山東
IT之家 5 月 23 日消息，韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間今日報道稱，業(yè)內(nèi)消息人士指出 KIOXIA（鎧俠）計劃在 2027 年量產(chǎn)第十代 BiCS FLASH 產(chǎn)品，相關投資細節(jié)待到 2026H2 會更為明朗。這一時點晚于此前曝光的 2026 年量產(chǎn)計劃。
鎧俠在 BiCS8 世代引入了 CBA（IT之家注：CMOS 直接鍵合到存儲陣列）架構，解耦了 NAND 中存儲單元和外圍電路的制造。該企業(yè)基于現(xiàn)有存儲單元技術和最新 CMOS 技術的 BiCS9 產(chǎn)品已于去年出樣。
而 BiCS10 則將存儲單元的堆疊層數(shù)提升到 332 層，以滿足未來市場對更大容量、更高性能解決方案的需求。該閃存支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相較現(xiàn)有的 BiCS8 提升 59%。
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