文 | 產聯社CLS

近日，SK海力士375層第10代3D NAND閃存完成生產驗證，年底將在清州M15工廠量產。這款產品最初規劃400層，因工藝難度下調，但真正的突破在于：字線金屬柵極首次用鉬取代了沿用十余年的鎢。

三星早在2024年4月量產的286層產品中就已率先引入鉬，第十代400層以上產品定于2026年下半年面世。美光則在NAND與DRAM雙線布局。

國金證券5月31日研報指出，全球存儲巨頭不約而同的材料轉向，釋放出清晰信號：鉬正從邊緣輔料逆襲為半導體核心戰略材料，鉬價有望受益于高端制造和能化需求的共振。華泰證券、東莞證券等多家機構也表示，稀有金屬供需格局持續優化，鎢、鉬、鍺受新能源與AI雙輪驅動，供應偏緊，價格中樞有望上移。

接下來，我們將從技術切換入手，系統梳理鉬的物理稟賦、以鉬代鎢的技術邏輯、存儲大廠的路線差異、需求“三級火箭”式爆發、供給側剛性困局及產業鏈價值分布。

來源：科普中國

鉬：從鋼鐵“維生素”到半導體“主角”

鉬（Molybdenum），原子序數42，熔點2622℃，是一種銀白色的難熔金屬，兼具高強度、高導熱、耐腐蝕和良好導電性。

全球約80%的鉬用于鋼鐵冶金，被稱為鋼鐵的“維生素”。工程機械、油氣管道、汽車零部件等均離不開含鉬合金鋼。化工領域的加氫脫硫催化劑以及軍工航天的高溫合金也是傳統需求大戶。在半導體行業，鉬長期扮演“配角”：濺射靶材、散熱基板，用量小、關注度低。

但鉬的地位正經歷“三級跳”：早期僅作輔助材料；隨著ALD原子層沉積技術成熟和鉬前驅體商業化，鉬開始切入邏輯芯片接觸孔、先進封裝TSV等場景；3D NAND突破300層后，傳統鎢材料觸及物理極限，鉬一躍成為字線金屬柵極的首選方案，正式躋身核心戰略材料。國金證券將鉬列為2026年重點品種，認為其“有量無價”的僵局正在打破。長江證券2026年5月研報將其定位為“油氣軍工金屬”，測算供需缺口自2026年逐步擴大，至2028年達到極致。

鎢出局，鉬上位：一場材料換血的底層邏輯

要理解為什么要換掉鎢，先得明白3D NAND里“字線”是干什么的。

簡單說，字線就是連接存儲單元的“控制線”，負責選中某一層、某一行的單元來讀寫。層數越高，字線越多，線寬也被壓到納米級。這條線的材料好不好，直接決定了芯片跑得快不快、能存多密。

早期64層、96層時代，多晶硅電阻太高，被金屬鎢取代。鎢確實能干，撐起了3D NAND從幾十層到幾百層的跨越。但到了300層以上、線寬被壓到10納米以下時，鎢就扛不住了。

鎢有三大致命傷：

第一，電阻暴漲。線太細之后，電子在鎢里面“跑不動”，電阻率斷崖式上升，產生嚴重延遲，讀寫速度被拖慢。

第二，浪費空間。鎢不能直接貼在絕緣層上，必須墊一層氮化鈦作阻擋層。別小看這一層，375層甚至400層堆起來，阻擋層累計會擠占30%到40%的有效厚度，白白浪費了寶貴的垂直空間。

第三，氟殘留。鎢沉積用的氣體是六氟化鎢，容易殘留氟原子，會腐蝕芯片的介電層，導致漏電、失效。

來源：imec研究報告（2018年IITC會議；引自《半導體行業觀察》編譯文章）

鉬剛好能解這三個難題。

宏觀上，鎢和鉬的導電能力差不多。但到了納米尺度，鉬的電子平均自由程更短，10納米以下時電阻率比鎢低30%到50%，信號傳輸明顯更快。鉬還不需要阻擋層，可以直接貼上去，省出來的空間全變成導電金屬，同等線寬下有效導電截面更大。而且鉬用的是無氟前驅體，徹底告別氟殘留造成的腐蝕和漏電。工藝上也更友好：鉬完美適配主流的ALD原子層沉積技術，能均勻填充超深孔道，薄膜質量遠超鎢的老工藝。

當然，鉬也有麻煩。 最大的麻煩是：鉬前驅體在常溫下是固態，不像氣態六氟化鎢那樣好輸送。生產時必須高溫加熱，還要精準控制用量和速度，對設備和工藝要求很高。SK海力士在對比泛林集團和東京電子的設備后，選了后者。東京電子的爐式設備一次能處理100片晶圓，采購成本、場地占用和物料消耗都更有優勢。

中信證券近期判斷，在基建落地和新能源金屬需求分化的背景下，鉬、鎢等供給剛性強、下游確定性高的品種，價格中樞有望溫和上移。

巨頭賽跑：三星、海力士、美光……誰領“鉬”局？

面對鉬帶來的性能紅利，各家存儲大廠的反應速度和策略不盡相同。

三星電子走在了最前面。自2024年4月起量產的第九代286層3D NAND，就已將鉬應用于金屬布線環節。第十代400層以上產品定于2026年下半年推向市場，鉬的應用范圍還將持續擴大。根據國金證券測算，三星2025年的鉬材料采購量約為4噸，2026年預計增至10噸，到2030年將達到80噸（均為行業測算值，非官方披露）。

SK海力士快速跟進。375層V10年底量產，后續規劃480層、604層。供應鏈上，液化空氣、英特格、默克為主力供應商，韓國SK Specialty正積極入局。SK海力士2027年起大規模導入鉬，據行業測算，初期年采購約4噸。值得注意的是，它未新建廠房，而是改造清州M15舊產線以降低成本。行業分析顯示，其375層NAND的鉬替換率2026年二至三季度將達15%-35%，據行業分析，2027年NAND行業鉬材料整體替換率有望攀升至55%-75%，屆時鉬需求將進入井噴期。

美光采取雙線布局策略，同時在NAND和DRAM領域推進鉬材料的應用，并探索復合金屬技術路線，試圖以差異化方案搶占先進制程的先機。

鎧俠和西部數據則相對保守，目前仍處于技術驗證階段，尚未有明確的量產時間表。

國金證券指出，進口鉬礦去化程度較高，國內鉬價走穩回升。產業鏈上下游去庫，順價邏輯逐步兌現，疊加鋼材合金化趨勢，鉬價“有量無價”的僵局正在打破。華泰證券也分析指出，短期宏觀利率預期雖有壓制，但中長期景氣向好。這場“鉬暗戰”不僅是材料選擇的分野，更將直接重塑NAND和HBM市場的競爭格局。

需求的三級火箭：從NAND到HBM再到邏輯芯片

鉬在半導體領域的需求爆發并非單一場景驅動，而是一條清晰的“三級火箭”傳導路徑。

第一級：NAND是當前最確定的增量。 僅字線直接用量，三星到2030年的采購量預計達到80噸，SK海力士從2027年起每年約4噸起步，兩家合計將接近百噸。若算上靶材等更廣口徑，實際需求遠不止此。國金證券指出，鉬同屬軍工金屬，庫存持續低位，海外國防開支增加或進一步拉漲鉬價。

第二級：DRAM/HBM是下一個增長極，而且速度可能比預想的更快。HBM通過垂直堆疊DRAM層來提升帶寬，HBM4規格的層數已達12至16層。在這種高密度堆疊場景下，鎢的高電阻、氟殘留、填充困難等短板被極致放大。鉬的電阻率比鎢低30%至50%，無需氮化鈦阻擋層，接觸電阻降低約56%。單顆HBM的鉬靶用量約為普通DRAM的3到5倍，而HBM4的鉬滲透率已接近100%。隨著三星、SK海力士、美光在HBM3e和HBM4產品中全面轉向鉬字線，DRAM領域對鉬的需求正在快速追趕NAND。

華泰證券在展望2026年半導體行業時表示，AI驅動的HBM及高容量DDR5需求仍保持旺盛，預計2026年DRAM市場供需關系仍將保持緊張。在NAND方面，HDD供應已出現短缺，疊加AI推理應用快速增加，將共同拉動企業級SSD需求增長，推動NAND供需結構持續優化。這一趨勢將為鉬材料在存儲領域的滲透提供堅實基礎。

第三級：邏輯芯片是遠期想象空間，也是天花板最高的市場。銅互連在10納米以下先進制程中，因表面散射和晶界散射面臨電阻率指數級上升的窘境。而鉬的電子平均自由程遠短于銅，在納米尺度下受到尺寸效應的負面影響更小。imec等研究機構正在積極探索鉬作為銅互連的替代方案。業內普遍預期，邏輯芯片將在未來兩到三年內 逐步采用鉬互連方案，這將把鉬的市場空間從存儲這一個細分領域推向整個半導體制造的全局性變革。

這三個層級層層遞進：NAND是當下最確定的增量，HBM是中期爆發點，邏輯芯片則是遠景天花板。中信證券也指出，2026年稀有金屬板塊估值仍處歷史中低位，流動性緩和、供給擾動頻發、下游高景氣延續，鎢、鋰、稀土磁材領漲，供需緊平衡下價格與盈利有望持續改善。

供給真相：七成鉬是銅礦的伴生品，遠水難解近渴

需求端熱火朝天，供給端卻是一盆冷水。

全球約70%的鉬不是專門開采的，而是銅礦的伴生品。一噸銅礦石里僅能提煉出約0.2公斤鉬。這意味著鉬的產出規模完全依附于銅礦的開采節奏：銅礦不開采，鉬就沒有；銅礦擴產了，鉬才能跟著多出來一點。即便下游需求爆發式增長，也不會有人專門為了這點伴生鉬去單開一座礦。而一座獨立鉬礦從立項到建成投產，周期至少需要8年。

中國的資源儲量位居全球第一，但在高端環節長期受制于人。根據美國地質調查局2026年發布的《礦產品概要》（MCS 2026），截至2025年末，全球鉬資源探明儲量約為1700萬噸金屬量。中國以780萬噸、占比45.88%高居榜首，美國以350萬噸、占比20.59%位列第二，智利以260萬噸、占比15.29%排名第三。中國同時也是全球最大的鉬生產國，2025年全球鉬礦總產量約26萬噸，中國產量占全球總量的37.31%。

然而，中國出口的鉬產品多以工業級鉬鐵等基礎原料為主，賺取的是資源加工費。經過深度提純制成的5N級半導體靶材，長期被默克、液化空氣、英特格等海外巨頭壟斷。核心障礙不在于技術完全做不出來，而在于半導體行業的供應鏈認證壁壘：一種新材料進入頭部晶圓廠的供應體系，需要經歷12個月樣品測試和12個月小批量試產，整體認證周期長達兩年。等國內企業走完認證流程，高端產能早已被海外合作方鎖定。

長江證券在5月發布的小金屬鉬專題研報中給出了更為詳細的測算：2026至2028年，國內鉬礦山供給增長有限，測算2028年較2025年增長約2.2萬金屬噸，增幅約16%，增量主要來自南泥湖鉬礦擴建、安溝鉬多金屬礦投產、沙坪溝項目部分投產以及巨龍銅礦、玉龍銅礦的擴產。海外增量則主要來自Encuentro硫化礦坑擴建等項目。長江證券據此判斷，供需缺口自2026年起逐步擴大，至2028年達到極致；“十五五”末期隨供給增量釋放，盡管緊缺程度有所緩解，整體或維持供需平衡。

據國元證券、長江證券等多家券商研報匯總測算，2025年和2026年全球鉬金屬需求量預計分別為30.71萬噸和31.70萬噸，對應缺口分別達3.64萬噸和4.43萬噸，缺口率呈持續擴大態勢。供需缺口持續擴張有望推動鉬價中樞上行。

從產業鏈價值分布來看，上游采選環節（代表性企業包括金鉬股份、洛陽鉬業、自由港等）毛利率約為10%至20%，受價格周期影響較大；中游基礎冶煉環節（鉬鐵、氧化鉬）毛利率在15%至25%之間，主要靠規模效應賺錢；而高端深加工環節（高純鉬粉、5N靶材）毛利率可達30%至60%，是整條產業鏈真正的價值增長點。

圖片來源：據行業公開資料及券商研報整理，萬聯摩爾AI生成

國產機遇與隱憂：窗口已開，風險未散

這一輪“以鉬代鎢”的材料迭代，對國內半導體產業而言是一個難得的國產化窗口。

為什么說難得？因為不同于傳統制程追趕中那種“一步慢、步步慢”的代差壁壘，鉬材料屬于一個全新的技術賽道。在高端鉬靶材、鉬前驅體、ALD工藝等領域，國內外企業的研發和量產節奏基本上同步，不存在難以逾越的絕對技術代差。與此同時，中國擁有全球第一的鉬資源儲量和成熟的基礎鉬產業集群，這是任何海外對手都不具備的天然供應鏈優勢。

剩下的就是攻堅那幾個“卡脖子”環節：6N至7N超高純鉬提純、高端鉬前驅體的穩定合成、ALD設備在鉬工藝上的驗證和適配。如果國內企業能在這幾個方向上打開局面，就有望從“賣原料”轉向“賣標準”，真正掌握產業鏈的核心話語權。

但也要保持清醒。行業分析中有一個反復被提及的觀點：坐擁資源不等于掌握行業話語權，產業鏈的核心競爭力始終掌握在掌握先進技術與行業標準的一方。高端鉬靶材的認證周期長達兩年，等風來了再臨時抱佛腳，注定會錯失機會。國產替代從來不是一場短跑沖刺，而是一場需要提前布局、長期投入的馬拉松。

目前，金鉬股份作為亞洲最大的鉬業公司，保有鉬金屬量約150萬噸；洛陽鉬業是國內最大的鉬生產商之一，擁有欒川三道莊等優質礦山；國城礦業在內蒙大蘇計礦區的鉬金屬量達14.48萬噸，品位0.117%，屬于國內高品位鉬礦。這些企業在產業鏈上游占據主導地位，但中游高端深加工環節仍待突破。

鉬價雖被多家機構看好，但高位運行下風險不容忽視。宏觀層面，全球經濟動能偏弱，若鋼鐵、化工等下游需求走弱，鉬價將承壓。市場層面，鉬精礦價格自年初已上漲約30%，近期出現弱勢震蕩，鋼招壓價、成品承壓，產業鏈博弈加劇。供給層面，若沙坪溝等大型鉬礦超預期投產，或海外產能提前釋放，可能打破供需緊平衡。此外，地緣政治擾動供應鏈、釕等替代材料的技術突破，以及環保政策趨嚴等，均是潛在變量。

材料革命啟幕，顛簸與機會同行

從SK海力士375層NAND的一個工藝細節，到三星、美光的全線跟進；從NAND的字線，到HBM的堆疊，再到邏輯芯片的互連探索。鉬正在書寫半導體材料史上一個罕見的逆襲故事。

當半導體制造逼近物理極限時，創新的主戰場正從架構設計與制程微縮，轉向材料和工藝的底層突破。國金證券在近期多份研報中反復強調，鉬價“有量無價”的僵局已逐步打破，上漲通道進一步明確。鉬同屬軍工金屬，全球庫存持續低位，海外國防開支增加或進一步拉漲鉬價。

但風險同樣不容忽視。當前鉬價已運行在近三年高位區間，市場進入多空博弈階段，宏觀波動、供給釋放節奏、替代材料技術演進以及供應鏈重構中的不確定性，都可能是擾動行情的變量。

“以鉬代鎢”已不是“要不要做”的問題，而是“以多快速度落地”的問題。這場由存儲巨頭引爆的材料革命將如何重塑全球半導體產業鏈？答案寫在每一條更細、更快、更可靠的鉬字線上。

對于投資者和產業觀察者而言，既要盯緊那些正在審批的鉬礦和調試中的ALD產線，也要對高位下的波動風險保持清醒。這個看似不起眼的金屬，可能正在開啟一個屬于它的時代。但這一路上，顛簸與機會始終并存。

數據來源：USGS（美國地質調查局）《礦產品概要》（MCS 2026）、imec研究報告、SMM、安泰科、Wind

研報來源：

國金證券-《有色金屬行業小金屬雙周談：鎢價第二波蓄勢，繼續重視鉬的年度行情》（2026.05.31）

國金證券-《有色金屬周報：銅需求修復，全面看多稀土鎢鉬錫》（2026.06.14）

長江證券-《小金屬鉬專題：油氣軍工金屬，戰略價值重估》（2026.05.12）

中信證券、東莞證券相關研報（2026年6月）

報道來源：

科創板日報-《SK海力士，嘗試“以鉬代鎢”》（2026.06.11）

半導體行業觀察-《鎢退鉬進，勢不可擋？》（2026.06.15）

The Elec-韓國媒體相關報道（2026.06）