前沿導讀

據科技日報發布新聞指出，美國議員提出的MATCH法案在多個維度全面升級對中國芯片產業的制裁打壓。

其核心推動者查克·舒默以及約翰·穆勒納爾認為，此前美國的制裁措施要比盟友國更加嚴格，這導致中國企業趁機大量采購盟友國企業的先進制造設備。MATCH法案將會對盟友國提出管制要求，荷蘭、日本等國需要在150天內對齊美國的出口管制標準，不然美國將會對盟友國的企業動用“外國直接產品規則”，強制性叫停具有美國技術的設備出口。

參考資料：

• https://mp.weixin.qq.com/s/xgpckjBuMUDqT1V4fIgqgw

四條規定

MATCH法案包含以下四條規定：

1、確定相關國家企業無法自主制造的半導體設備清單。

2、禁止向相關國家繼續提供制造設備和相關技術，對此前已出售的設備實施售后方面的限制。

3、將中芯國際、華虹集團、長鑫存儲、長江存儲、華為這5家中國企業所需的所有芯片設備列入受管制清單中。

4、確保出口管制的統一性，要求盟友國在150天內對其美國的出口管制標準，否則美國將啟動“外國直接產品規則”。

此次法案來勢洶洶，不但將5家中國科技巨頭劃入全面出口管制的清單當中，而且還要求盟友國在150天內把出口管制標準與美國對齊，對中國企業實施更加全面的出口管制。

在這5家中國企業當中，中芯國際與華虹集團是晶圓制造工廠，并且這兩家是中國大陸地區規模最大、技術儲備最足、資源投入最多的本土晶圓廠，可以代表中國大陸地區最先進的芯片制造技術。

而長鑫存儲與長江存儲則是中國最大的兩家存儲芯片制造商，長鑫存儲負責DRAM內存制造，長江存儲負責NAND閃存制造。這兩家存儲芯片制造商均已經掌握了較為先進的自主技術，大幅度縮短了與國際企業的技術差距，而且依靠國內手機品牌的支持，兩家企業均實現了自主芯片的商業化發展。

華為則是美國制裁清單的“老用戶”，從2018年開始，美國就一直在對華為進行限制，先禁止華為使用美國供應鏈設計芯片，隨后又禁止臺積電給華為代工芯片，最后則是切斷國際供應鏈與華為的合作。

雖然華為只是一個民營企業，但是其橫跨了通訊、芯片設計、終端產品銷售等多個業務板塊，甚至還布局自主操作系統與ai產業。從產業規模上面來看，華為有一種“中國版英特爾”的發展趨勢。

這5家企業分別代表了中國在晶圓制造、存儲芯片制造、芯片設計這3個領域中的門面，MATCH法案對這幾家中國門面企業實施完全體的出口管制，相當于給中國半導體產業的“七寸”位置來了一拳，危機感十足。

法案影響

此前美國制定的出口管制都是有明確的技術標準，比如禁止那些制造18nm DRAM內存芯片、14nm及以下邏輯芯片、128層及以上NAND閃存芯片所需的設備出口。

這些制裁標準都是卡在了先進芯片與成熟芯片的分界點，只是限制了中國企業先進芯片的發展，并沒有限制中國企業繼續采購制造成熟芯片所需的設備。

而此次MATCH法案則是將制裁范圍從當初的先進節點擴大至成熟節點，以上5家中國企業無論是發展先進芯片還是發展成熟芯片，均不允許繼續采購海外的制造設備。

法案重點針對的進口設備有兩個，一個是老生常談的ASML光刻機，另一個是日本東京電子制造的刻蝕機。

ASML雖然總部位于歐洲荷蘭，但是其背后與美國資本高度綁定。

1997年，ASML加入美國政府和英特爾主導的EUV LLC技術聯盟，攻克EUV制造技術。

2001年，ASML收購美國硅谷集團，將美國的光刻機技術納入麾下。

2013年，在韓國公平交易委員會、日本公平交易委員會、美國司法部的共同批準下，ASML收購了光源供應商美國Cymer公司。

Cymer是ASML DUV光刻機和EUV光刻機的獨家光源供應商，雖然ASML是一家歐洲企業，但是其制造光刻機所需的技術零件與美國資本深度融合，這也是美國可以對荷蘭政府施壓，禁止ASML出口給中國光刻機的主要原因。

而日本東京電子對華出口的重點設備是搭配光刻機使用的刻蝕機，尤其是低溫刻蝕機設備。

低溫刻蝕機可以搭配特定的光刻膠材料實現更加優秀的高深寬比結構，被廣泛應用于制造高堆疊層數的3D NAND閃存芯片。該設備可以實現400層甚至是1000層的閃存顆粒堆疊，其制造效率要比傳統刻蝕機提高了2倍-4倍左右。

低溫刻蝕機主要的應用場景就是提升閃存芯片的制造效率，同時繼續提升閃存芯片的顆粒堆疊密度，以實現更高水平的存儲速率。SK海力士、三星、鎧俠等日本存儲器制造商，均已經開始使用東京電子的低溫刻蝕機對下一代3D NAND閃存芯片進行技術評估。

低溫刻蝕機屬于是面向未來的產業設備，含金量相當于中國企業在2018年采購的EUV光刻機，也是美國此次MATCH法案重點針對的設備。

MATCH法案還要求分析中國自主設備的發展情況，將中國企業可以自主制造以及無法自主制造的設備羅列出來。對于中國企業可以制造出來的自主可控設備，美國政府不對同類型的海外設備實施管制，而那些中國企業暫時無法制造的設備，美國政府則會大力限制。

在上個月結束的上海半導體展會當中，許多中國企業均在展會中亮出了自家推出的自主芯片設備。只有少部分國產設備達到了國際先進水平，支持5nm節點的芯片制造，大部分設備的技術水平處于中端層面，正在向高端設備進發。

國產設備可以滿足28nm及以上節點的芯片制造，而14nm及以下芯片需要海外設備的輔助，這也讓部分歐洲企業以及日本企業從中獲利。

此次MATCH法案強迫盟友國家的企業對齊美國的管制標準，這必然會讓那些依靠中國市場獲得經濟增長的企業遭到嚴重損失，從而影響全球產業鏈彼此依賴的合作關系。