江蘇
6 月 11 日，芯聯集成（688469.SH）發布公告，計劃在浙江省紹興市合資建設一 條月產能達 5 萬片的 12 英寸數模混合芯片生產線。該項目作為公司的第四期投 資項目，計劃總投資約 200 億元，其中芯聯集成出資 30.12 億元，持股 25.1%。 此舉被視為芯聯集成在鞏固其新能源汽車與工業控制芯片制造優勢的同時，系統 性切入 AI 服務器電源管理芯片與光互聯芯片兩大高增長賽道的關鍵布局。在全 球 AI 算力需求爆發式增長與國內半導體產業自主可控趨勢加速的背景下，這一 重大投資旨在提升國內在高端模擬、功率及硅光芯片領域的制造能力。
五大平臺覆蓋車規、AI 電源、硅光及鍺硅等技術平臺
第四期項目將主要聚焦于五個核心工藝平臺的研發與制造，涵蓋從成熟制程到先 進節點的關鍵技術：
1. 55nm 至 28nm 車規級 MCU 及 AI 端側 DSP 芯片平臺：面向智能汽車、工業 自動化及 AIoT（人工智能物聯網）領域，其中 AI 端側 DSP 的布局旨在為 邊緣計算設備提供本地化算力支持。
2. 90nm 數模混合芯片平臺：專注于高性能、高功率、高可靠性的 BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）工藝，主要服務于新能源汽車、工業控制及高端消費電子市場。
3. 55nm AI 服務器高頻電源管理芯片制造平臺：直接面向 AI 服務器電源系 統的需求，為 CPU/GPU 等高性能計算芯片提供高功率密度、高效率的供電 解決方案，以應對全球數據中心對先進電源芯片的迫切需求。
4. 55nm 硅光芯片平臺：瞄準數據中心光互連、AI 集群內部高速通信以及高 速光模塊市場。該平臺將在一期 8 英寸硅光產線及三期 12 英寸 90nm 硅光 技術的基礎上，進一步建設和擴大 55nm 硅光芯片的產能。
5. 面向光引擎的 55nm SiGe（鍺硅）跨阻放大器與激光驅動芯片平臺：覆蓋 高速光模塊接收端與發射端的核心電芯片。該平臺將與 55nm 硅光平臺協 同，形成“硅光芯片+配套電芯片”的完整解決方案，為客戶提供一站式 光引擎代工服務。
光模塊 BOM 成本中，光芯片與電芯片合計占比約 70%至 80%，其中 TIA 與驅動 器更是電芯片中的價值高地。隨著全球 AI 算力需求持續增長，數據中心光互 連技術正從橫向擴展向縱向擴展、乃至封裝內芯片間互連演進，硅光技術的 重要性日益凸顯。芯聯集成正在以前瞻性布局搶占行業制高點。
產能將超 40 萬片/月，芯聯集成卡位國內高端模擬及光互聯制造核心地位
隨著四期項目的規劃與未來投產，芯聯集成的整體晶圓制造產能預計將顯著提升。 在一期、二期、三期項目達產的基礎上，公司總產能（折合 8 英寸）預計將超過 每月 40 萬片。
此次擴產正值關鍵的市場窗口期：
AI 算力需求激增：全球范圍內大模型訓練與推理需求持續攀升，帶動了 對高端 AI 服務器及其核心部件（如電源管理芯片、光互聯芯片）的爆炸性增長。
汽車電子化與智能化：新能源汽車滲透率快速提高，單車半導體價值量大 幅提升，特別是車規級 MCU、功率半導體等需求旺盛。
高端模擬芯片產能缺口：國內車規級、工控級高端模擬芯片長期面臨產能 供不應求的局面，本土自主制造能力不足，核心產能仍高度依賴海外代工廠。
芯聯集成此次 200 億元的投資，旨在持續鞏固和擴大其在功率半導體、高端模擬 芯片、MCU 等領域的產能與技術優勢。同時，該項目也將加速推動國內硅光芯片 的制造能力建設，使其能夠在 AI 算力時代的基礎設施——“芯基建”賽道中占 據更有利的位置。
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