截至10:02,中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.9%,成分股中,中船特氣上漲11.1%,滬硅產(chǎn)業(yè)上漲8.6%。同花順iFind數(shù)據(jù)顯示,截至昨日,半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558)已連續(xù)11個交易日獲資金凈流入,合計(jì)約27億元。
消息面上,5月27日,作為國產(chǎn)存儲“雙子星”之一的長鑫科技科創(chuàng)板IPO通過上交所上市委會議,公司IPO擬募集資金295億元,投向存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造、DRAM技術(shù)升級和前瞻技術(shù)研發(fā)等項(xiàng)目,創(chuàng)下科創(chuàng)板IPO擬募資額之最。
有分析認(rèn)為,長鑫上市對半導(dǎo)體設(shè)備的拉動,核心在于把“國產(chǎn)存儲景氣”進(jìn)一步傳導(dǎo)到上游設(shè)備材料。DRAM是重資產(chǎn)投入環(huán)節(jié),后續(xù)無論是產(chǎn)線升級、良率提升,還是制程迭代和國產(chǎn)化,都離不開刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測檢測、材料等環(huán)節(jié)。此外,2026年存儲需求和價(jià)格景氣提升后,擴(kuò)產(chǎn)帶來的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)亦成為存儲廠商的擴(kuò)產(chǎn)核心動力之一。
中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)聚焦半導(dǎo)體上游設(shè)備材料,成分股中半導(dǎo)體設(shè)備與材料權(quán)重占比近九成,直接受益于國產(chǎn)存儲擴(kuò)產(chǎn),半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)(159558,聯(lián)接A/C:021893/021894)跟蹤該指數(shù),最新規(guī)模93億元,臨近百億大關(guān)。
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