前沿導讀

據聯合早報新聞指出，美國此前提議的MATCH法案已進入投票推進階段，美國本土存儲芯片制造商美光正在積極支持該法案的推進，并要求政府采取更多措施遏制中國在存儲芯片領域的市場發展。

存儲芯片

美光是繼韓國三星、SK海力士之后排名第三的存儲芯片供應商，也是美國本土唯一具備先進技術研發的存儲芯片企業。

2023年3月31日，中國部門依法對美光制造的存儲芯片進行安全審查。

2023年5月21日，中國部門宣布美光制造的存儲芯片存在網絡安全隱患，按照法規要求國內的信息基礎設施運營者停止采購美光的產品。

據觀察者網新聞指出，從2018年至2022年之間，美光逐年加大對政府的游說力度，5年內支出954萬美元游說政府官員，讓其對中國半導體產業實施限制，壓縮中國存儲芯片產業的發展。

美光重點針對的中國企業有4家，分別是福建晉化、臺灣聯電、長江存儲、長鑫存儲。并且中國大陸地區還有三星、SK海力士建設的合資晶圓工廠，而美光只在中國西安建設了一座封測廠。無論是中韓合資建設的存儲工廠，還是中國本土品牌的存儲工廠，都與美光形成了競爭關系。

參考資料：
美光被審查背后，中國存儲市場要變天了？

• https://www.guancha.cn/economy/2023_04_04_686958_s.shtm

ai產業的發展推高了存儲芯片的市場需求，導致全球存儲芯片產能都優先滿足于ai產業的需求，這極大擠壓了消費級存儲芯片的產能，也順勢推高了消費級存儲芯片的市場價格。

目前長江存儲正在積極擴產，其閃存芯片的產能已經占據了全球總市場10%的份額，正在對海外巨頭實現快速追趕。

并且長江存儲將在2026年已建成一座新廠的基礎上，再建設兩座工廠，新工廠內部的制造設備有很大一部分來自于國內供應鏈體系。一旦工廠產能全部跑滿，其單工廠的產能有望達到10萬片，可以緩解國內消費級存儲芯片短缺的現狀。

而內存制造商長鑫存儲的市場表現亮眼，2025年前三季度營收達320.84億元，同比增長97.79%，毛利率從上半年的12.72%躍升至35%，市場份額從約3.97%提升至約5%，穩居全球第四大DRAM供應商。

閃存芯片與內存芯片的制造方式有差別，閃存芯片需要多層數垂直的顆粒堆疊，每層的堆疊圖案樣式一致，不太依賴于EUV這種最尖端的設備，更多則是依賴于先進的刻蝕和沉積工藝。

而內存芯片每層的圖案不一致，其存儲單元由1個晶體管加上1個電容構成，所以對高分辨率的光刻機以及高深寬比的刻蝕機有需求。

制裁法案

美國現在所推動的MATCH法案，重點針對華為、中芯國際、華虹、長鑫存儲、長江存儲這5家中國企業實施全面的出口管制。

禁止美國企業向這些中國企業繼續制造設備，哪怕是制造成熟芯片也不可以。同時還要求荷蘭ASML、日本東京電子等盟友國企業在150天內對齊美國的制裁標準，無論是制造先進芯片所需的設備，還是制造成熟芯片所需的設備，均不允許繼續出口給這5家中國企業。

ASML制造的DUV光刻機，東京電子制造的低溫刻蝕機是此次法案的重點管制設備。

美國此前已經封鎖了制造先進芯片所需的先進浸潤式光刻機，新法案則是在之前的基礎上，將范圍擴大到了制造成熟芯片的光刻機上面。試圖將對華制裁的技術標準從之前的14nm節點， 擴大到28nm節點。

東京電子制造的低溫刻蝕機，則是應用于制造更高規格的3D NAND閃存芯片。

封鎖這兩種設備的對華出口，直接影響的就是中國企業在邏輯芯片以及存儲芯片上面的產能擴充。

并且針對中國企業手中此前采購的設備，MATCH法案也會對其實施更加嚴格的售后限制政策。禁止相關的設備供應商向中國企業提供技術支持，也不允許向中國企業提供相應的耗材零件。

7nm及以下邏輯芯片、DRAM內存芯片對于尖端光刻機有著技術需求，3D NAND閃存芯片則是對于較差一些的浸潤式光刻機以及先進刻蝕機有著技術需求，這些所需的技術設備都是美國此次MATCH法案重點針對的產品。

美光是一家集閃存和內存技術于一體的芯片制造商，三星、SK海力士這種韓國企業的存儲芯片產能依賴于中國大陸工廠，但是大陸工廠被美國施加了出口管制，無法獲得最尖端的設備，這阻礙了韓國企業的產能擴充。

如今的存儲芯片市場格局已經從美韓企業雙寡頭的局面，演變成了中國企業的三方競爭，中國企業成為了撬動存儲芯片產業的杠桿。一旦中國企業將存儲芯片的技術和產能提升上來，身處三星、SK海力士之后全球市場排名第三的美光，將會是中國企業首要超過的對象。