文：樸晉澤 郭楚妤

編輯：侯煜

AI 算力需求爆發(fā)，正推動全球存儲芯片行業(yè)進入超級上行周期。

韓國雙雄三星電子（005930.KS/SSNLF）與 SK 海力士（000660.KS/ HXSCF）業(yè)績與股價雙雙刷新歷史紀錄，行業(yè)盈利格局迎來歷史性重構，二者憑借核心技術與產能優(yōu)勢穩(wěn)居全球存儲行業(yè)頭部陣營，成為本輪行業(yè)上行周期的核心引領者。

高帶寬存儲器（HBM，專為 AI 服務器設計的超高傳輸速度存儲組件）與通用型存儲器量價齊升，韓國巨頭憑借高端市場的壟斷地位攫取核心利潤，而中國存儲產業(yè)鏈企業(yè)則依托本土化替代、供應鏈配套與差異化競爭策略，在全球產業(yè)格局中打開專屬的紅利窗口。

韓國存儲雙雄業(yè)績大漲，海力士盈利能力超三星

AI 存儲浪潮下，韓國存儲雙雄的盈利能力迎來歷史性爆發(fā)。

2025 年三星電子全年業(yè)績創(chuàng)歷史新高，營收 333.6059 萬億韓元、營業(yè)利潤 43.6011 萬億韓元、凈利潤 45.2068 萬億韓元，同比分別增長 10.9%、33.2%、31.2%。

四季度業(yè)績表現尤為亮眼，營收 93.8374 萬億韓元，營業(yè)利潤 20.0737 萬億韓元，同比暴增 209.2%。四季度營業(yè)利潤占全年營業(yè)利潤的 46.0%。

業(yè)績的核心支撐來自半導體業(yè)務，DS 部門是三星電子半導體業(yè)務的核心載體，涵蓋存儲、系統(tǒng) LSI、晶圓代工三大板塊，其中存儲業(yè)務貢獻 DS 部門 90% 以上利潤；該部門營收、營業(yè)利潤分別占三星電子四季度整體的 46.9%、81.7%，是業(yè)績增長的絕對核心。

業(yè)績暴漲的背后，源于 HBM 等高附加值產品銷量大幅擴容，疊加通用型存儲器價格顯著上行的雙重驅動。

服務器用高端 DDR5 內存、企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）等高附加值產品需求持續(xù)走高，推動其半導體業(yè)務盈利水平進一步攀升。

同為韓國存儲巨頭的 SK 海力士，2025 年第四季度營收 32.827 萬億韓元，營業(yè)利潤 19.170 萬億韓元，單季業(yè)績再破紀錄，盈利水平躋身行業(yè)頂尖行列。

2025 年業(yè)績同樣全線創(chuàng)歷史新高，據公司官方披露的財報數據，全年實現營收 97.147 萬億韓元、營業(yè)利潤 47.206 萬億韓元、凈利潤 42.948 萬億韓元。

值得注意的是，海力士全年營收僅為三星電子30%，但全年的的營業(yè)利潤超越三星電子（三星營業(yè)利潤 43.6011 萬億韓元）。海力士凈利潤率高達44%，相比之下三星電子的凈利潤率只有13.5%。橫向比對可見，海力士的吸金能力極為強悍。

韓國雙雄的業(yè)績表現，直觀印證了本輪存儲周期的紅利厚度。

資本市場亦給出直接反饋，過去半年，三星電子股價漲幅超 120%，SK 海力士股價漲幅飆升至 228% 以上，股價表現與業(yè)績增速形成強勁共振，成為全球資本市場的核心追捧標的。

二者在核心的 HBM 市場布局均具備強競爭力。

SK 海力士拿下英偉達 Blackwell 平臺超 80% 的 HBM3E/HBM4 訂單，成為該平臺核心供應商。

三星電子 2025 年四季度已實現 HBM4 小批量試產，計劃 2026 年 Q1 正式大規(guī)模量產交付，且產能已被客戶全額預訂，公司設定 2026 年 HBM 產品銷量較 2025 年提升 3 倍以上的目標，持續(xù)鞏固高端市場地位。

兩家企業(yè)在收獲業(yè)績與市值雙重增長的同時，共同主導著 AI 存儲時代的行業(yè)發(fā)展方向。

壟斷全球約 79% HBM 市場，雙雄十年磨一劍

韓國存儲巨頭能占據本輪 AI 存儲周期的核心紅利，并非偶然，而是數十年持續(xù)技術儲備、精準產能布局與產業(yè)鏈卡位的必然結果，其盈利邏輯與英偉達等 AI 算力龍頭形成鮮明互補，二者分別占據 AI 產業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，共同構筑起行業(yè)的核心壁壘。

理解存儲周期的紅利，需先厘清存儲芯片的核心分類與行業(yè)競爭基本盤：存儲芯片是各類電子設備的核心數據存儲組件，核心分為 DRAM 和 NAND 閃存兩大品類，二者均劃分通用型與高端專用型細分賽道，具體分類如下：

1.DRAM 品類：分為通用型與高端專用型

o 通用型包含消費級 DDR4、入門級 DDR5，廣泛應用于手機、家用電腦等終端；

o 高端專用型以 HBM（高帶寬堆疊式 DRAM）、服務器級高端 DDR5 為核心，前者專為 AI 服務器設計，通過堆疊封裝實現超高傳輸速度與存儲帶寬，是 AI 模型訓練、推理的剛需核心組件，后者適配高端 AI 服務器，二者均為本次存儲周期的核心增量產品。

2.NAND 閃存品類：同樣分為通用型與高端專用型

o通用型包含消費級 SSD、UFS 手機閃存等；

o高端專用型以企業(yè)級 SSD 為核心，主要應用于數據中心、AI 服務器等場景，是存儲行業(yè)的高附加值核心賽道。

三星電子與 SK 海力士早年間便將存儲芯片定為核心賽道并持續(xù)加碼研發(fā)，尤其在 HBM 的堆疊封裝、銅混合鍵合、高速接口等核心技術領域，長期保持高研發(fā)投入，形成了深厚的技術積淀。

SK 海力士憑借在先進封裝領域的技術優(yōu)勢，2025 年 5 月實現全球首批 HBM4 樣品出貨，在高端 HBM 的量產技術和經驗上形成高壁壘；三星電子則快速跟進，成功掌握 HBM4 的 12 層堆疊封裝技術并交付銅混合鍵合樣品，其 16 層堆疊封裝技術目前處于實驗室研發(fā)階段，技術競爭力持續(xù)強化。

據市場研究機構 Counterpoint Research 的數據，2025 年第三季度全球 HBM 市場的營收份額中，SK 海力士占據 57% 的主導份額，三星電子拿下 22%，美光科技占比 21%，三家企業(yè)合計占據全球近 100% 的 HBM 市場，其中三星與 SK 海力士合計占比約 79%，形成絕對壟斷格局，核心技術壁壘讓其他企業(yè)短期內難以突破。

在技術優(yōu)勢的基礎上，韓企通過精準的產能調整策略，將技術壁壘轉化為實際盈利優(yōu)勢。此處的 “先進產能” 特指存儲行業(yè) 1α/1β 制程 DRAM、19nm 及以下制程 NAND，面對 AI 存儲帶來的高端需求爆發(fā)，三星與 SK 海力士均做出明確的產能傾斜，將 50%-60% 的先進產能集中投向 HBM、服務器級高端 DDR5、企業(yè)級 SSD 等高端 AI 存儲產品，同時主動壓縮中低端通用型存儲的產能。

這一操作造就了雙重市場紅利：一方面，全球 AI 服務器需求爆發(fā)推高 HBM 需求，產能高度集中形成 30%-40% 的供需缺口，推動 HBM 產品量價齊升；另一方面，中低端通用型存儲器因產能收縮出現供給缺口，價格同步顯著上行。

兩家企業(yè)的盈利邏輯高度一致，依托 “高端產品賺溢價、通用產品賺漲價” 的雙重模式，推動利潤水平持續(xù)攀升。

其中 SK 海力士 2025 年 DRAM 業(yè)務中，HBM 銷售額較 2024 年增長超一倍，成為公司業(yè)績創(chuàng)歷史紀錄的核心引擎。

與英偉達互補卡位，分食 AI 產業(yè)鏈核心利潤

韓國存儲巨頭的盈利邏輯，與英偉達等 AI 算力龍頭形成鮮明的產業(yè)鏈互補，二者雖賽道不同，但均占據 AI 產業(yè)鏈利潤最豐厚的核心環(huán)節(jié)。

英偉達以 GPU 芯片構筑 AI 算力壁壘，作為 AI 產業(yè)鏈的 “運算核心”，負責海量數據的高速處理與模型運算，憑借技術壟斷實現毛利率攀升至 72%；三星電子、SK 海力士的存儲核心業(yè)務則以 HBM、高端存儲為核心，成為 AI 產業(yè)鏈的 “存儲核心”，承擔 AI 運算所需海量數據的存儲與高速傳輸功能，其存儲核心業(yè)務毛利率穩(wěn)定在 63%-67%。

二者作為 AI 產業(yè)的 “發(fā)動機” 與 “超級蓄水池”，形成產業(yè)協同，共同分食 AI 產業(yè)鏈的核心利潤。

不與韓企硬碰硬，中企錨定差異化賽道

韓國巨頭壟斷高端 HBM 市場，并不代表中國企業(yè)在本輪存儲周期中無利可圖。相反，依托龐大的本土市場優(yōu)勢、逐步完善的產業(yè)鏈配套能力與清晰的差異化競爭策略，中國存儲產業(yè)鏈企業(yè)正收獲多重確定性紅利，從核心芯片的本土化替代到上下游配套環(huán)節(jié)的訂單增長，正逐步在全球存儲產業(yè)鏈中確立自身定位。

面對韓企在高端 HBM 市場的絕對優(yōu)勢，中國企業(yè)未進行盲目正面競爭，而是結合自身優(yōu)勢錨定賽道、錯位發(fā)展，與韓國巨頭形成產業(yè)鏈互補，在本土市場構筑起不可替代的競爭優(yōu)勢，芯片企業(yè)與設備 / 封測企業(yè)的布局方向各有側重：

·存儲芯片領域，中國企業(yè)聚焦推理側與端側 AI 存儲市場，重點布局 AIPC、AI 手機、智能硬件等終端所需的 LPDDR5X、UFS 4.0 等中高端通用型存儲產品，深度綁定小米、華為、榮耀等本土終端品牌，提供定制化存儲解決方案，避開高端 HBM 市場的直接競爭；

·數據中心領域，中國芯片企業(yè)采取分級存儲發(fā)展路線，韓企高端存儲產品負責熱數據（高頻使用、需要快速讀寫的核心數據）的存儲與處理，國產存儲產品主攻冷數據（低頻使用、備份類數據）的存儲，形成 “韓企高端 + 國產中低端” 的搭配模式，有效降低國內云廠商與企業(yè)的數據中心建設成本，實現產業(yè)鏈生態(tài)互補；

·設備與封測領域，中國配套企業(yè)實現全賽道覆蓋，同步對接國內芯片企業(yè)的國產替代需求與韓國存儲巨頭的擴產需求。其中，國產半導體設備企業(yè)正加速布局 HBM 領域，在刻蝕、沉積、鍵合、檢測等核心環(huán)節(jié)實現技術從 0 到 1 的突破，盛美上海、北方華創(chuàng)、拓荊科技等企業(yè)已推出多款適配 HBM 工藝的設備，打破海外設備的壟斷格局。

需明確的是，HBM 核心設備分為鍵合機、研磨機、檢測設備、刻蝕機，據中國半導體行業(yè)協會（CSIA）2025 年三季度數據，刻蝕 / 清洗設備在 HBM 工藝中的國產化率約 5%-8%，鍵合機 / 研磨機國產化率不足 5%，整體 HBM 關鍵設備端國產化率約 3%-5%，這一技術短板成為國產設備商的核心突破方向，對應的市場成長空間顯著。

買不到韓企股票，如何分享周期紅利

三星電子、SK 海力士的股價在本輪周期中大幅攀升，但受韓國股市交易門檻、地域限制、外匯兌換等因素影響，普通中國投資者難以直接參與。

而依托本輪存儲周期的行業(yè)紅利，A 股市場的存儲產業(yè)鏈企業(yè)迎來發(fā)展機遇。

更為重要的是，中國存儲產業(yè)正處于技術突破、產能擴張、市場份額提升的關鍵階段，其長期價值源于自身的發(fā)展?jié)摿εc行業(yè)紅利，而非對海外企業(yè)的簡單替代。

本輪存儲行業(yè)周期中，芯片配套、設備材料、封測模組等多個核心環(huán)節(jié)企業(yè)迎來發(fā)展機會，各環(huán)節(jié)的產業(yè)邏輯與發(fā)展?jié)摿Ω饔袀戎兀?/p>

·核心配套芯片企業(yè)

作為存儲產業(yè)鏈的核心組成部分，這類企業(yè)產品直接對接高端存儲的配套需求，具備較高的技術壁壘，業(yè)務增長具備強確定性。其核心業(yè)務可承接 AI 存儲設備的核心配套需求，同時依托國產替代推進及行業(yè)量價齊升的產業(yè)趨勢，業(yè)務空間與產業(yè)地位有望同步提升。

·半導體設備與材料企業(yè)

這類企業(yè)是存儲芯片實現規(guī)?；慨a的基礎支撐，業(yè)務發(fā)展與行業(yè)產能擴張深度綁定。一方面可對接三星、SK 海力士等韓國存儲巨頭的擴產需求，另一方面可承接國內存儲企業(yè)推進國產替代過程中的產能建設需求，業(yè)務訂單增長具備雙重支撐。尤其在 HBM 設備國產化進程加速的行業(yè)背景下，相關企業(yè)正迎來技術突破與訂單落地的雙重發(fā)展契機。

·封測與模組企業(yè)

這類企業(yè)主要承擔存儲芯片的封測、模組封裝等環(huán)節(jié)，業(yè)務發(fā)展與存儲芯片行業(yè)景氣度高度相關，具備較強的業(yè)務彈性。隨著存儲芯片行業(yè)量價齊升及韓國企業(yè)產能外溢，這類企業(yè)的業(yè)務需求穩(wěn)步提升；同時，AI 存儲產品封裝需求的持續(xù)增長，推動其產能利用率與盈利水平同步改善。

本輪存儲行業(yè)的增長浪潮，是全球產業(yè)鏈協同發(fā)展的結果，并非單一區(qū)域企業(yè)的獨角戲。對中國存儲企業(yè)而言，當前的行業(yè)發(fā)展階段，不僅帶動短期業(yè)務訂單與經營效益的提升，更是企業(yè)積累核心技術、完善產業(yè)鏈布局、拓展全球市場的關鍵窗口期。

未來，隨著 AI 算力需求的持續(xù)升級，存儲芯片的技術迭代速度與產業(yè)鏈重構進程將持續(xù)推進。國產存儲企業(yè)若能把握技術研發(fā)與市場布局的關鍵節(jié)點，將逐步實現從產業(yè)鏈 “配套者” 向 “核心參與者” 的轉型，進一步提升中國存儲產業(yè)在全球市場的話語權。