山東
IT之家 5 月 13 日消息，韓媒 chosun 今天（5 月 13 日）報道稱，全球存儲廠正把產能轉向 HBM 和高層數 3D NAND，傳統 2D NAND 與 MLC NAND 供應迅速收緊。
IT之家注：上文文末翻譯有誤，原文為去年（2025 年）
報道指出成熟制程存儲芯片也開始出現明顯缺貨，64Gb MLC NAND 現貨價據稱較 2025 年底暴漲超過 300%，近期成交區間已到 20 至 28 美元。
圖源：集邦咨詢
該媒體認為導致 MLC NAND 現貨價暴漲的一個重要原因，是三星自 3 月起逐步調整華城 Line 12 的 2D NAND 生產，并改造該廠作為 1c DRAM 的后段工廠。
該產線原本每月晶圓產能約 8 萬至 10 萬片，且被視為三星最后一處 2D NAND 主要據點。按照報道說法，三星將在下個月完成最后一批出貨，隨后結束相關供應，這會進一步壓縮市場上的舊規格 NAND 貨源。
與此同時，鎧俠（Kioxia）、SK hynix 和美光（Micron）也沒有擴大 MLC 產能的意愿。TrendForce 指出，這幾家廠商目前基本只按既有客戶需求維持生產，因此全球 MLC NAND Flash 產能預計將在 2026 年同比下滑 41.7%。
這類產品單顆單元存 2 bit，容量不如 TLC 和 QLC，但數據保存能力和耐用性通常更強，因此在部分工業、網絡設備和嵌入式場景里，短期內仍難完全替代。
相比之下，頭部廠商更愿意把資源投向 AI 帶動的高利潤產品。報道提到，三星正把 NAND 作為下一階段重點，推進 400 層級 V10 產品。
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