北京
【CNMO科技消息】5月28日，據半導體行業相關信息顯示，國內目前正以最大DRAM廠商長鑫存儲為核心，加快高帶寬內存（HBM）的商用化進程，相關產業能力提升動作持續推進。
SK海力士無錫工廠
長鑫存儲的HBM研發進度方面，目前該公司已推出HBM3樣件，向華為等國內AI芯片廠商供貨，現階段正處于量產前的驗證環節，同時規劃明年實現12層HBM3E的量產。如果該計劃落地，長鑫存儲與三星電子、SK海力士、美光三家頭部存儲廠商的技術差距將縮短至2到3年。此外，國內NAND廠商長江存儲也有可能加入下一代HBM的開發，國內計劃整合長鑫存儲的DRAM制造能力與長江存儲的3D封裝技術，推進更高層數的HBM研發，目前雙方針對20層級HBM所需的混合鍵合技術的合作已在推進中。
三星HBM4
CNMO科技注意到，市場調研機構Counterpoint數據顯示，2026年第一季度全球DRAM市場中，三星電子、SK海力士、美光分別以38%、22%、22%的份額占據前三，長鑫存儲的DRAM收入同比上漲超700%，以8%的份額位列第四，較上年同期3%的份額增長超兩倍。
行業相關人士分析稱，雖然國內HBM研發進展較快，但HBM的核心競爭力涉及硅通孔技術、堆疊封裝、發熱控制、量產良率穩定及客戶認證經驗等多個維度，目前國內廠商與三大頭部存儲廠商的實際差距仍然較大。不過依托國內政策支持以及本土AI產業的內需優勢，滿足可用標準的HBM產品有望在國內AI生態中快速普及，對韓國存儲廠商而言屬于需要中長期關注的行業趨勢。
目前三星電子、SK海力士均在國內設有生產基地，三星西安工廠承擔其全球約40%的NAND產能，SK海力士也在無錫、大連設有DRAM和NAND生產基地。行業人士指出，當前國內市場仍是頭部存儲廠商重要的生產和需求市場，相關廠商需要加強核心工藝、良率及封裝相關的技術管理。
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