替代已不再是單純的政策驅(qū)動(dòng)，而是基于技術(shù)成熟度和成本競(jìng)爭(zhēng)力的商業(yè)選擇。

在國(guó)產(chǎn)化率躍升至21%、存儲(chǔ)超級(jí)周期驅(qū)動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)、先進(jìn)封裝設(shè)備突破的多重催化下，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)正迎來“份額提升+需求擴(kuò)張+國(guó)產(chǎn)替代深化”的三重共振。刻蝕、薄膜沉積、量檢測(cè)、摻雜、測(cè)試、先進(jìn)封裝等各環(huán)節(jié)均處于景氣上行通道，而涂膠顯影、光刻等低國(guó)產(chǎn)化率環(huán)節(jié)更蘊(yùn)藏巨大的替代彈性。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)，成分股覆蓋核心設(shè)備龍頭，全面覆蓋從晶圓制造到先進(jìn)封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。相較于個(gè)股投資，ETF可有效分散單一技術(shù)路線和客戶驗(yàn)證風(fēng)險(xiǎn)。在國(guó)產(chǎn)芯片從“追趕制程”邁向“架構(gòu)引領(lǐng)”的歷史性轉(zhuǎn)折中，半導(dǎo)體設(shè)備ETF國(guó)泰（159516）是投資者把握國(guó)產(chǎn)芯片創(chuàng)新紅利的優(yōu)選工具。

注：提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。