文/王新喜

最近半導(dǎo)體圈出了件很多人沒看透分量的事：最高人民法院作出臨時禁令復(fù)議裁定，維持蘇州中院此前判決，正式禁止英飛凌相關(guān)氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在中國境內(nèi)銷售、許諾銷售及進口，并駁回英飛凌全部復(fù)議請求。

這是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展幾十年，第一次在前沿核心賽道上，用對手最擅長的專利規(guī)則，走正規(guī)司法程序，從國家知識產(chǎn)權(quán)局到北京知識產(chǎn)權(quán)法院，再到最高法，三層核驗，專利有效性板上釘釘，把全球頂級巨頭清出了市場。

英飛凌先動的手

時間倒回2024年，彼時英諾賽科已經(jīng)悄悄做到了全球GaN功率器件出貨量第一，市占率超過三成，把英飛凌、PI這些老牌廠商都甩在了身后。

根據(jù)Yole發(fā)布的2023-2024年全球的氮化鎵市場，英諾賽科以為30%位居第一，其次是Navitas（17%）、Power Integrations（15.2%）、EPC（13.5%）和英飛凌（11.2%）。

而且它不止是做低端快充，已經(jīng)打進了英偉達AI數(shù)據(jù)中心的供應(yīng)鏈，車規(guī)級產(chǎn)品也開始批量裝車。

英飛凌急了，擺開了全球圍剿的架勢，想把中國GaN龍頭直接掐死在上升期。

2024年中開始，英飛凌連出兩招殺招：在美國啟動337調(diào)查，在德國本土起訴。

這一套“成本產(chǎn)能拼不過，直接用專利規(guī)則降維打擊”，歐美企業(yè)玩了幾十年，經(jīng)驗太豐富了，后發(fā)企業(yè)基本都是被動挨打的份。

但后來的兩個關(guān)鍵細(xì)節(jié)被業(yè)內(nèi)關(guān)注。

第一，英飛凌告的四項專利，最后被撤掉了兩項，剩下的一項還是封裝類的外圍專利；

第二，英諾賽科早就做了規(guī)避設(shè)計，在售的新型號完全不侵權(quán)，所謂的禁售令，管的都是已經(jīng)停產(chǎn)的老產(chǎn)品，實際殺傷力幾乎為零。

就在英飛凌把注意力都放在堵出海通道的時候，2025年，英諾賽科反手一劍，在蘇州中院起訴英飛凌，指控對方侵犯自己兩項GaN核心發(fā)明專利——

是功率器件的底層結(jié)構(gòu)和制備方法，屬于那種“產(chǎn)品只要做出來就繞不開”的基礎(chǔ)專利。

后面的事大家都看到了：國知局駁回英飛凌的專利無效申請，北京知識產(chǎn)權(quán)法院再駁，蘇州中院一審判侵權(quán)成立，最高法復(fù)議維持原判。一路下來，英飛凌連輸四場，沒有翻盤空間。

英飛凌花了一年多，在德國與美國打了兩場聲勢浩大的專利戰(zhàn)，最后只封了對方一堆停產(chǎn)的舊型號；而英諾賽科只在國內(nèi)打了一場，就直接封死了英飛凌在中國的全部GaN業(yè)務(wù)。

為什么贏的是英諾賽科

這容易讓人聯(lián)想到，中國企業(yè)在本土打官司有本土化優(yōu)勢，但只要稍微了解下專利訴訟的邏輯就知道，要是專利本身站不住腳，別說三層司法核驗，就是第一關(guān)國知局的無效宣告都過不去。

英飛凌第一時間就申請了專利無效，過去很多國內(nèi)企業(yè)的專利，都在這一步被廢掉了。但這次，它失敗了。

原因在于：英諾賽科的這兩項專利，是真的卡在了GaN技術(shù)路線的關(guān)鍵節(jié)點上。

作為全球功率半導(dǎo)體的老大哥，英飛凌過去的重心一直放在碳化硅（SiC）上，GaN更像是個“補充業(yè)務(wù)”，是2024年花大價錢收購加拿大公司GaN Systems拿來的。沒投入多少底層研發(fā)。

而英諾賽科從成立第一天起，就all in 硅基GaN這條路線，從8英寸產(chǎn)線量產(chǎn)，到器件結(jié)構(gòu)迭代，邊造芯片邊把生產(chǎn)中踩過的坑、優(yōu)化過的結(jié)構(gòu)，一點點變成了底層專利。

這種從量產(chǎn)里磨出來的專利，不是實驗室里的紙面技術(shù)，是能卡死產(chǎn)品路線的。

英飛凌收購來的技術(shù)路線，剛好就踩在了這個坑里。

過去歐美企業(yè)擅長使用“專利壁壘”來對付正在崛起的對手，在氮化鎵這條全新的賽道上，中國企業(yè)第一次搶在了巨頭前面，把底層結(jié)構(gòu)的專利，先攥在了自己手里。

其實英諾賽科在氮化鎵這條全新賽道，技術(shù)更過硬，是站在國內(nèi)整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大環(huán)境下。

我們知道，第三代半導(dǎo)體材料，大家聽說的已經(jīng)很多了，最典型的就是碳化硅和氮化鎵。氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料的代表，第四代半導(dǎo)體材料，稱為“超寬禁帶半導(dǎo)體”。

而第三代，被稱為“寬禁帶半導(dǎo)體”，擁有更寬的禁帶，意味著氧化鎵可以承受更高的工作溫度和電場強度，可以用在更多極端場景上。

氧化鎵還有更高的載流子遷移率和飽和速度，使得氧化鎵制成的器件擁有更強的高頻、高速性能。

去年三月有一個業(yè)內(nèi)關(guān)注的大事，我國在國際上首次成功生產(chǎn)8英寸氧化鎵單晶，成為首個掌握該項技術(shù)的國家，這是我國在第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)先的縮影。

根據(jù)氧化鎵相關(guān)專利來看，我國是世界上最大的專利申請國，占全部申請量的55%，簡單來說，氮化鎵和氧化鎵都是半導(dǎo)體材料，但分屬不同代際，氮化鎵是第三代代表，氧化鎵是第四代新星，我國在第四代都已經(jīng)領(lǐng)先了，在這種情況下，國外廠商基本繞不開我國專利，在這種情況下，國外廠商要打?qū)＠麘?zhàn)，只能自討苦吃。

英飛凌的GaN專利，英諾賽科已經(jīng)靠規(guī)避設(shè)計繞開；而英諾賽科的核心專利，是英飛凌產(chǎn)品進入中國市場繞不過去的坎。

功率半導(dǎo)體尤其是工業(yè)、車規(guī)級的產(chǎn)品，進入客戶供應(yīng)鏈要走漫長的認(rèn)證周期，車規(guī)級認(rèn)證動輒一兩年，數(shù)據(jù)中心的供應(yīng)商切換也需要反復(fù)驗證。

中國是全球最大的GaN消費市場，占了全球四成以上的需求，英飛凌在華的氮化鎵業(yè)務(wù)主要集中在工業(yè)/服務(wù)器高壓及車規(guī)級模塊等領(lǐng)域，因此一旦禁售，對其具有一定影響。

當(dāng)然，它不會徹底退出GaN賽道，還能守著歐美本土的高端細(xì)分市場，但想要再回到全球第一梯隊，基本不可能了。

氮化鎵芯片的話語權(quán)，正在易主

過去幾十年，海外半導(dǎo)體巨頭進入中國市場，拿著歐美的專利，在中國隨便賣、隨便告中國企業(yè)侵權(quán)，幾乎沒代價。

這次之后，海外半導(dǎo)體巨頭被上了一課，時代已經(jīng)變天了，來這里做生意，得尊重這里的知識產(chǎn)權(quán)，真的侵權(quán)了，真的會被清出去。

過去幾十年的產(chǎn)業(yè)突破，不管是家電、光伏還是新能源汽車，我們的路徑基本都是三步走：第一步靠成本和產(chǎn)能搶占中低端市場，第二步靠規(guī)模迭代追趕技術(shù)，第三步靠專利和標(biāo)準(zhǔn)掌握話語權(quán)。

過去我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一直停留在前兩步。國產(chǎn)替代的核心是“能不能造出來”。

如今在下一代氮化鎵芯片上，我們已是全球領(lǐng)先，從產(chǎn)能到出貨量到底層核心專利都是第一，能靠規(guī)則把巨頭擋在門外。

臺灣省名嘴介文汲2024年就指出：“如果將來氮化鎵的第二代芯片出來的話，整個原材料在中國手里面，所以在現(xiàn)在這種情況下，市場技術(shù)掌握在中國，原材料掌握在中國，趨勢對中國更有利。”

如今介文汲的話被驗證了。

一旦我國的國產(chǎn)替代走到了第三階段，后面的規(guī)則主導(dǎo)就會順理成章。氮化鎵只是第一個。接下來在碳化硅、在射頻芯片、在更多的第三代半導(dǎo)體賽道，我們會看到越來越多類似的事情。

今天的氮化鎵，就像當(dāng)年的光伏與新能源汽車。從被別人用專利卡脖子，到用專利卡別人的脖子；從規(guī)則的被動接受者，到主導(dǎo)規(guī)則話語權(quán)。英飛凌的這道禁令，不是終點，而是開始。