上海
《科創板日報》5月29日訊（編輯 宋子喬） 繼今年2月率先實現HBM4量產商用后，三星再度領跑下一代AI存儲賽道。今日，三星電子宣布，已開始向主要全球客戶交付業內首批12層48GB HBM4E樣品。在完成初步樣品交付和優化后，三星計劃根據客戶的進度安排開始批量生產HBM4E。
此外，三星已規劃擴展產品陣容，后續將推出8層32GB型和16層64GB型，以滿足不同客戶的多樣化算力需求。
三星12層HBM4E樣品
HBM（高帶寬存儲器）是AI加速芯片的核心配套部件，其帶寬與容量直接決定AI訓練與推理的效率。當前，HBM市場由三星、SK海力士和美光主導，此前SK海力士在HBM3及HBM3E階段占據顯著先發優勢。
三星自2015年切入HBM賽道，產品已歷經十代迭代，2026年2月，三星量產HBM4，是全球首家完成HBM4量產的企業。
據三星介紹，作為HBM4的迭代升級產品，12層HBM4E采用第六代10納米(nm)級DRAM工藝(1c)和三星晶圓代工的4nm邏輯基片，在性能、容量、能效與散熱方面均有大幅提升，專為大模型、生成式AI及高性能計算場景打造，與HBM4相比——
性能：其HBM4E可提供穩定的14 Gbps引腳傳輸速度，性能可擴展至16Gbps，以滿足日益增長的數據處理需求；與HBM4相比，性能提升超過20%，同時每個堆棧的內存帶寬高達3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系統的計算性能。
容量：HBM4E提供48GB的容量，比上一代產品增加了30%以上，并計劃根據客戶需求擴展產品線，包括32GB（8層）和64GB（16層）配置。
能效和散熱：低功耗設計與封裝優化使能效提升16%，熱阻改善超14%，散熱效率顯著增強，可降低AI數據中心高負載能耗。
HBM市場上，三星、SK海力士、美光正你追我趕，呈現三足鼎立格局。
作為當前HBM市場的份額領導者，SK海力士的HBM4于2025年9月量產；HBM4E計劃2026年下半年送樣、2027年量產，其HBM4E將采用基于1c nm制程的DRAM裸片，基礎裸片則由臺積電采用3nm工藝生產；美光的HBM4產能爬坡進展順利，計劃于2027年量產HBM4E，消息稱其HBM4E將采用10納米級第六代1γ工藝，這是美光首次在量產工藝中引入EUV光刻設備，基礎裸片將委托臺積電制造。
TrendForce分析指出，上述三大供應商正逐步將產業重心由良率競爭轉向定價權與下世代規格主導，雖傳統DRAM利潤率短期反超HBM，供貨商仍維持均衡產品組合，并看好HBM長期合約價走高，橫向對比來看，當前除HBM以外的各類DDR及消費級存儲，歷經前期多輪漲價后價格已整體處于相對高位，而HBM的漲價紅利尚未充分釋放。
海通國際證券稱，伴隨2027年全球AI服務器出貨量持續高增、HBM3e/HBM4迭代滲透提速，疊加先進封裝與良率瓶頸仍持續約束供給釋放，看好HBM后續漲價預期。
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