湖南
眾所周知，目前中國已掌握的最先進的芯片技術是7nm工藝，并且這個7納米工藝是采用浸潤式duv光刻機制造出來的，采用多重曝光技術，我們被美國限制住了，買不到EUV光刻機。
相對應的，像臺積電因為有EUV光刻機，今年要大規模制造2nm芯片了；intel也有EUV光刻機，已經量產了1.8nm的18A工藝，三星也有EUV光刻機，量產了2nm芯片了。
所以從表面上來看，從7nm到2nm，中間還隔有5nm、3nm這兩檔工藝，相當于落后2代。而如果劃的更細致一點的話，還有6nm（其實是7nm的加強版），還有4nm（是5nm的加強版）。
不過，如果大家只盯著這個XX納米來評論芯片工藝水平，可能就是太膚淺了。
事實上，長期以來已經有很多的專家表示，不同的廠商之間不能以多少納米來評定其先進程度，因為很多廠商的芯片工藝其實是有注水的。
最近，有人就舉了一個例子，那就是三星采用EUV光刻機，制造出來的4nm芯片，其實與中國采用DUV光刻機多重曝光制造出來的7nm工藝，差不多的。
從晶體管密度來看，三星的4nm工藝與中國的7nm工藝差不太多，從性能來看，也是如此，大家可以去對比一下三星的4nm的芯片，與國產的7nm工藝，也是差不多的。
然后三星的4nm工藝良率非常低，且發熱更嚇人，發熱都控制不太好，最后嚇的高通們都趕緊轉單了，而我們采用的7nm工藝的芯片，良率不錯，反正功耗控制的不錯，比如華為后來推出的一系列麒麟芯片，用在華為的旗艦手機上，操作非常流暢，性能強，發熱低。
所以，從實際上來看，中國的芯片技術，已經實現了追趕，現在唯一缺少的就是euv光刻機了，一旦我們擁有了EUV光刻機，追上并超過三星，可能真不是太大的難事。
當然，也有人會說，采用浸潤式DUV一樣可以制造5nm、4nm芯片。
這在理論上是可以的，但是在現實中要這么干，可能有點困難，因為更多重的曝光，意味著生產效率的降低，然后成本的增加，并且增加曝光次數，會導致良率的下降，小批量的制造應該是沒有問題，但如果要大規模的商業制造，這樣的成本是扛不住的。
而從這些事件也說明一個問題，那就是在芯片領域，技術和人才對一家企業而言是多么的重要。
三星為何現在這么拉垮了，其實主要是因為芯片大神梁孟松離開了三星，加入了中芯國際。所以三星的技術越來越差，相應的則是中芯的技術越來越強，有了梁孟松的加持，哪怕采用DUV制造7nm芯片，也不輸給三星有EUV的4納米。
所以大家不妨大膽的猜測一下，一旦國產的EUV光刻機突破，中國芯片技術會一下子沖到什么程度？
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